第三代半導體氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點，在新一代移動通信中應用潛力巨大。這一特定領域的突破標志著寬禁帶半導體產業邁向新的高地。與此同時，5G移動通信發展如火如荼，隨著新基建等利好政策的釋放，產業將迎來新的發展契機，擁有更多的可能性。
2020年11月23-25日，第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）將在深圳會展中心舉行。本屆論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦。南方科技大學與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦。
其中，由中電化合物半導體有限公司協辦的“微波射頻與5G移動通信”分會，主題涵蓋氮化鎵微波器件及其單片集成電路材料外延、建模、設計與制造、可靠性技術及其在移動通信中的應用等各方面。國內外知名專家齊聚，將呈現第三代半導體微波器件及其應用的最新進展。
河北半導體研究所副所長蔡樹軍、蘇州能訊高能半導體有限公司董事長張乃千領銜擔任本屆分會主席，中國電子科技集團公司第五十五研究所首席科學家陳堂勝、中興通訊股份有限公司總工程師劉建利、日本德島大學教授、西安電子科技大學教授敖金平、中科院半導體所研究員張韻、荷蘭Ampleon Netherlands B.V. 可靠性首席工程師陶國橋。等來自產業鏈的中堅力量共同擔任分會委員，提供堅實的支持。來自國內外高校、科研院所、企業的精英代表將帶來精彩報告，分享前沿研究成果。
期間，西安電子科技大學微電子學院副院長、教授馬曉華將帶來高線性氮化鎵微波功率器件研究的主題報告。復旦大學微電子學院研究員黃偉將分享面向5G/衛星通信應用的化合物半導體射頻芯片技術的最新進展。中興通訊高級技術預研工程師蔡小龍將分享針對5G基站氮化鎵射頻HEMT的失效分析研究。中電化合物半導體有限公司研發總監唐軍將分享SiC基GaN射頻材料熱阻的研究進展。荷蘭Ampleon Netherlands B.V. 可靠性首席工程師陶國橋將帶來“從實驗室到晶圓廠：淺述GaN RF功率制造實現卓越的實踐和挑戰”的主題報告。河北半導體研究所高級工程師王毅將分享寬帶高效S波段混合功率放大器的研究成果。南方科技大學深港微電子學院副教授汪青將分享Si基GaN射頻器件的關鍵技術研究進展。西安電子科技大學微電子學院李楊將做”用于無線充電和功率傳輸的基于GaN肖特基勢壘二極管的微波整流器”的報告。
本屆論壇緊扣國家“新基建”、“十四五”等前瞻利好政策，以“把握芯機遇·助力新基建”為主題，屆時兩場國際性盛會同臺亮相，先進技術熱點高度聚焦，政產學研用行業領袖齊聚，共商未來產業發展大計。
11月，深圳見！
會議具體信息如下：
時間：2020年11月25日下午14:00-17:30
地點：深圳會展中心 五層玫瑰廳1
更多大會詳細設置與內容請參加大會官網：
http://www.sslchina.org/
部分嘉賓
分會主席：蔡樹軍 中國電子科技集團公司第十三研究所副所長
主要研究領域為硅，砷化鎵和氮化鎵等新型材料器件和電路。在國內外刊物發表專業文章近百篇。
分會主席： 張乃千 蘇州能訊高能半導體有限公司董事長
2007年回國創辦能訊半導體并任總裁。能訊是中國首家第三代半導體氮化鎵電子器件設計與制造商業企業，自主進行氮化鎵外延生長、晶圓制造、內匹配與封裝等。
馬曉華 西安電子科技大學微電子學院副院長、教授
長期從事寬禁帶半導體高功率微波電子學領域的研究和人才培養，是國內較早開展寬禁帶半導體氮化鎵(GaN)基微波器件和電路的研究者。尤其是在高效率微波功率器件結構創新、工藝優化實現及其在極端環境下的可靠性和穩定性研究中取得了創新性和應用性的成果。先后主持“核高基”科技重大專項、“863計劃”、自然科學基金重點項目等國家級項目20余項。研究成果獲國家科技進步二等獎1項省部級一等獎5項；發表SCI論文120余篇，獲國家發明專利授權80余件。
黃偉 復旦大學微電子學院研究員
長期從事特色工藝、第三代半導體應用研究與實用化技術開發，先后在香港科技大學、CETC從事博士后研究工作。曾在Motorola、CETC旗下的企業從事模擬半導體產品研發與企業孵化、運行管理等相關工作。多次獲得省部級獎項，出版專著一部。先后獲得國家外專局人才引智計劃、江蘇省雙創千人計劃等。
唐軍 中電化合物半導體有限公司研發總監
有近10年從事氮化鎵外延材料技術開發經驗，在氮化鎵基藍綠光LED、UVC、硅襯底及碳化硅襯底氮化鎵外延技術方面積累了豐富的材料生長經驗。發表SCI論文6篇，申請發明專利30余件。
陶國橋 荷蘭Ampleon Netherlands B.V. 可靠性首席工程師
曾就職于飛利浦照明，任首席質量工程師，專注于照明用的LED器件，模塊及系統的可靠性。也曾就職于荷蘭飛利浦半導體/恩智浦半導體，專攻器件物理，工藝開發，及可靠性，特別是在先進的嵌入式Non-Volatile Memory 技術。他是Philips/NXP 2T-FNFN 嵌入式快閃記憶體器件（flash device）的發明人。
汪青 南方科技大學深港微電子學院副教授
先后主持或主研了國家自然科學青年科學基金項目、中國博士后科學基金面上項目、廣東省重大項目以及廣東省計劃項目等八項國家和省部級項目，2015年獲得“東莞市特色人才”支持。 主要研究方向為GaN電力電子器件和射頻器件，綜合設計和制備適用于5G通訊 、電動汽車和智能電網等領域的GaN基器件，發表SCI/EI論文20余篇，受邀撰寫了一本專業英文書籍重要章節，申請了二十余項發明專利，參與撰寫氮化鎵微波射頻技術路線圖（2020版），2019年獲得第三代半導體產業技術創新戰略聯盟年度突出貢獻獎。
