LED產業從未停止技術創新步伐，尤其緊跟以智能照明、健康照明、按需照明及MicroLED等新型顯示相關的新技術一直都是產業追逐的焦點。
就如，江風益院士在第十六屆中國國際半導體照明論壇暨2019國際第三代半導體論壇（SSLCHINA&IFWS2019）開幕大會上說的那樣：“LED技術仍是一片藍海，固態照明有更高的品質需求，不同技術之間融合可催生更多的應用方向，LED技術本身仍存在大量單元技術有待攻克。”
11月27日，“半導體照明芯片、封裝及模組技術II”分會作為SSLCHINA&IFWS2019論壇的重要技術分會之一，由國家半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦，得到了深圳市龍華區科技創新局、木林森、中科潞安、華燦光電、中微公司、歐司朗、有研稀土等單位的鼎力支持。會議由廣東德豪潤達電氣股份有限公司LED芯片事業部副總裁莫慶偉博士和中國科學院半導體研究所伊曉燕研究員共同主持。
會上，廣東省半導體產業技術研究院首席科學家龔政教授分享了《Micro-LED從單彩顯示到全彩顯示》主旨報告。他表示，目前Micro-LED已經引起全世界顯示面板廠商的注意，被業界譽為下一代顯示技術，我相信它對我們將來的生活會產生深遠的影響。他認為未來半導體顯示技術的發展將向高度集成化和高度智能化的方向發展；分辨率會越來越高，成本會越來越低；從技術發展的角度講，Micro-LED技術將從單色向全彩快速發展；從市場角度來看，在未來的三到五年內，我相信Micro-LED技術會在頭盔顯示、智能手表、以及電視等方面取得突破。總的來說，這些發展趨勢基本都是由顯示技術本身發展的要求以及市場需求來決定的。
日本鈴木工藝技術員平木和雄先生分享《針對小尺寸 LED襯底的各向異性導電膠和夾環的簡化工藝》研究報告。他介紹了微型LED低溫倒裝芯片封裝工藝。新材料各向異性導電膠（ACP）和直接夾持環提出了一種新型的倒裝芯片模具連接工藝。ACP和聚環氧氯醚具有抗氧化、破斷保護、無熱損傷、無沖擊、無壓力、制造工藝最小化等優點。握把環上的數千個芯片一次浸到ACP中。然后芯片被直接推到基板上。用回流爐將ACP和芯片固化在基板上，即可完成焊接和下充。
福州大學孫捷教授分享了《面向下一代主動驅動、高分辨GaNμ-LED顯示》研究報告。他表示，GaNμ-LED被認為是下一代顯示的核心技術之一，以它為基礎的顯示器在分辨率、速度、功耗、3D效果、與其它電子設備的集成度等方面都優于現在的顯示器。因此，至少在部分領域，例如車載顯示、AR頭盔，它將率先引導技術革命。然而，有源矩陣（AM）μ-LED顯示器的每個像素都需要有一個驅動單元并與之鍵合。目前，這是通過較復雜的技術來實現的，如巨量轉移或整片晶圓轉移和鍵合。本次報告中，我首先將重點放在設計/制造基于GaN-μLED陣列的主動驅動的0.55英寸、1323PPI微型顯示器上，該器件是我們聯合國內數家兄弟單位，采用整片晶圓巨量轉移和鍵合技術，將μ-LED與Si CMOS驅動電路結合起來而制成的。該工藝經進一步優化即可實現工業化應用。
南昌大學張建立研究員分享了《面向長波段與低電流密度的硅基氮化鎵 LED》研究報告。他表示，GaN基LED在藍光范圍取得成功后，正分別向短波長紫外波段和長波長黃紅光波段發展。2016年，本團隊成功研制出硅襯底GaN基黃光LED，在20A/cm2驅動下，565nm光功率效率達到21.4%；近幾年來，光效持續提升，已達27.9%(180 lm/W)，并成功應用于無需藍光激發、無熒光粉、純LED路燈、氛圍燈和景觀照明; 波長590nm橙光LED光效已達13.5%。另一方面，本團隊還發展了在低電流密度下高效工作的LED技術，在0.01A-1A/cm2范圍內，540nm綠光LED峰值光效超過60%(350lm/W)，571nm黃光LED峰值光效達到47.9%(283lm/W)。低電流密度下高效GaN/Si基紅光LED值得期待，未來可望在Micro-LED領域有作為。
中國科學院半導體研究所副研究員張逸韻分享了《InGaN基超高能效LED核心材料及器件技術研究進展》報告。報告重點介紹近階段關于InGaN基超高光效LEDs研究進展情況。通過使用納米圖形襯底、金屬反射鏡、新型ITO透明電極、電子阻擋層等技術，InGaN LED的外量子效率被顯著提高，達到83%。, 5.85A/cm2注入條件下，LED(6*20mil2，色溫4059K)峰值光效達到252.02lm/W , 100A/cm2大電流注入條件下 LED光效達到141.01lm/W。通過薄膜LED結構設計，2 mm2 LED的光輸出功率達到2W，工作電壓低至3V，100A/cm2注入條件下光效達到128.42lm/W。
西安交通大學助理研究員張敏妍在《空氣腔結構在GaN基垂直結構LED工藝中的影響》研究報告。研究發現，垂直結構GaN基發光二極管（LED）在提高散熱和降低電流擁擠效應方面具有很大優勢，其制備工藝中激光剝離（LLO）技術是非常重要的工藝之一。由于剝離過程中產生的氣流沖擊，會破壞外延層從而影響LED器件性能。因此，我們通過激光加工的方法在LED外延層中嵌入了空氣腔結構，該結構不僅可以降低LED外延層位錯密度，而且可以改善垂直結構芯片制備工藝中激光剝離芯片龜裂和剝離損傷問題。
深圳埃克斯工業自動化有限公司首席技術官劉斌分享了《通過新一代智能制造系統提升三代半導體生產效率》研究報告。他表示，為半導體和泛半導體行業提供一整套的解決方案，通過智能生產解決方案，降低Cycle Time，節約更多成本，提升良品率，為企業創造更高利潤。在技術方案上，埃克斯提供從調度、控制、模擬、優化、監控、診斷及維護等20多個模塊的完整的智能制造解決方案，一個模塊可以單獨出來部署和使用，也可以集成整個平臺當中，其中智能設備監控和維護預警模塊，埃克斯可實現提前一個小時預警，準確度達到90%。總體來說，埃克斯可以實現就是通過技術減少宕機時間，提升設備利用率，從而提升整體生產目的，據悉，埃克斯目前技術和產品可為企業提升10%-50%的產能。【根據現場資料整理，如有出入敬請諒解！】
