近年來，國家出臺了一系列政策措施支持和推動半導體產業發展，取得了較為突出的成效，已基本完成了產業鏈的布局，且在功率半導體領域呈現多點開花的良好形勢。

但提案注意到，當前從全球功率半導體市場看，一方面傳統的硅材料功率半導體仍然有巨大的發展空間，有研 究顯示全球市場的碳化硅及氮化鎵等新材料功率半導體芯片市場應用量是約3億多美金，硅材料功率半導體芯片市場應用量超過200億美金。

國際市場的 IGBT 芯片主流是硅材料5代、6代及7代產品，國際功率半導體行業認為，硅材料功率半導體材料已經有30多年的大規模市場應用驗證，穩定可靠，價格低，尚有技術發展空間等特點，在未來至少7至8年左右仍是市場應用主流。

另一方面以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體材料正蓬勃發展，而我國碳化硅、氮化鎵功率半導體器件研發起步晚，在技術上仍有很大差距。可喜的是，在國家多項科研計劃的扶持下，這方面已經大幅縮小了與國際的技術差距，并取得了不少成就。

根據提案，隨著工業、汽車、無線通訊和消費電子等領域新應用的不斷涌現以及節能減排需求日益迫切，我國功率半導體有龐大的市場需求，容易催生新產業新技術，在國家政策利好下，功率半導體將成為“中國芯”的最好突破口。為此，建議：

一、進一步完善功率半導體產業發展政策，大力扶持硅材料功率半導體芯片技術攻關，立項支持硅材料功率半導體材料、芯片、器件等設計和制造工藝流程技術。經過多年布局和發展，我國在硅材料 IGBT芯片技術方面有一定的技術基礎和沉淀，可以將集中突破硅材料6代功率芯片產品設計及批量制造工藝技 術作為發展重點，采取先易后難、解決“有無”問題的發展策略，盡快實現功率半導體芯片自主供給。

二、加大新材料科技攻關。大數據傳輸、云計算、AI 技術、物聯網，包括下一步的能源傳輸，對網絡傳輸速度及容量提出了越來越高的要求，大功率芯片的市場需求非常大。從產業發展趨勢看，碳化硅、氮化鎵等新材料應用于功率半導體優勢明顯，是下一代功率半導體的核心技術方向。

目前碳化硅、氮化鎵市場處于起步階段，國內廠商與海外傳統巨頭之間差距較小，國內企業有望在本土市場應用中實現彎道超車。

一是要把功率半導體新材料研發列入國家計劃，全面部署，竭力搶占戰略制高點。

二是引導企業積極滿足未來的應用需求，進行前瞻性布局。推動功率半導體龍頭企業著力攻克一批產業發展關鍵技術、應用技術難題，在國際競爭中搶占先機。

三是要避免對新概念的過熱炒作。新材料從發現潛力到產業化，需要建立起高效的產學研體系，打造更加開放包容的投資環境。

三、謹慎支持收購國外功率半導體企業。通過收購很難實現完全學會和掌握國際先進的功率半導體芯 片設計及制造工藝技術，同時海外工廠制造的產品仍然存在著無法出口到中國的危險。