據了解,乾照光電近16億元的VCSEL、高端LED芯片等半導體研發生產項目已經正式開工,6月12日,乾照光電在廈門翔安區舉行了項目開工奠基儀式。
此前公告顯示,乾照光電于2018年11月宣布擬出資15.97億元建設VCSEL、高端LED芯片等半導體研發生產項目,由公司全資子公司廈門乾照半導體科技有限公司負責承辦。
項目投產后,預測達產后年銷售收入96,628.29 萬元,達產年利潤總額23,690.91萬元,達產年投資利潤率17.71%,投資利稅率18.63%,全部投資所得稅后財務內部收益率為21.72%;投資回收期6.01年。
乾照光電表示,砷化鎵/氮化鎵半導體器件主要依附于MOCVD進行外延生產,技術含量高;在軍用和民用無線通訊等領域需求旺盛,而相關國內廠商稀缺,國家正大力支持該行業的迅速發展。
用砷化鎵制作的器件,具有高頻、高速和光電性能,主要用于通信產業。而第三代的材料氮化鎵屬于寬禁帶半導體材料,以其寬禁帶、高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移率、化學性能穩定等性質和強的抗輻照能力,在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。
圖片來源:拍信網正版圖庫
據LEDinside了解,現階段,乾照光電主要有全色系LED外延片及芯片和三結砷化鎵太陽能電池外延片及芯片兩大類產品。
2019年,乾照光電在高端化合物半導體領域通過投資、孵化、內部研發等多種方式并舉,積極拓展激光芯片、VCSEL芯片、光通訊芯片等半導體產業機會。現VCSEL芯片產品已經實現小批量出貨,有望搶占3D感測的先機。此前乾照光電透露,公司目前的VCSEL芯片產品主要是根據客戶需求,按訂單生產,正在小批量出貨,已具備大規模量產和出貨相關產品的能力。
在紅黃光LED外延片及芯片領域,乾照光電現有MOCVD共42個腔;在藍綠光LED外延片及芯片領域,公司擁有MOCVD共155個腔(折K465I機型)。目前均已導入4寸片生產工藝,產能在原有基礎上有所提升,且外延片良率均不低于98%。
MiniLED部分,乾照光電在紅光MiniLED的良率和可靠性上投入了大量研發,目前MiniLED已實現規模化量產,與各大終端客戶都在密切配合互動中。并且,公司MiniLED產品已承接訂單,預計下半年需求量將有增長,目前相關產品備貨充足。
至于Micro LED領域,乾照光電主要配合終端顯示客戶進行量產方案開發,開發了尺寸20μm~30μm的芯片并可實現小批量生產,工藝優化與性能提升持續推進中。
未來,乾照光電將在鞏固紅黃光領域市場地位的同時,不斷提升藍綠光領域的核心競爭力。聚焦Mini/Micro LED顯示技術和紅外、植物照明等細分市場,并將積極跨入二三代半導體領域。