LED產業(yè)從未停止技術創(chuàng)新步伐，尤其緊跟以智能照明、健康照明、按需照明及MicroLED等新型顯示相關的新技術一直都是產業(yè)追逐的焦點。半導體照明芯片、封裝及模組技術工藝及技術的革新都能引發(fā)產業(yè)極大關注。

 

　　11月25--27日，第十六屆中國國際半導體照明論壇暨2019國際第三代半導體論壇（SSLCHINA&IFWS2019）在深圳成功召開。“半導體照明芯片、封裝及模組技術II”分會作為SSLCHINA&IFWS2019論壇的重要技術分會之一，由國家半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯(lián)盟、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦，得到了深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局、木林森、中科潞安、華燦光電、中微公司、歐司朗、有研稀土等單位的鼎力支持。

　　會上，邀請到了福州大學孫捷教授分享了《面向下一代主動驅動、高分辨GaNμ-LED顯示》研究報告。孫捷教授長期從事半導體和二維材料器件研究。他的研究方向主要包括：III-V族半導體生長及器件，特別是氮化鎵基材料和器件，微LED顯示，固態(tài)照明，以及二維材料（石墨烯、二維半導體、h-BN）和器件。發(fā)表100余篇SCI論文，h-因子 20（WebofScience），授權6項專利，做約20次邀請報告。

　　他表示，GaNμ-LED被認為是下一代顯示的核心技術之一，以它為基礎的顯示器在分辨率、速度、功耗、3D效果、與其它電子設備的集成度等方面都優(yōu)于現(xiàn)在的顯示器。因此，至少在部分領域，例如車載顯示、AR頭盔，它將率先引導技術革命。然而，有源矩陣（AM）μ-LED顯示器的每個像素都需要有一個驅動單元并與之鍵合。目前，這是通過較復雜的技術來實現(xiàn)的，如巨量轉移或整片晶圓轉移和鍵合。本次報告中，我首先將重點放在設計/制造基于GaN-μLED陣列的主動驅動的0.55英寸、1323PPI微型顯示器上，該器件是我們聯(lián)合國內數(shù)家兄弟單位，采用整片晶圓巨量轉移和鍵合技術，將μ-LED與Si CMOS驅動電路結合起來而制成的。該工藝經(jīng)進一步優(yōu)化即可實現(xiàn)工業(yè)化應用。

 

　　隨后，他介紹了CVD石墨烯在GaN基μ-LED器件中的應用，例如作為LED的透明電極。除此之外，還可以將GaNμ-LED與石墨烯場效應驅動晶體管集成。在這種情況下，石墨烯不僅是透明電極，還可驅動μ-LED像素。目前，我們正在設計更完備的驅動方案。我想傳達的關鍵信息是，二維材料與GaN的結合在生產μ-LED微顯示器方面是有獨特優(yōu)勢的，并且原則上可以規(guī)避μ-LED的轉移、鍵合，這在電子工業(yè)中是很有研究價值的。其他新的二維半導體材料也可與GaN集成并發(fā)揮各自的優(yōu)點。【根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解！】