以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼等為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料的研究和應(yīng)用，近年來(lái)不斷獲得技術(shù)的突破。超寬帶半導(dǎo)體材料具有更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率以及材料穩(wěn)定性，在新一代深紫外光電器件、高壓大功率電力電子器件等意義重大的應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著的優(yōu)勢(shì)和巨大的發(fā)展?jié)摿Α?br />  

其中，超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)分會(huì)著重研討超寬禁帶半導(dǎo)體材料的制備、工藝技術(shù)、關(guān)鍵設(shè)備及半導(dǎo)體器件應(yīng)用，旨在搭建產(chǎn)業(yè)、學(xué)術(shù)、資本的高質(zhì)量交流平臺(tái)，共同探討超寬禁帶半導(dǎo)體材料及器件應(yīng)用發(fā)展的新技術(shù)、新趨勢(shì)，積極推動(dòng)我國(guó)超寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件應(yīng)用的發(fā)展。
 

中科院微電子所教授、中國(guó)科學(xué)院院士劉明與山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任、教授陶緒堂共同擔(dān)任本屆分會(huì)主席。西安電子科技大學(xué)科學(xué)研究院院長(zhǎng)、教授張進(jìn)成，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長(zhǎng)龍世兵，北京大學(xué)教授王新強(qiáng)，鄭州大學(xué)教授劉玉懷，西安交通大學(xué)教授王宏興等專(zhuān)家們擔(dān)任分會(huì)委員。
 

日本國(guó)立佐賀大學(xué)同步輻射光應(yīng)用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新，上海光學(xué)精密機(jī)械研究所研究員夏長(zhǎng)泰，鄭州大學(xué)教授、河南省電子材料與系統(tǒng)國(guó)際聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室國(guó)家電子材料與系統(tǒng)國(guó)際聯(lián)合研究中心主任劉玉懷，湖北大學(xué)材料工程學(xué)院教授何云斌，西安交通大學(xué)副教授李強(qiáng)，AIXTRON中國(guó)區(qū)市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)和工藝高級(jí)部門(mén)經(jīng)理f方子文，山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副教授張雷，中國(guó)電科十三所重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室高級(jí)工程師王元?jiǎng)偟葋?lái)自國(guó)內(nèi)外的專(zhuān)家精英們圍繞著超寬禁帶技術(shù)的最新研究進(jìn)展帶來(lái)精彩分享，敬請(qǐng)期待。
 

本屆論壇緊扣國(guó)家“新基建”、“十四五”等前瞻利好政策，以“把握芯機(jī)遇·助力新基建”為主題，屆時(shí)兩場(chǎng)國(guó)際性盛會(huì)同臺(tái)亮相，先進(jìn)技術(shù)熱點(diǎn)高度聚焦，政產(chǎn)學(xué)研用行業(yè)領(lǐng)袖齊聚，共商未來(lái)產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計(jì)。
 

11月23-25日，深圳會(huì)展中心見(jiàn)！
 

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長(zhǎng)期致力于微電子科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域的研究，在存儲(chǔ)器模型機(jī)理、材料結(jié)構(gòu)、核心共性技術(shù)和集成電路的微納加工等方面做出了系統(tǒng)、創(chuàng)造性貢獻(xiàn)。代表性成果包括：建立了阻變存儲(chǔ)器（RRAM）物理模型，提出并實(shí)現(xiàn)高性能RRAM和集成的基礎(chǔ)理論和關(guān)鍵技術(shù)方法，產(chǎn)生重要國(guó)際影響。拓展了新型閃存材料和結(jié)構(gòu)體系，提出新的可靠性表征技術(shù)、失效模型和物理機(jī)理，為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供關(guān)鍵理論和技術(shù)基礎(chǔ)。發(fā)表SCI收錄論文250多篇，兩項(xiàng)工作列入2013年ITRS（國(guó)際半導(dǎo)體發(fā)展路線(xiàn)圖）、多項(xiàng)工作作為典型進(jìn)展被寫(xiě)入15本著作和40篇綜述中。授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利180件（含美國(guó)授權(quán)專(zhuān)利7件），主要專(zhuān)利轉(zhuǎn)讓/許可到多家重要集成電路企業(yè)。

主要從事激光、非線(xiàn)性光學(xué)晶體，寬禁帶半導(dǎo)體，有機(jī)及有機(jī)-無(wú)機(jī)復(fù)合鈣鈦礦光電功能材料和器件的研究。參與開(kāi)辟?gòu)挠袡C(jī)－金屬配合物中探索非線(xiàn)性光學(xué)晶體的新領(lǐng)域，首次生長(zhǎng)了二氯氨基硫脲 合鎘非線(xiàn)性光學(xué)晶體。合成并生長(zhǎng)了非線(xiàn)性光學(xué)效應(yīng)大，紫外截止波長(zhǎng)短的雙硫氰酸 鹽系列晶體，首次在有機(jī)晶體MHBA中獲得了半導(dǎo)體激光直接倍頻 紫光輸出。

主要從事半導(dǎo)體材料制備與表征，同步輻射光應(yīng)用研究。已在Nature Communications, Physical Review B, Journal of Applied Physics, Applied Physics Letters和Advanced Materials等期刊上發(fā)表SCI論文330余篇，H因子為44（Google Scholar）。

我國(guó)共晶轉(zhuǎn)光材料研究之先行者，正積極推進(jìn)該項(xiàng)研究在激光照明中的應(yīng)用；自2004年底，即開(kāi)始了氧化鎵單晶體材料之研究，他提出了氧化鎵晶體材料n型半導(dǎo)體摻質(zhì)新方案，相關(guān)工作得到了國(guó)內(nèi)外同行的關(guān)注和肯定。2017年，他發(fā)起召開(kāi)了我國(guó)首屆海峽兩岸氧化鎵及其相關(guān)材料與器件研討會(huì)，他還積極倡議：“在新時(shí)代，研究人員應(yīng)提高專(zhuān)利意識(shí)。”

