“新基建”是近期熱詞之一。國家發改委近日首次明確新型基礎設施的范圍——新型基礎設施是以新發展理念為引領，以技術創新為驅動，以信息網絡為基礎，面向高質量發展需要，提供數字轉型、智能升級、融合創新等服務的基礎設施體系。

　　“在以5G、物聯網、工業互聯網等為代表的‘新基建’主要領域中，第三代半導體均可發揮重要作用。” 北京大學寬禁帶半導體研究中心沈波教授介紹道,第三代半導體即寬禁帶半導體，以碳化硅和氮化鎵為代表，具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優越性能，是支撐新一代移動通信、新能源汽車、高速軌道列車、能源互聯網等產業自主創新發展和轉型升級的重點核心材料和電子元器件。

　　沈波解釋說，相比于目前在功率半導體領域依然占主流地位的傳統硅基器件，第三代半導體功率電子器件可使電子和電器設備進一步高效化、小型化、智能化。例如，耐高壓、大電流、低損耗的碳化硅基功率電子器件及模塊，可大規模應用于智能電網、高速軌道交通、新能源汽車等領域；高效率、小體積、中低壓的氮化鎵基功率電子器件及模塊，則可大規模應用于新一代通用電源，如大數據中心、移動通信基站、物聯網終端設備的電源，以及手機、筆記本電腦的電源適配器、無線快充電源等領域，具有巨大技術優勢和市場空間。

　　其中，第三代半導體射頻電子器件在民用和軍用領域都已實現規模化應用。尤其是，由于具備高頻、高功率、大帶寬的性能優勢，氮化鎵射頻電子器件和模塊在5G移動通信基站建設中發揮著不可替代的作用，我國5G建設提速，將觸發對氮化鎵射頻電子器件需求的快速增長。

　　放眼國際，2019年全球半導體產業整體處于低迷期，但第三代半導體技術、產品、市場、投資均呈現較高增長態勢，龍頭企業紛紛加強在第三代半導體領域的布局，通過調整業務領域，擴大產能供給，整合并購，增強競爭能力。相比之下，我國第三代半導體功率電子和射頻電子產業處于起步階段，已初步形成從材料、器件到應用的全產業鏈，但整體技術水平還落后世界頂尖水平3—5年，亟須突破材料、器件、封裝及應用等環節的核心關鍵技術和可靠性、一致性等工程化應用問題。

　　“‘新基建’提速為我國第三代半導體產業發展提供了寶貴機遇，國內市場對第三代半導體材料和器件的需求快速提升，終端應用企業也在調整供應鏈，扶持國內企業，此前難以進入供應鏈的產業鏈上中游產品將獲得下游用戶驗證機會，進入多個關鍵廠商供應鏈。”第三代半導體產業技術發展戰略聯盟秘書長于坤山說。

　　近日發布的《第三代半導體產業技術發展報告（2019年）》預測，2024年我國第三代半導體電力電子器件應用市場規模將近200億元，未來5年復合增長率超過40%。

　　面對難得機遇，于坤山建議，我國第三代半導體產業更應腳踏實地，行穩致遠。“過去幾年政策資源大量傾斜，多地將第三代半導體列為重點支持產業，多措并舉招攬項目，也造成了一些低水平的重復。鑒于此，各地在大力支持產業發展的同時，還需關注協調、錯位發展，做好項目甄別，結合地方已有產業、人才和資源優勢，考慮財政承載力和政策成本收益率，因地制宜配套政策。”

　　此外，第三代半導體產業近兩年市場高速增長主要得益于國家對半導體產業自主化的大力提倡所獲得的資本進入，以及碳化硅、氮化鎵器件在新能源汽車、5G、數據中心等領域的新應用，但當前經濟下行導致消費電子、汽車乃至工業電機等各類產品市場下滑，出口受阻，下游需求萎縮，“行業應苦練內功，不斷提升產品性能和競爭力，深挖創新性應用，在拓展增量市場的同時不斷擴展在存量市場的滲透率，促進第三代半導體產業良性、可持續發展，同時還要面對‘為搶占先機超前投入，但市場的啟動往往低于預期’這一矛盾，把握好產業發展的節奏。”于坤山強調。