據報道，美國科研人員研發(fā)出了一款名為“諧振隧穿二極管”的新型氮化鎵基電子器件，其應用于5G技術峰值速率超越了預期。研究人員表示：“氮化鎵基‘諧振隧穿二極管’比傳統(tǒng)材料‘諧振隧穿二極管’的頻率和輸出功率都高，其速率快慢的關鍵在于采用了氮化鎵材料。”該氮化鎵基“諧振隧穿二極管”打破了傳統(tǒng)器件的電流輸出與開關速率的紀錄，能使應用程序（包括通信、聯(lián)網與遙感）獲取毫米波范圍內的電磁波以及太赫茲頻率。

華創(chuàng)證券指出，作為第三代半導體材料，氮化鎵憑借其本身高頻低阻、高導熱、耐高溫、小體積等特點，在無線通信、汽車電子、電網、高鐵、衛(wèi)星通信、　　軍工雷達、航空航天等領域應用中具備硅基無法比擬的優(yōu)勢。隨著成本的降低，預計在氮化鎵應用上有望獲得重大突破，氮化鎵有望逐步實現(xiàn)大規(guī)模產業(yè)化應用。氮化鎵半導體器件相關公司主要有亞光科技、海特高新、臺基股份、乾照光電等。