近日，由深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局特別支持，國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。
期間，“顯示工程應用” 分會如期召開。華燦光電股份有限公司副總裁李鵬做了題為《新一代顯示用LED芯片技術(shù)研究與展望》的報告。該報告指出Micro LED器件結(jié)構(gòu)較LCD和OLED來說，更加輕薄靈活，直接將RGB LED單元直接集成到TFT玻璃基板上，除了目前造價過高之外，在響應速度、對比度、亮度、可視角度等等方面都具備絕對的優(yōu)勢。
目前Mini RGB LED已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)，Micro LED仍有待產(chǎn)業(yè)鏈上中下游的協(xié)同創(chuàng)新。到2025年，Micro LED市場規(guī)模將達到2.9B USD（HIS 數(shù)據(jù)）。
Micro LED核心技術(shù)包括：高度一致性的外延技術(shù)、微米級的芯片制造工藝、超高效的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)、全彩實現(xiàn)技術(shù)、TFT、驅(qū)動及背板設計、高效的壞點檢測修復技術(shù)。當前巨量轉(zhuǎn)移的技術(shù)路線包括：靜電吸附、電磁吸附、范德瓦爾斯力、流體裝配、激光燒灼，其對最終生產(chǎn)效率有至關(guān)重要的作用。
Micro LED核心技術(shù)包括：高度一致性的外延技術(shù)、微米級的芯片制造工藝、超高效的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)、全彩實現(xiàn)技術(shù)、TFT、驅(qū)動及背板設計、高效的壞點檢測修復技術(shù)。當前巨量轉(zhuǎn)移的技術(shù)路線包括：靜電吸附、電磁吸附、范德瓦爾斯力、流體裝配、激光燒灼，其對最終生產(chǎn)效率有至關(guān)重要的作用。
在外延芯片環(huán)節(jié)，量產(chǎn)面臨的三大難點是：外延高度一致性、壞點減少及控制技術(shù)、增大襯底外延尺寸以提高有效面積。
華燦芯片產(chǎn)品涵蓋垂直結(jié)構(gòu)及倒裝芯片，現(xiàn)有設備可以實現(xiàn)10微米芯片的表面加工工藝?，F(xiàn)有紅光Micro LED EQE可以達到13%。10-30 um的Micro LED已有Testing Demo。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）
