第三代半導(dǎo)體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高等優(yōu)越性質(zhì)。其中氮化物材料是第三代半導(dǎo)體材料中最引人矚目的材料，尤其是GaN（氮化鎵）基光電子器件在白光照明領(lǐng)域非常成功。紫外LED也是目前氮化物技術(shù)發(fā)展和第三代材料技術(shù)發(fā)展的主要趨勢，隨著環(huán)保及公共安全等領(lǐng)域的需求升級，固態(tài)紫外技術(shù)擁有廣闊的應(yīng)用前景。
2020年11月23-25日，第十七屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2020）將在深圳會展中心舉行。本屆論壇由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦。南方科技大學(xué)與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦。
其中，“固態(tài)紫外器件技術(shù)”分會重點兲注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結(jié)構(gòu)設(shè)計及外延，以及發(fā)光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關(guān)鍵制備技術(shù)。分會還將涵蓋紫外器件的先迚封裝材料及技術(shù)，包括光提取、熱管理及器件可靠性的提升方法等，力圖全面呈現(xiàn)第三代半導(dǎo)體紫外發(fā)光和探測領(lǐng)域在材料、器件、封裝及應(yīng)用等各層面的國內(nèi)外最新迚展。
中科院半導(dǎo)體所研究員、半導(dǎo)體照明研發(fā)中心主任王軍喜與廈門大學(xué)教授康俊勇將共同領(lǐng)銜擔(dān)任本屆分會主席。南京大學(xué)教授陸海、臺灣交通大學(xué)特聘教授郭浩中、華中科技大學(xué)教授陳長清、沙特國王科技大學(xué)副教授李曉航等國內(nèi)外專家聯(lián)袂組成分會委員團(tuán)，為分會提供強力支持。來自國內(nèi)外高校、科研院所、企業(yè)的精英代表將帶來精彩報告，分享前沿研究成果。
北京大學(xué)教授、北京大學(xué)東莞光電研究院院長王新強將分享超高功率深紫外線光源在消毒中應(yīng)用的最新進(jìn)展。中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員, 山西中科潞安紫外光電科技有限公司副總經(jīng)理閆建昌將做題為”氮化物深紫外LED研發(fā)方向：從二維材料到納米結(jié)構(gòu)“的主題報告。廈門大學(xué)教授蔡端俊將分享氯離子局域場驅(qū)動的快速除氫p型增強技術(shù)及深紫外LED效率提升的最新研究成果。廈門三安光電股份有限公司副總經(jīng)理GaN事業(yè)部總經(jīng)理張中英將分享AlGaN基深紫外LED器件的最新進(jìn)展。中科院寧波材料所副研究員郭煒將做”鋁鎵氮深紫外量子阱及LED：斜切角襯底及橫向極性疇的影響研究“的主題報告。湖北大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院教授黎明鍇將分享關(guān)于Hf摻雜SnO2實現(xiàn)高性能日盲紫外光探測器的最新研究進(jìn)展。
本屆論壇緊扣國家“新基建”、“十四五”等前瞻利好政策，以“把握芯機遇·助力新基建”為主題，屆時兩場國際性盛會同臺亮相，先進(jìn)技術(shù)熱點高度聚焦，政產(chǎn)學(xué)研用行業(yè)領(lǐng)袖齊聚，共商未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計。
11月，深圳見！
會議具體信息如下：
更多大會詳細(xì)設(shè)置與內(nèi)容請參加大會官網(wǎng)：
http://www.sslchina.org/
部分嘉賓
分會主席：王軍喜 中科院半導(dǎo)體所研究員
中國科學(xué)院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心副主任，中科潞安半導(dǎo)體研究院院長。自2003年至今在中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所工作。從事氮化物材料生長和器件研制工作，熟悉MOCVD 、MBE和HVPE生長設(shè)備和相關(guān)材料分析表征方法。使用國產(chǎn)NH3-MBE生長設(shè)備，獲得了具有當(dāng)時國際水平的高遷移率GaN外延片；做為骨干科研人員，所在小組研制成功了壓電極化效應(yīng)誘導(dǎo)的高質(zhì)量AlGaN/GaN二維電子氣結(jié)構(gòu)材料，并用所研制的材料與信息產(chǎn)業(yè)部第十三研究所合作研制出了我國第一只氮化物高溫HEMT器件；負(fù)責(zé)自主設(shè)計并制備了一臺HVPE厚膜GaN材料生長設(shè)備，獲得了厚膜GaN材料生長速率超過了每小時200μm，晶體質(zhì)量位于國內(nèi)領(lǐng)先水平；在“十一五”期間，負(fù)責(zé)氮化物MOCVD材料生長研究，主要方向為GaN基LED材料生長研究和紫外LED材料生長研究。
分會主席：康俊勇 廈門大學(xué)教授
