氮化硅(Si3N4)薄膜是一種應用廣泛的介質材料。作為非晶絕緣物質，氮化硅膜的介質特性優于二氧化硅膜，具有對可動離子阻擋能力強、結構致密、針孔密度小、化學穩定性好、介電常數高等優點，常用于集成電路制造中的介質絕緣、雜質掩蔽、淺溝道隔離、掩膜、外層鈍化保護等工藝。作為一種性能優良的重要介質材料，在集成電路制造領域，氮化硅薄膜廣泛使用LPCVD類型設備制備，而顆?？刂扑绞窃O備能力的一項重要指標。

北方華創在氮化硅工藝設備THEORIS SN302D的開發過程中，通過整合已有產品平臺技術，針對性地研發了快速升降溫加熱技術和爐口氣流優化技術，良好地解決了氮化硅工藝過程中顆粒控制不穩的技術性難題。并在滿足常規生產能力的基礎上，為提升客戶使用的附加價值，進一步開發了長恒溫區反應腔室設計，實現了高產能的硬件技術解決方案，匹配市場的多樣化需求。

經過10余年的創新發展，北方華創立式爐從無到有，從設備研發到產業化，目前已形成氧化（Oxide）、退火（Anneal）、化學氣相沉積（LPCVD）、合金（Alloy）四大系列工藝設備，設備性能達到國際同類產品的先進水平。北方華創在不斷拓展產品應用領域的同時，也將致力于幫助客戶提升工藝性能、提高產能、降低成本，為半導體集成電路領域的廣大客戶帶來無限可能。