科技強國，第三代半導體材料成為中國高科技產業的重要關注點，在國家政策的扶持和新基建引領下，第三代半導體產業也將成為未來半導體產業發展的重要引擎。
2020年11月23-25日，第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）將在深圳會展中心舉行。本屆論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦。南方科技大學與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦。
碳化硅、氮化鎵是重要的第三代半導體材料。在大功率高頻器件中具有重要的應用，其材料水平直接決定了器件的性能。作為論壇的重要組成部分，本屆“襯底、外延及生長裝備”分會主題涵蓋碳化硅和GaN生長材料、襯底、同（異）質外延薄膜、測試表征和相關的設備，將特別邀請國內外知名專家參加，對SiC和GaN從機理到工業化進程進行系統的探討。
其中，北京大學物理學院教授, 理學部副主任沈波，山東大學教授，晶體材料國家重點實驗室副主任徐現剛領銜擔任本屆分會主席，中國科學院蘇州納米所研究員徐科、中科院長春光機所研究員黎大兵、河北工業大學教授畢文剛、中電科裝備集團有限公司首席技術官王志越、中微公司副總裁杜志游，北方華創科技集團股份有限公司副總裁、首席科學家吳軍，江蘇南大光電材料股份有限公司技術總監楊敏等來自產業鏈不同環節的中堅力量共同擔任分會委員，提供堅實的支持。來自國內外高校、科研院所、企業的精英代表將帶來精彩報告，分享前沿研究成果。
期間，日本名古屋大學教授宇治原徹將帶來關于CFD模擬預測系統在SiC生長中應用的精彩報告。澳大利亞格里菲斯大學昆士蘭微納米技術中心研究員Jisheng HAN將分享關于SiO2/SiC界面的物理機制的研究成果。沙特阿拉伯阿卜杜拉國王科技大學副教授Iman S. ROQAN將做關于原位無位錯多晶GaN層在寬范圍襯底上生長高效率的無催化劑GaN納米線的分享。中微半導體設備（上海）股份有限公司副總裁兼MOCVD產品事業部總經理郭世平將分享AMEC用于綠色和藍色微型LED的MOCVD開發新進展。蘇州納米技術與納米仿生研究所副研究員張璇帶來關于二次注入和活化退火提高室溫鋁注入劑量的報告。深圳大學材料學院研究員劉新科將帶來“大面積MoS2-on-GaN范德華異質結的光子器件應用”的報告。江蘇南大光電材料股份有限公司研發總監楊敏分享“新材料研發助力中國第三代半導體”的報告。北京大學物理學院高級工程師楊學林將分享“硅基氮化鎵厚膜外延技術及碳雜質相關缺陷物理研究”。山東大學副教授、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司研發中心主任彭燕將做“SiC單晶材料及產業化進展”的主題報告。
本屆論壇緊扣國家“新基建”、“十四五”等前瞻利好政策，以“把握芯機遇·助力新基建”為主題，屆時兩場國際性盛會同臺亮相，先進技術熱點高度聚焦，政產學研用行業領袖齊聚，共商未來產業發展大計。
11月，深圳見！
會議具體信息如下：
時間：2020年11月25日上午08:30 -12:00
地點：深圳會展中心 五層玫瑰廳2
更多大會詳細設置與內容請參加大會官網：http://www.sslchina.org/
部分嘉賓
沈波 北京大學理學部副主任、教授
1985年7月畢業于南京大學物理系半導體專業，獲學士學位；1988年7月畢業于中國科技大學物理系半導體專業，獲碩士學位；1995年3月畢業于日本東北大學材料科學研究所 (IMR)，獲博士學位；2000年晉升教授；2003年獲國家杰出青年科學基金；曾任日本東京大學產業技術研究所 (IIS) 客座研究員、東京大學先端科技研究中心(RCAST) 客座教授、 日本千葉大學電子學與光子學研究中心客座教授、日本產業技術綜合研究所(AIST)訪問教授 。
1995年迄今一直從事III族氮化物 (又稱GaN基) 寬禁帶半導體材料、物理和器件研究，在GaN基異質結構MOCVD外延生長，強極化、高能帶階躍氮化物半導體載流子輸運性質，GaN基功率電子器件研制等方面取得在國內外同行中有一定影響的重要進展；近年來帶領其課題組在AlInN/GaN晶格匹配異質結構和Si襯底GaN基異質結構MOCVD外延生長，AlGaN基深紫外發光材料與器件，InGaN基材料MBE外延生長和p型摻雜、GaN基異質結構二維電子氣自旋性質等方面取得了一系列進展。先后主持和作為核心成員參加國家973計劃項目，國家863計劃項目，國家自然科學基金重大、重點項目，教育部、北京市重點項目，以及軍口項目等20多項科研課題，發表SCI收錄論文200多篇，論文被引用2200多次，先后在國內外學術會議上做邀請報告20多次，獲得/申請國家發明專利近30件，先后獲國家自然科學二等獎、江蘇省科技進步一等獎和教育部科技進步一等獎。多次擔任國際學術會議顧問委員會、程序委員會、組織委員會主席和委員，是國內多個國家重點實驗室、科學院重點實驗室和國防重點實驗室學術委員會委員。現擔任北京大學理學部副主任、國家973計劃項目首席科學家、國家863計劃“第三代半導體”重點專項總體專家組組長、國家“戰略性先進電子材料”重點專項實施方案編制專家組和總體專家組成員、以及多個國家重點研發專項項目咨詢專家組組長和委員。