研究方向?yàn)閷捊麕Щ衔锇雽?dǎo)體材料、器件與應(yīng)用系統(tǒng)。主持國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃政府間科技創(chuàng)新專(zhuān)項(xiàng)項(xiàng)目；河南省高層次人才國(guó)際化培養(yǎng)項(xiàng)目：氮化物半導(dǎo)體材料與器件；2017年度河南省科技攻關(guān)計(jì)劃（國(guó)際科技合作）支持項(xiàng)目 ：基于氮化物半導(dǎo)體的高速可見(jiàn)光通信光源的研制；國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目“高銦組分銦鎵氮生長(zhǎng)機(jī)理研究”；日本科技振興機(jī)構(gòu)區(qū)域振興項(xiàng)目，基于氮化物半導(dǎo)體的太陽(yáng)電池關(guān)機(jī)技術(shù)研究等。多年來(lái)致力于環(huán)保節(jié)能半導(dǎo)體材料與器件的研究，發(fā)表期刊論文和會(huì)議報(bào)告共165篇，EI、SCI收錄40篇，國(guó)際會(huì)議邀請(qǐng)報(bào)告5次，日本專(zhuān)利公開(kāi)1項(xiàng)，與企業(yè)合作開(kāi)發(fā)的氮化物半導(dǎo)體紫外LED技術(shù)獲得了產(chǎn)業(yè)化推廣。

研究方向主要為寬禁帶半導(dǎo)體薄膜及紫外光電探測(cè)器、氧化物表界面物理與化學(xué)、低維鈣鈦礦材料與新型光電器件等。曾作為骨干完成德國(guó)工業(yè)合作研究、歐盟國(guó)際合作優(yōu)先項(xiàng)目、美國(guó)能源部基礎(chǔ)研究、中國(guó)國(guó)家自然科學(xué)基金等多個(gè)項(xiàng)目的研究。作為負(fù)責(zé)人主持完成或在研國(guó)家自然科學(xué)基金面上（4項(xiàng)）、教育部博導(dǎo)基金、教育部留學(xué)人員回國(guó)啟動(dòng)基金、湖北省自然科學(xué)杰出青年基金、湖北省技術(shù)創(chuàng)新重大項(xiàng)目、企業(yè)合作項(xiàng)目等近20項(xiàng)研究。至今發(fā)表學(xué)術(shù)論文160余篇，其中120余篇被SCI收錄，被SCI論文引用2300余次，H-指數(shù)：26；發(fā)表論文中含材料領(lǐng)域頂級(jí)期刊Nature Materials(影響因子：38.891) 1篇、綜合期刊Nat. Communi.（影響因子：12.124）1篇、物理領(lǐng)域頂級(jí)期刊Phys. Rev. Lett.(8.462) 1篇。申請(qǐng)專(zhuān)利40余項(xiàng)，授權(quán)10余項(xiàng)。是歐洲材料學(xué)會(huì)（EMRS）、美國(guó)物理學(xué)會(huì)（APS）、中國(guó)材料學(xué)會(huì)（CMRS）、湖北省高級(jí)專(zhuān)家協(xié)會(huì)會(huì)員。

英國(guó)謝菲爾德大學(xué)（University of Sheffield）電子工程系訪(fǎng)問(wèn)學(xué)者。長(zhǎng)期從事寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究，主要研究方向：氧化物半導(dǎo)體材料（氧化銦錫ITO）和超寬禁帶半導(dǎo)體材料（氮化硼B(yǎng)N）的制備與器件應(yīng)用。利用PS催化電子束蒸鍍的方式制備了ITO納米線(xiàn)，首次在ITO納米線(xiàn)上發(fā)現(xiàn)了ITO材料的電阻開(kāi)關(guān)特性。采用磁控濺射的方式制備hBN薄膜，并致力于hBN材料特性的表征、DBR及紫外探測(cè)器方面的研究。近年來(lái)，主持的國(guó)家及省部級(jí)項(xiàng)目6項(xiàng)，擁有國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利11項(xiàng)，在國(guó)內(nèi)外重要期刊上發(fā)表學(xué)術(shù)論文30余篇，編著有《半導(dǎo)體微納制造技術(shù)及器件》（科學(xué)出版社）。

主要從事寬禁帶半導(dǎo)體（GaN、AlN等）晶體材料的生長(zhǎng)及性能研究工作。近年來(lái)在Adv.?Mater.，ACS Appl. Mater. Interfaces,?J. Mater. Chem. C, Cryst. Growth Des.等期刊發(fā)表SCI論文50余篇，其中發(fā)表在，ACS Appl. Mater. Interfaces期刊上的文章被Nature Materials期刊作為Research Highlights進(jìn)行了報(bào)道。近年來(lái)獲得了國(guó)家自然科學(xué)基金（面上、青年）、中德博士后國(guó)際交流計(jì)劃、德國(guó)亥姆霍茲國(guó)家實(shí)驗(yàn)室資助、中國(guó)博士后科學(xué)基金特別資助等多項(xiàng)國(guó)家、省部級(jí)和國(guó)外合作科研項(xiàng)目。申請(qǐng)專(zhuān)利16項(xiàng)，授權(quán)10項(xiàng)。2016年4月-2018年5月在德國(guó)亥姆霍茲于利希研究中心從事寬禁帶半導(dǎo)體晶體性能研究。