優化設計，滿足當今高功率應用的要求
Cree 旗下公司Wolfspeed于近期宣布推出新型15-mΩ和60-mΩ 650V碳化硅 MOSFET，采用最新C3M™碳化硅技術，為高效率和高功率密度解決方案提供業界領先的低導通電阻和開關損耗。盡管當今應用對效率和性能的要求日益提高，但 Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET有強大實力應對這一挑戰。Wolfspeed 650V 碳化硅 MOSFET 系列的特點包括：
高效率
- 低開關損耗
- 低導通損耗
- 低反向恢復損耗
高功率密度
- 更輕重量
- 更小尺寸
- 更少元件數量
高效率
在升壓轉化器中，C3M0060065K與競品的比較
Wolfspeed 650V MOSFET同時實現低開關損耗和低導通損耗
業界領先性能：不同公司碳化硅方案比較
標準化導通電阻RDS(on) vs.溫度
高功率密度
比之硅基方案，可實現高達70%功率密度提升
系統成本對比
在6.6kW雙向充電機設計中降低總體系統成本
Wolfspeed 650V MOSFET與競品技術比較
在性能方面，Wolfspeed 碳化硅出類拔萃。無論是與傳統硅基方案、氮化鎵 MOSFET，還是與競爭對手的碳化硅產品相比，Wolfspeed 都表現出色。
650V 碳化硅 vs. 硅
- 減少1/2導通損耗
- 降低40倍體二極管反向恢復電荷
- 減少75%開關損耗，支持在更高頻率時實現更高效率
- 高達70%功率密度提升
- 優異的散熱性能
650V碳化硅 vs. 硅基氮化鎵
- 減少超過1/2導通損耗
- 行業標準封裝
- 穩固的柵極驅動
- 久經現場檢驗的可靠性
- 雪崩能力
Wolfspeed 650V碳化硅 vs. 競品碳化硅
- 在工作溫度范圍內更小的導通電阻增加
- 低輸出電容
- 高開關頻率
- 易于驅動
650V MOSFET應用
Wolfspeed 650V 碳化硅 MOSFET 是為滿足當今前沿技術的需求而打造。從電動汽車車載充電機（OBC），到不間斷電源（UPS）和微型逆變器等，Wolfspeed 650V 碳化硅 MOSFET 都足夠耐用、足夠可靠、足夠強大，適用于各種應用：
- 工業開關模式電源（SMPS）
- 數據中心
- 通訊電源
- 車載充電機（OBC）
- 不間斷電源（UPS）
- 儲能系統（ESS）
- 太陽能光伏逆變器
產品和參考設計方案
參考設計
研究Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET及其配套和參考設計，更多了解Wolfspeed碳化硅MOSFET技術如何幫助您開發更出色的產品，滿足當今現代器件的要求。
CRD-06600FF065N - 6.6-kW 高功率密度雙向AC/DC + DC/DC電池充電機參考設計
- 展示科銳650 V, 60 mΩ (C3M™) 碳化硅MOSFET在6.6kW雙向變流器中的使用，針對高效率和高功率密度車載充電應用
- Demo板包括雙向圖騰柱PFC (AC/DC)級和基于CLLC拓撲以及可變直流母線電壓的隔離型雙向DC/DC級
- 采用高開關頻率工作，使得demo板可以更小、更輕和總體更高性價比
- 科銳6.6 kW高功率密度車載充電機demo板可以承受輸入90V AC - 265V AC，并提供輸出250V DC - 450V DC，在充電和反饋模式下實現> 96.5%效率
- 這一demo板的主要目標應用包括：電動汽車充電和儲能
- 文件包括BOM物料清單、簡略圖、電路板設計和應用指南
KIT-CRD-3DD065P - DC/DC 升降壓轉化器評估套件
評估和優化Wolfspeed C3M™碳化硅MOSFET和肖特基二極管的穩態和高速開關性能
- 分析多用途功率轉換拓撲中的評估板，例如同步/異步升壓或降壓轉化器，半橋式和全橋式（需要注意，全橋式拓撲需要2個評估套件）
- 板上尺寸同時適合3引腳或4引腳TO-247封裝的C3M™碳化硅 MOSFET
- 同時兼容TO-247和TO-220封裝的碳化硅肖特基二極管
- 在升壓或降壓轉換器拓撲中運行評估板，不需要額外的電容器
- 在板上為每個C3M? 碳化硅MOSFET都提供了2個專用柵極驅動
- 在測試硬件中包括了采用2個采用TO-247-4封裝的1200V, 75mΩ C3M™碳化硅MOSFET
- 現已可購買
CRD-06600DD065N - 6.6 kW高頻率DC-DC轉換器
- 展示科銳650 V, 60 mΩ (C3M™) 碳化硅MOSFETs在6.6 kW高頻率DC-DC轉換器中的使用，針對高功率密度應用
- Demo板由包括初級端基于全橋級和次極端基于異步整流級的DC-DC LLC拓撲構成
- 采用高頻率工作，使得demo板可以更小、更輕和總體更高性價比
- 科銳6.6 kW高頻率demo板可以承受輸入380V DC - 420V DC，并提供輸出400V DC，實現> 96%效率
- 這一demo板的主要目標應用包括：工業電源和電動汽車充電機
- 文件包括BOM物料清單、簡略圖、電路板設計和應用指南
CRD-02AD065N - 2.2 kW高效率(80+ Titanium) 無橋式圖騰柱PFC的碳化硅 MOSFET
- 基于科銳最新(C3M™) 650 V 60 mΩ 碳化硅MOSFET的高效率和低成本2.2 kW無橋式圖騰柱PFC拓撲解決方案
- 在所有負載條件下，可輕松滿足Titanium標準，實現> 98.5%效率和總諧波失真THD < 4%
- 基于現有傳感方案的創新型電阻器
- 在所有負載條件下，過零檢測無失真電感電流
- 采用通用型二極管代替低頻率開關，降低BOM物料成本
- 這一demo板的主要目標應用包括：服務器、通訊和工業電源供應單元（PSU）
- 文件包括BOM物料清單、簡略圖、電路板設計和應用指南
了解科銳新型650V碳化硅MOSFET更多信息，敬請關注并報名注冊4月24日周五上午09:30 CSC化合物半導體在線研討會。點擊下方圖片傳送門，或掃描二維碼：
