2020年11月23-25日，第十七屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2020）將在深圳會展中心舉行。本屆論壇由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦。南方科技大學(xué)與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦。

其中，功率電子器件及封裝技術(shù)分會主題涵蓋碳化硅/氮化鎵電力電子器件的新結(jié)構(gòu)與新工藝開發(fā)、碳化硅/氮化鎵功率電子器件柵驅(qū)動設(shè)計、高效高速碳化硅/氮化鎵功率模塊設(shè)計與制造，碳化硅/氮化鎵封裝技術(shù)和碳化硅/氮化鎵功率應(yīng)用與可靠性等。分會將邀請國內(nèi)外知名專家參加本次會議，呈現(xiàn)碳化硅/氮化鎵功率電子器件及封裝技術(shù)研究與應(yīng)用的最新進(jìn)展。
 

浙江大學(xué)教授盛況與電子科技大學(xué)教授張波共同擔(dān)任分會中方主席，美國弗吉尼亞大學(xué)教授、天津大學(xué)教授陸國權(quán)與加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東共同擔(dān)任分會外方主席。中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所研究員柏松、西安電子科技大學(xué)教授張進(jìn)成、大連芯冠科技有限公司總經(jīng)理梁輝南、西安交通大學(xué)教授王來利、中山大學(xué)教授劉揚等精英專家們擔(dān)任分會委員。
 

SiC和GaN作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，也代表了功率電子器件的發(fā)展方向，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、新能源汽車、工業(yè)電機(jī)等領(lǐng)域具有巨大的發(fā)展?jié)摿Α?br />  

本屆分會上的碳化硅專場，日本豐田汽車公司功率半導(dǎo)體顧問、PDPlus LLC總裁、ISPSD2021大會主席Kimimori HAMADA，中電科五十五所教授級高工、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國家重點實驗室主任柏松，廈門大學(xué)講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院前院長邱宇峰，浙江大學(xué)特聘副研究員任娜，深圳第三代半導(dǎo)體研究院研究員楊安麗，重慶大學(xué)電氣工程學(xué)院副教授曾正，華北電力大學(xué)副教授李學(xué)寶，賀利氏電子中國區(qū)研發(fā)總監(jiān)張靖等來自國內(nèi)外高校、科研院所、企業(yè)的精英代表圍繞著碳化硅功率器件及封裝技術(shù)主題將帶來精彩報告，多角度分享前沿研究成果。
 

緊扣國家“新基建”、“十四五”等前瞻利好政策，以“把握芯機(jī)遇·助力新基建”為主題，屆時兩場國際性盛會同臺亮相，先進(jìn)技術(shù)熱點高度聚焦，政產(chǎn)學(xué)研用行業(yè)領(lǐng)袖齊聚，共商未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計。
 

11月，深圳見！

會議議程如下：

 

 

 

 

http://www.sslchina.org/
 

長期從事硅基和寬禁帶電力電子芯片、封裝及應(yīng)用研究，包括芯片設(shè)計與工藝、器件封裝與測試以及在智能電網(wǎng)、軌道交通、新能源汽車、工業(yè)電機(jī)、各類電源等領(lǐng)域中的應(yīng)用，2009年回國創(chuàng)建浙江大學(xué)電力電子器件實驗室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是國內(nèi)較早開展碳化硅和氮化鎵電力電子器件研發(fā)的團(tuán)隊。
 

團(tuán)隊承擔(dān)了電力電子器件及應(yīng)用領(lǐng)域的多個國家級、省部級和橫向合作項目，包括國家重大科技專項、國家863主題項目及課題、國家重點研發(fā)計劃項目及課題、自然科學(xué)基金委杰出青年基金、自然科學(xué)基金委重點項目等十余項，在器件理論、芯片研制、器件封測和應(yīng)用方面取得了一些成果，包括最早報道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在國內(nèi)較早自主研制出了系列SiC芯片和模塊（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）、提出溝槽型超級結(jié)SiC肖特基二極管設(shè)計方法并報道了1300V（不包括襯底0.36 mΩ?cm2，品質(zhì)因子FOM達(dá)國際前列）SiC超級結(jié)二極管、提出新型垂直型氮化鎵晶體管結(jié)構(gòu)并報道了FOM處國際前列的芯片、基于新型單驅(qū)動方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并聯(lián)模塊、首款10kVA基于全碳化硅器件的高壓電力電子變壓器、合作開發(fā)了高壓大容量硅基IGBT芯片等。