徐現剛 山東大學教授，晶體材料國家重點實驗室副主任
1992年獲得山東大學凝聚態物理博士學位，師從于蔣民華院士。2000年留美回國-至今，獲教育部特聘教授，2000年度國家杰出青年科學基金獲得者，973首席科學家，主要從事半導體材料制備及其應用研究的工作。 自1989年至今一直從事MOCVD化合物半導體薄膜材料的生長及器件應用工作，制備出多種量子異質結構材料，應用到多種半導體器件如：半導體激光器、發光二極管等。積極響應國家號召，踐行產學研結合，把科技創新的成果產業化；自2000年開始SiC單晶生長和加工工作，先后突破了2~6英寸SiC單晶的生長與襯底加工技術，解決了超硬SiC單晶襯底的加工難題，制備出基于SiC襯底的GaN超高亮度發光二極管。先后承擔了多項863、973、國家重大專項等課題。 獲得多項表彰和獎勵，如1995年洪堡學者， 1999年在美國獲得由IEEE頒發的Best Paper Award，2000年獲得“國家杰出青年基金”，2003年“山東省科技進步一等獎”、“山東省留學回國創業獎”，2005年獲“山東省十大杰出青年”，2007年獲“政府特殊津貼獎”，2013年獲得“山東省技術發明一等獎”等。至今已發表超過150篇相關論文及會議報告。
宇治原徹 日本名古屋大學教授
宇治原教授1993年本科畢業于京都大學的工學院，并于2000年取得京都大學工程學博士學位。1999年至2004年，他在日本東北大學材料研究中心任職助理教授。2004年他加入名古屋大學，在研究生工程院任副教授。目前他是名古屋大學未來電氣可持續材料及系統研究所教授。
宇治原教授現在的專業領域包括晶體生長、溶液生長、汽相生長、碳化硅、功率器件、太陽能電池、半導體光電、旋轉觀察、生物設備、半導體質膜混合器件和脂質二重層。研究領域包括應用材料科學、晶體工程、電子材料、電氣材料和金屬的物理性質。
Jisheng HAN 澳大利亞格里菲斯大學昆士蘭微納米技術中心研究員
于1984 年和1989 年在中國山東大學取得固體物理專業學士和碩士學位，1999 年在澳大利亞南澳大學取得材料學博士學位。
1984 年至1995 年期間在山東大學任教，1995-1996 年在澳大利亞University of New South Wales 材料科學與工程系擔任Research Fellow，1999-2020年在澳大利亞Queensland Microtechnology Facility 擔任Research Fellow, Senior Research Fellow and Principle Research fellow, 此外，2006 年開始Jisheng Han還主持了QsSemiconductor (Australia) Pty Ltd 公司工藝研發工作。
Jisheng Han在材料科學、傳感器研究和半導體等方面具有二十多年的豐富經驗，擔任10多家國際期刊的評論員包括Science Report, IEEE Transaction on Electron Devices, Electron Devices Letters etc. 2002年，成功制造出SiC MOSFET器件，并研究出基于SiC低成本肖特基二極管。
近年來，在包括IEEE，應用物理期刊等多家期刊出版物發表文章近百篇，出版了多本SiC方面的書籍。培養出數十名博士研究生，并擁有多項中國和美國專利，其在SiC領域的研究獲得了國家基金，風險投資及格里菲斯大學的數百萬澳元資金支持。
Iman S. ROQAN
Iman S. ROQAN
沙特阿拉伯阿卜杜拉國王科技大學副教授
Iman Roqan從沙特阿拉伯Umm-Al-Qura大學的物理系畢業后，從英國圣安德魯斯大學和赫瑞瓦特大學獲得了物理學的光子學和光電子器件碩士學位。然后，她獲得了博士學位。她于2008年獲得英國蘇格蘭斯特拉斯克萊德大學的物理學博士學位。在攻讀博士學位期間，她獲得了多個英國物理研究所（IOP）以及其他一些協會獎項。自2009年以來，她一直是阿卜杜拉國王科技大學（KAUST）創始教授，并且是KAUST半導體和材料光譜學小組的負責人。她曾在倫敦帝國學院（Imperial College London）任教5年，并在斯特拉斯克萊德大學（University of Strathclyde）任教2年。
