「先進光電技術·智能綠色制造」第十六屆全國MOCVD學術會議安徽屯溪盛大召開

發布日期：2020-08-06 來源：中國半導體照明網瀏覽次數：956

三十二年的傳承與積淀，兩年一次的相聚與暢談。8月5日，以“先進光電技術·智能綠色制造”為主題的第十六屆全國MOCVD學術會議在安徽屯溪盛大開幕。

中國科學院院士、南京大學鄭有炓教授，中國科學院院士、西安電子科技大學郝躍教授，中國科學院院士、南昌大學副校長江風益教授，廈門大學校長張榮教授，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、國家半導體照明工程研發及產業聯盟理事長吳玲，中國科學院半導體研究所李晉閩研究員，中國科學院半導體研究所陳弘達研究員，南京大學電子科學與工程學院院長金飚兵教授，中國有色金屬學會理事長賈明星，北京大學理學部副主任沈波教授，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所楊輝研究員，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所副所長徐科研究員，中科院長春光機所黎大兵研究員，山東大學徐現剛教授，廈門大學康俊勇教授，中科院上海技物所王建祿研究員，中國科學技術大學微電子學院執行院長龍世兵教授，南京大學電子科學與工程學院副院長劉斌教授，安徽大學電子信息工程學院院長黃志祥教授，長治高新區管委會副主任賈曉偉，三安光電股份有限公司總經理林科闖等一大批業界資深專家、教授和優秀中青年學者出席本次會議。來自MOCVD技術領域國內外頂級專家、機構嘉賓、學者、企業家代表500余人參與本次學術盛會。大會開幕式由廈門大學校長張榮主持。

“一代材料，一代器件，一代工藝，一代裝備”。裝備強則國強。當前階段,高端裝備與核心裝置是“大國重器”,是我國成為制造強國的基礎。高端科技就是現代的國之利器。MOCVD是LED生產過程中的核心裝備，是決定LED產業發展技術水平的關鍵因素。由于技術含量高，MOCVD設備站在了LED行業價值鏈的頂端，MOCVD設備是專利技術密集型產業，而其核心技術大多掌握在少數企業手中。國產半導體設備廠商近年來不斷加大自主研發力度，半導體設備國產化比重逐步提升，一些行業龍頭企業也正迎來發展拐點。特別是近年來國產化的大力推進，國產MOCVD設備開始贏得了國內LED芯片廠商的認可。

中國是當前全球最大的集成電路消費國，半導體設備與材料多年來一直被視為中國集成電路產業自主發展的一大瓶頸和短板。隨著國內新一輪集成電路投資擴產熱潮的興起，半導體設備需求也水漲船高。MOCVD作為半導體產業最為核心的重大裝備之一，其技術進步與裝備智能化、國產化成為產業界共同關注的話題。

本屆會議由國家科學技術部指導，安徽省教育廳、安徽省科學技術廳、江蘇省科學技術廳支持，中國有色金屬學會、南京大學、廈門大學、中國科學技術大學、國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)聯合主辦，江蘇省光電信息功能材料重點實驗室、江蘇省2011"固態照明與節能電子學"協同創新中心、教育部光電材料與芯片技術工程中心、半導體照明聯合創新國家重點實驗室、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦，安徽大學、黃山學院信息工程學院、西安電子科技大學蕪湖研究院全力協辦。

其中，中微公司、亞格盛、中科潞安、AIXTRON、Crosslight、德智新材、南京集芯光電、博藍特、西安電子科技大學蕪湖研究院、Mbraun、華邦化學、Horiba 堀場、先普、翱晶半導體、納維科技、MalvernPanalytical、志橙半導體、隆興達科技、邁塔光電、尚勤光電、普發真空、德儀、德國WITec、奧趨光電、中晟光電、元旭光電、正通遠恒、晶湛半導體、頤光科技、桂林雷光、米格實驗室、芯鵬致力等來自國內外的半導體關鍵設備、襯底材料、外延芯片、測量、檢測、石墨、Mo源以及高純氣體等材料國內外知名廠商參加此次會議，助力MOCVD關鍵設備及技術產學研用合作，加速先進光電技術與智能綠色制造國產化進程。會議圍繞“先進光電技術·智能綠色制造”這一主題開展廣泛交流，了解發展動態，促進相互合作。

南京大學教授、中國科學院院士鄭有炓，中國有色金屬學會理事長賈明星，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、國家半導體照明工程研發及產業聯盟理事長吳玲，三安光電股份有限公司總經理林科闖先后為大會致開幕詞。

鄭有炓院士致辭時表示，本次會議具有里程碑式意義，而且會議涌現了很多新面孔，產業發展不斷進步。當前5G技術驅動牽引，第三代半導體的發展迅速，鄭院士分享了當前5G信息時代的技術產業變化與形勢以及可能的業態變化。

他表示，5G信息技術時代第三代半導體迎來新發展機遇，其中新型基礎設施建設背景下車聯網、工聯網、智能制造、軌道交通等正在跨界融合，5G網絡、大數據、云計算、物聯網、人工智能、數據中心，無線基站等發展迅速，而寬禁帶半導體技術與第一二代半導體優勢互補，協同支撐，射頻芯片、功率芯片、傳感芯片、發光芯片等快速發展，MOCVD產業面臨新機遇、新挑戰、新發展。第三代半導體也成為支撐5G信息化發展，可持續發展一個新的起點，發展前景明朗。

中國有色金屬學會理事長賈明星致辭時表示，MOCVD技術是半導體物理等學科交叉的新型科學技術，目前已在各類重要的化合物半導體材料及其器件制備上得到了廣泛應用，極大推動了各類光電子和微電子器件的發展和產業化。但也要看到我國高性能半導體材料的制備技術仍然處于跟跑階段，盡快突破半導體材料及器件制備的關鍵技術是從事半導體產業廣大科技工作者的光榮使命和歷史責任。此次會議如期召開，相信對我國MOCVD及第三代半導體的學術研究與產業發展將會起到有利的推動作用。