從1980年代起即致力于新型功率半導(dǎo)體技術(shù)研究，多次擔(dān)任國際會議功率半導(dǎo)體分會主席，2010年成為國際功率半導(dǎo)體器件與功率集成電路學(xué)術(shù)會議（ISPSD）技術(shù)委員會（TPC）成員（全球功率半導(dǎo)體最高級別專業(yè)會議，張波教授是近年來首次進(jìn)入該技術(shù)委員會的國內(nèi)學(xué)者），2015年ISPSD大會副主席。目前帶領(lǐng)電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實驗室（PITEL）主攻功率半導(dǎo)體技術(shù)研究。
 

電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實驗室（PITEL）是“電子薄膜與集成器件國家重點實驗室”和“電子科技大學(xué)集成電路研究中心”的重要組成部分。被國際同行譽(yù)為“全球功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域最大的學(xué)術(shù)研究團(tuán)隊”和“功率半導(dǎo)體領(lǐng)域研究最為全面的學(xué)術(shù)團(tuán)隊”。實驗室瞄準(zhǔn)國際一流，致力于功率半導(dǎo)體科學(xué)和技術(shù)研究，研究內(nèi)容涵蓋分立器件（從高性能功率二極管MCR、雙極型功率晶體管、功率MOSFET、IGBT、MCT到RF LDMOS，從硅基到SiC和GaN）、可集成功率半導(dǎo)體器件（含硅基、SOI基和GaN基）和功率集成電路（含高低壓工藝集成、高壓功率集成電路、電源管理集成電路、數(shù)字輔助功率集成及面向系統(tǒng)芯片的低功耗集成電路等）。
 

近年來,實驗室共發(fā)表SCI收錄論文300余篇。在電子器件領(lǐng)域頂級刊物《IEEE Electron Device Letters》和《IEEE Transactions on Electron Devices》上共發(fā)表論文60余篇。繼2012年在EDL上發(fā)表7篇論文，論文數(shù)位列全球前列以后，2015年在TED上發(fā)表8篇文章，論文數(shù)再次列全球前三（在固態(tài)功率與高壓器件領(lǐng)域居全球第一）。
 

實驗室在功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域已申請中國發(fā)明專利800余項，與企業(yè)合作承擔(dān)了國家高技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展計劃、四川省產(chǎn)業(yè)發(fā)展關(guān)鍵重大技術(shù)項目、江蘇省產(chǎn)業(yè)化轉(zhuǎn)化項目、廣東省教育部產(chǎn)學(xué)研結(jié)合項目、粵港關(guān)鍵領(lǐng)域重點突破項目等產(chǎn)業(yè)化項目；面向市場研發(fā)出100余種產(chǎn)品；為企業(yè)開發(fā)出60V-600V功率MOS、600V-900V超結(jié)（SJ）MOS、IGBT、120V-700V BCD、高壓SOI等生產(chǎn)平臺，部分產(chǎn)品打破國外壟斷、實現(xiàn)批量生產(chǎn)，已銷售數(shù)億只。

1992年進(jìn)入美國弗吉尼亞理工大學(xué)工作，曾獲美國國家自然科學(xué)基金Career獎，2003年成為弗吉尼亞理工大學(xué)終身教授，美國弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子系統(tǒng)研究中心CPES骨干科學(xué)家。他已成功在功率半導(dǎo)體器件和模塊中實現(xiàn)倒裝焊、球柵陣列和旋渦陣列連接，雙面冷卻封裝，平面化封裝等專利技術(shù)。他是納米銀焊膏的專利發(fā)明人，曾獲得美國R&D 100大獎。迄今他已先后在電子封裝期刊及會議發(fā)表學(xué)術(shù)論文逾220篇，其中100余篇被SCI收錄。授權(quán)美國發(fā)明專利4項，公開發(fā)明專利1項，授權(quán)中國發(fā)明專利6項，公開中國發(fā)明專利13項。

于1985年加入豐田汽車公司，1987年作為最初成員之一參與了TMC的內(nèi)部半導(dǎo)體項目。 負(fù)責(zé)功率MOSFET，BiCDMOS，IGBT和SiC MOSFET的器件開發(fā)。為豐田Prius混合動力汽車開發(fā)了所有IGBT器件。目前擔(dān)任功率半導(dǎo)體顧問，并且是PDPlus LLC的總裁。他是日本電氣工程師學(xué)會（IEEJ），日本汽車工程師學(xué)會（JSAE）和IEEE的成員。