當前，新型冠狀病毒仍在持續(xù)，對產(chǎn)業(yè)及企業(yè)造成了一定程度的影響，也牽動著各行各業(yè)人們的心。在此形勢下，中國半導體照明網(wǎng)、極智頭條，在國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導下，開啟疫情期間知識分享，幫助企業(yè)解答疑惑。助力我們LED照明企業(yè)和產(chǎn)業(yè)共克時艱。
本期，極智課堂邀請到杭州遠方光電信息股份有限公司光電科學研究院研究員、宋立博士帶來了題為“Mini-LED與Micro-LED相關(guān)檢測技術(shù)最新進展”的精彩主題分享。
Mini LED及Micro-LED芯片的發(fā)展及應用
從傳統(tǒng)LED、小間距LED到Mini LED、Micro LED等，LED芯片的發(fā)展速度非常快，對于Mini LED、Micro LED的定義，業(yè)界多有討論，目前較多的是根據(jù)尺寸進行定義。報告針對Mini LED、Micro LED在顯示領(lǐng)域的應用特性進行了分析，并與現(xiàn)有的顯示技術(shù)進行了對比。
Mini LED及Micro-LED芯片的測量
現(xiàn)行相關(guān)測量標準有：SJ/T 11399-2009 《半導體發(fā)光二極管芯片測試方法》，SJ/T 11394-2009 《半導體發(fā)光二極管測試方法》，GB/T 36613-2018《發(fā)光二極管芯片點測方法》，CIE 235:2019，CIE 238:2020，CIE 127-2007等，暫無專門針對Mini-LED與Micro-LED測量標準出臺。
對于相關(guān)測量指標，報告詳細分享了光學特性、光強及光強分布測量、光通量測量、光譜特性測量、芯片表面亮度分布測量等的最新進展與面臨的挑戰(zhàn)。
報告指出，由于Mini LED、Micro LED的發(fā)光強度非常低，對于測量設備的光學設計及探測靈敏度都是挑戰(zhàn)，需要經(jīng)過特殊設計。此外對于點亮所需的電源精度要求也較高。傳統(tǒng)的LED測量系統(tǒng)無法實際應用到Micro LED的光電性能檢測。對此，報告介紹極低電流下外量子效率的測量相應的解決方案：需要使用高穩(wěn)定性的納安源點亮LED芯片，并使用高靈敏度光譜儀配合特制的積分球系統(tǒng)實現(xiàn)測量。
針對輻射通量測量，2020年3月，CIE 239:2020《Goniospectroradiometry of optical Radiation Sources》正式發(fā)布。該標準技術(shù)報告是由潘建根教授級高工為主席的技術(shù)委員會CIE TC 2-74起草，是首個由中國大陸專家主持的CIE出版物。該技術(shù)報告凝聚了來自世界各地的光輻射測量專家在光輻射源空間光譜輻射度學領(lǐng)域的最新成果和共識。
CIE 239:2020 主要涉及光輻射源在200 nm-2500 nm光譜范圍內(nèi)光輻射的全空間分布測量技術(shù)原理，主要涉及的的參數(shù)有：總輻射通量、總光通量、區(qū)域輻射通量、區(qū)域光通量、平均色坐標、空間顏色均勻性等。
Mini LED及Micro-LED顯示屏的測量
LED顯示性能評價的相關(guān)標準方面，SJ/T 11281-2017和SJ/T 11141-2017：業(yè)內(nèi)對其進行了修訂發(fā)布，但仍無法滿足Mini-LED Micro-LED顯示的評價需求；SJ/T 11590-2016：補充了運動圖像清晰度、頻閃等的目視觀察法，易受主觀因素影響。報告指出，當前很有必要Mini-LED和Micro-LED顯示屏的性能評價指標及其量化測量方法進行分析探討。
報告詳細介紹了顏色性能的測量和評價、LED顯示屏均勻性的評價、灰階的評價與測量、頻閃特性的測量評價、其它瞬時特性及其測量方案、LED顯示屏的其它關(guān)鍵性能、視角及視角不均勻性、環(huán)境光特性等測量方法。并介紹了為滿足Mini-LED、Micro-LED顯示測量需求，相關(guān)測量設備所應關(guān)注的指標。
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