第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、國家半導體照明工程研發及產業聯盟理事長吳玲為大會致辭，她表示，從第三代半導體的發展來看，到了一個重要的機遇期，希望能在不遠的將來產業全創新鏈進入世界先進行列。我們仍然面臨很大的挑戰，其中人才是非常重要的因素，急需產業技術人才，人才培養要放到第一位，也還有很長的路要走。我國產業創新體系完整，產業鏈已經啟動，但是產業鏈條是否通暢，產業協同發展是否科學，還有很多問題要解決。她還表示，從國家層面來看，即將開啟的“十四五”，半導體材料將是一個重要方向，也將考慮推出示范工程。思考如何通過應用加快迭代研發，凝練出關鍵共性技術，推動產業健康可持續發展，非常重要。希望通過這次會議，大家能充分交流，在業界的共同努力下，迎接新的發展機遇。

第三代半導體材料的發展與產業一直緊密的聯系在一起，三安光電總經理林科闖致辭時表示，MOCVD技術非常重要，從三安光電的角度希望可以在化合物半導體領域做大做強，所以非常關注MOCVD的應用領域。經過多年努力，從深紫外到遠紅外，在LED、射頻等領域，三安光電都投入巨大。時代給了業界機遇，也帶來了挑戰，在寬禁帶半導體的發展過程中，企業還是要沖在前面。同時，產業發展也需要材料和技術的支撐，希望國產MOCVD可以不斷升級，更好的應用。

隨后的主題報告環節，中國科學院院士鄭有炓與北京大學教授沈波共同主持。中國科學院院士、西安電子科技大學郝躍教授帶來了“從半導體科技談創新體系建設”的主題報告；中國科學院院士、南昌大學副校長江風益教授分享了“純LED照明進展”；中國科學院半導體照明研發中心、半導體照明聯合創新國家重點實驗室主任李晉閩研究員帶來了“疫情下的半導體深紫外LED技術與發展趨勢”的主題報告；廈門大學校長張榮教授介紹了超寬禁帶半導體氧化鎵的外延生長。幾大精彩主題報告，從技術、產業，趨勢的角度，廣度與深度結合，高屋建瓴，酣暢淋漓，帶來一場知識與認知的激蕩。

后疫情時代凸顯半導體科技戰略地位，芯片將是相當長一段時間內大國博弈的最前沿。芯片“卡脖子”問題成為長時期的重大挑戰。郝躍院士在報告中詳細分享了當前半導體芯片技術的博弈現狀，以及中美半導體之間的發展態勢。同時分享了半導體芯片在射頻、半導體照明、通信等領域的應用狀況。并重點分享了電子器件的重要進展，包括GaN肖特基二極管，GaN低壓射頻HEMT器件，GaN毫米波超高頻HEMT器件，GaN圓片級異質集成技術的進展。

他表示，未來我們要建立自己的創新體系，比如堅持以科技促產品，以產品促創新能力，堅持需求牽引、市場與科技創新雙驅動，堅持產學研合作共贏，堅持國際化開放，體系化布局。強化創新文化、研發投入、有序競爭、機制體制等。

當前市場主流是熒光型LED照明技術，藍光LED激發稀土熒光粉，可以解決傳統光源效率低下的問題，為節能減排做出了重要貢獻，但也存在著光效與色溫難以兼顧，存在富藍光風險，光譜固定不可調等問題。正在發展中的純LED照明技術由多色LED混合獲得白光，僅有電致發光過程，純粹的LED照明技術擁有兼顧光效、顯指和色溫，藍光可控/實現健康照明，光譜可調/實現智慧照明等諸多優點。
江風益院士在報告中表示發展純LED照明技術是提高光品質，實現按需照明，節能稀土資源，實現高速可見光通信的需要。他從材料、光效技術、MOCVD裝備，應用案例等多個維度分享了當前純LED照明技術和應用進展。他認為純LED照明技術已達到實用水平，市場推廣表明，目前水平在超低色溫照明市場有競爭力。純LED照明技術仍有很大發展空間，關鍵在于全方位、大幅度提升各種顏色LED，特別是黃、綠光LED的光效。硅基氮化物材料質量取得新進展，為發展UVC和Micro LED提供了技術基礎。

今年突如其來的新冠肺炎疫情席卷全球，給各國造成嚴重的生命財產損失，防范化解重大疫情和突發公共衛生風險的重要性不言而喻。在疫情防控戰中，深紫外LED備受關注。李晉閩研究員在報告中全面分享了深紫外LED與疫情防控的狀況，以及從材料到裝備深紫外LED技術最新進展、挑戰與發展建議。

他表示氮化物深紫外LED作為下一代紫外光源，具有廣闊的應用前景。紫外LED應用市場正面臨快速增長的良好機遇，及早部署，把握先機，方可有望成為未來的市場領導者。深紫外LED產業面臨著從裝備、外延、芯片到封裝中的一系列技術挑戰，尤其以裝備和外延最為核心，開發出高性能深紫外MOCVD裝備是突破深紫外LED產業瓶頸的關鍵。

寬禁帶半導體材料具有耐壓、低損耗、高頻率、耐熱、高穩定性等特點，氧化鎵作為新興超寬禁帶半導體，具有禁帶寬度大、擊穿場強高、抗輻射損傷、生長成本低等優點，是超高壓功率器件和深紫外光電子器件的優選材料。廈門大學校長張榮教授在報告中，從材料外延技術、應用需求等多個角度，前沿與應用結合，詳細分享了當前氧化鎵國內外最新進展。