LED產業從未停止技術創新步伐，尤其緊跟以智能照明、健康照明、按需照明及MicroLED等新型顯示相關的新技術一直都是產業追逐的焦點。半導體照明芯片、封裝及模組技術工藝及技術的革新都能引發產業極大關注。
11月25--27日，第十六屆中國國際半導體照明論壇暨2019國際第三代半導體論壇（SSLCHINA&IFWS2019）在深圳成功召開。“半導體照明芯片、封裝及模組技術II”分會作為SSLCHINA&IFWS2019論壇的重要技術分會之一，由國家半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦，得到了深圳市龍華區科技創新局、木林森、中科潞安、華燦光電、中微公司、歐司朗、有研稀土等單位的鼎力支持。
會上，邀請到了中國科學院半導體研究所副研究員張逸韻分享了《InGaN基超高能效LED核心材料及器件技術研究進展》報告。他2016畢業于香港大學電子工程系獲得博士學位。2016-2019年在美國西北大學從事博士后研究。2019年進入中科院半導體所照明研發中心工作。主要研究方向包括GaN基新型光電子器件研究以及銻化物二類超晶格紅外焦平面探測器研究。在學及工作期間共發表學術論文40余篇。總引用約650余次。擔任IEEE Electron Devices Society、IEEE Photonics Society、The Optical Society of America (OSA)等學會會員、并受邀擔任多個學術期刊的審稿人(OSA Optics Express, Optics Letters, Applied Physics Letters, IEEE Photonics Journal, Applied Optics, Nanotechnology, Nanoscale, Applied Optics etc.)
報告重點介紹近階段關于InGaN基超高光效LEDs研究進展情況。通過使用納米圖形襯底、金屬反射鏡、新型ITO透明電極、電子阻擋層等技術，InGaN LED的外量子效率被顯著提高，達到83%。, 5.85A/cm2注入條件下，LED(6*20mil2，色溫4059K)峰值光效達到252.02lm/W , 100A/cm2大電流注入條件下 LED光效達到141.01lm/W。通過薄膜LED結構設計，2 mm2 LED的光輸出功率達到2W，工作電壓低至3V，100A/cm2注入條件下光效達到128.42lm/W。