廈門大學(xué)“物理學(xué)”一級學(xué)科博士點、“微電子學(xué)與固體電子學(xué)”二級學(xué)科工科博士點學(xué)術(shù)帶頭人、“凝聚態(tài)物理”國家重點學(xué)科主要學(xué)術(shù)帶頭人。長期從事化合物半導(dǎo)體晶體生長及其特性表征的教學(xué)和科研工作。主持過國家“973”、“863”、國家自然科學(xué)基金重大研究計劃和重點項目等數(shù)十項研究。先后研發(fā)了首臺強磁場晶體生長、納米級空間分辨率應(yīng)變和電荷測試、原位納米結(jié)構(gòu)綜合測試等設(shè)備。在高Al組分AlGaN量子結(jié)構(gòu)等設(shè)計與生長及其深紫外表面等離子激元光源研發(fā)方面，取得了系列開拓性成果，被同行稱為“表面等離子激元深紫外光子學(xué)研究第一人”。在新型太陽能電池研發(fā)方面，首次將寬帶隙半導(dǎo)體調(diào)制到對太陽光中紅外線有效吸收，該成果2012年以“廈大研發(fā)新型太陽能光伏電池”名稱被列入最新十二大太陽能光伏電池新技術(shù)。在低維晶格及其耦合誘導(dǎo)的半導(dǎo)體新功能及其應(yīng)用方面，取得多項重要的研究進(jìn)展，獲得了國內(nèi)外同行的高度評價。
先后建立了超高真空、極低溫、強磁場、晶體生長及原位綜合測量等實驗條件；建立了福建省半導(dǎo)體材料及應(yīng)用重點實驗室、半導(dǎo)體微納光電子材料與器件教育部工程研究中心，被譽為“廈門大學(xué)實驗物理奠基人”。榮獲“福建省先進(jìn)工作者”、“廈門市勞動模范”等稱號。同時，推動了國家半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)化基地（廈門）的建設(shè)工作，牽頭與行業(yè)龍頭企業(yè)等創(chuàng)建了福建省半導(dǎo)體光電材料及其高效轉(zhuǎn)換器件協(xié)同創(chuàng)新中心，為廈門成為國家乃至世界的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重鎮(zhèn)做出重要貢獻(xiàn)，榮獲“廈門市科技創(chuàng)新杰出人才”。
王新強 北京大學(xué)教授
北京大學(xué)物理學(xué)院教授，教育部長江特聘教授，國家杰出青年基金獲得者，萬人計劃中青年領(lǐng)軍人才，主要從事寬禁帶半導(dǎo)體材料、物理與器件研究，發(fā)表SCI論文160余篇，SCI引用逾2500次，在國內(nèi)外學(xué)術(shù)會議上做邀請報告30余次，擔(dān)任Elsevier出版社“Superlattices and Microstructures”編輯，NPG出版社“Scientific Reports”和Wiley出版社Physica Status Solidi系列編委。
閆建昌 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員
中國科學(xué)院青年創(chuàng)新促進(jìn)會會員，北京市科技新星計劃入選者。長期從事氮化物半導(dǎo)體材料和器件研究，尤其專注于氮化鎵半導(dǎo)體紫外發(fā)光二極管（UVLED）領(lǐng)域十余年，負(fù)責(zé)國家863計劃、自然科學(xué)基金、重點研發(fā)計劃等多項國家級科研項目，取得了具有國際影響力的研究成果。與美國、日本、歐洲等多國的領(lǐng)域著名研究機構(gòu)開展了學(xué)術(shù)交流合作，并與產(chǎn)業(yè)界建立了良好的互動合作關(guān)系。
主持承擔(dān)國家863課題“深紫外LED外延生長及應(yīng)用技術(shù)研究”，國際上首次在納米圖形藍(lán)寶石襯底(NPSS)上MOCVD外延出高質(zhì)量AlN材料，材料質(zhì)量為國際最好水平之一，研制出首支基NPSS的深紫外LED。相關(guān)研究獲得SemiconductorToday、CompoundSemiconductors等半導(dǎo)體界知名網(wǎng)站報導(dǎo)。主持自然科學(xué)基金項目“AlGaN基紫外激光二極管研究”，成功實現(xiàn)了國內(nèi)首個UV-B和UV-C深紫外波段氮化物半導(dǎo)體量子結(jié)構(gòu)的室溫受激發(fā)射。發(fā)表學(xué)術(shù)論文五十余篇，申請國家發(fā)明專利三十多項。獲中科院成果鑒定兩項，2012年度北京市科學(xué)技術(shù)獎一等獎、2015年度國家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎二等獎，2018年度北京市科技新星計劃入選者。
蔡端俊 廈門大學(xué)教授
2011年加入廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院，擔(dān)任副教授和正式教授。2013年擔(dān)任國立臺灣大學(xué)兼職副教授，并于2016年擔(dān)任美國杜克大學(xué)客座教授。他一直是氮化物半導(dǎo)體，生物物理學(xué)，納米科學(xué)和納米技術(shù)的先驅(qū)，他提出了用于深紫外LED的AlGaN新型異質(zhì)結(jié)構(gòu)，基于AES的非接觸電表征方法，螢火蟲生色團(tuán)的生物異質(zhì)結(jié)的原始概念，超細(xì)和超長Cu納米絲作為透明電極的合成以及單層的超大尺寸增長 h-BN膜。他是美國物理學(xué)會，美國生物物理學(xué)會，美國化學(xué)學(xué)會和P.R.C.半導(dǎo)體學(xué)會的成員。他在同行評審的期刊和國際會議上發(fā)表了80多篇論文，并且是40多項專利的主要發(fā)明者。
郭煒 中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所副研究員
研究方向為第三代半導(dǎo)體材料與器件。主要研究興趣包括高鋁組分AlGaN 材料的MOCVD 外延、氮化物極性調(diào)控及新型光電子/電力電子器件、紫外LED/激光器的開發(fā)及光子提取研究、紫外專用MOCVD設(shè)備等。郭博士目前主持、參與科技部重點研發(fā)計劃、寧波市“科技創(chuàng)新2025重大專項”、國家自然科學(xué)基金面上/青年基金、浙江省重點研發(fā)計劃等課題，在SCI 期刊雜志發(fā)表論文40余篇，論文引用近1000余次，申請中國發(fā)明專利10余項。