Roqan教授是沙特阿拉伯第一位在沙特阿拉伯建立國際實驗室的沙特阿拉伯，他致力于獨特的高度復雜的超快光譜系統。此外，她在光電子器件的半導體和材料光譜學方面擁有豐富的經驗。后來，她在寬帶隙半導體的增長和器件制造方面進行了研究。她在沙特阿拉伯以及美國，英國，歐洲，中國和日本的國際機構和公司內部發起了許多成功的合作。她在物質-光相互作用的超快激光器方面的知識和經驗使她能夠探索新方法來生長高質量半導體納米結構，例如GaN和ZnO納米線以及用于光電應用的納米管。
Roqan教授已在高影響力的同行評審期刊上發表了100多篇論文，并擁有11項美國專利。她被邀請參加許多國際會議以及在歐洲組織會議。她是中東和KAUST唯一獲得美國物理學會和美國物理學教師協會極負盛名的教學獎的人，該獎旨在通過教學提高對物理學的理解和欣賞。她接受培訓的所有中學生都參加了每年在美國舉行的ISEF和SWEEEP等國際比賽。她的學生是2013年獲得沙特阿拉伯物理學類ISEF獎。Roqan教授是IEEE的高級成員和多個國際協會的成員，如物理研究所民選議員和美國物理學會的成員，以及材料研究學會。
郭世平 中微半導體設備（上海）股份有限公司副總裁兼MOCVD產品事業部總經理
郭世平博士現任中微公司副總裁兼MOCVD產品事業部總經理，主要從事MOCVD設備的開發和管理工作。郭世平博士具有30多年從事化合物半導體材料外延工藝開發、設備研發及營運的經驗，2001年至2006年歷任美國EMCORE公司研究員、資深研究員，2006年至2012年在美國IQE-RF公司歷任資深研究員、氮化鎵部門營運和研發總監，主要從事氮化鎵晶體管和發光材料MOCVD外延生長的研發和營運工作。
他于1991年從中國科學技術大學碩士畢業，1994年在中國科學院上海技術物理研究所博士畢業并留所工作，1995年獲晉升為副研究員，從事紅外探測器MBE外延工藝研究。1996年他赴日本東北大學訪問并從事納米材料研究。1998年至2001年他在美國紐約市立大學從事博士后工作?，F已發表一百多篇論文，并擁有近20項專利，1997年獲上海市科技進步一等獎。
劉新科，深圳大學研究員
新加坡國立大學訪問教授，長期從事寬禁帶氮化鎵以及氮化鎵異質結的半導體器件研究，在Adv. Mater., Adv.Funct.Mater., Adv. Electron. Mater. IEEE EDL, IEEE TED，APL等知名期刊發表第一或通信作者SCI收錄論文80篇，申請專利50項，授權專利9項（含3項PCT和1項美國專利), 科研成果被Semiconductor Today，MaterialsviewChina多次報道，科研成果被Photonic Research 和Advanced Electronic Materials選為封面文章。目前承擔國家科技部重點研發計劃課題和任務各一項、國家自然科學青年和面上科學基金各一項、廣東省科技計劃項目一項、廣東省重點研發計劃課題三項，深圳市基礎研究布局一項、深圳市技術攻關一項等10多項科研項目。
楊學林 北京大學物理學院高級工程師
北京大學物理學院高級工程師，國家優秀青年科學基金獲得者。先后在吉林大學和北京大學獲學士和博士學位，東京大學博士后。近年來在Si襯底上GaN基材料的MOCVD外延生長、C雜質的摻雜調控、缺陷影響電子器件可靠性的機理研究等方面取得了多項進展。迄今在PRL、AFM、APL等期刊上共發表SCI論文70多篇，在本領域國內外學術會議上做邀請報告10多次，申請/授權國家發明專利10多件。
新經濟時代下，機遇與挑戰并存。作為半導體照明及第三代半導體領域有產業發展“風向標”之稱的--第十七屆中國國際半導體照明論壇暨2020國際第三代半導體論壇（SSLCHINA&IFWS 2020）將于2020年11月23日-25日在深圳會展中心盛大舉行。論壇緊扣國家“新基建”、“十四五”等前瞻利好政策，以“把握芯機遇·助力新基建”為主題，論壇程序委員會專家陣容強大，熟知我國發展高科技產業的條件和決心，深諳半導體照明及第三代半導體產業未來發展的問題癥結及解決之道。
參會/商務咨詢：
張 女士
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E: zhangww@china-led.net
賈 先生
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E: jiaxl@china-led.net
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