11月23-25日，由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）與第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，南方科技大學微電子學院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。
25日下午，由山西中科潞安紫外光電科技有限公司、中微半導體設備（上海）股份有限公司共同協辦的“固態紫外器件技術分會”如期召開。
第三代半導體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高等優越性質。其中氮化物材料是第三代半導體材料中最引人矚目的材料，尤其是GaN（氮化鎵）基光電子器件在白光照明領域非常成功。紫外LED也是目前氮化物技術發展和第三代材料技術發展的主要趨勢，隨著環保及公共安全等領域的需求升級，固態紫外技術擁有廣闊的應用前景。
分會重點關注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結構設計及外延，以及發光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術。并涵蓋紫外器件的先迚封裝材料及技術，包括光提取、熱管理及器件可靠性的提升方法等，力圖全面呈現第三代半導體紫外發光和探測領域在材料、器件、封裝及應用等各層面的國內外最新迚展。
分會期間，康奈爾大學教授Debdeep JENA,北京大學教授、北京大學東莞光電研究院院長王新強,中國科學院半導體研究所研究員, 山西中科潞安紫外光電科技有限公司副總經理閆建昌,廈門大學教授蔡端俊,廈門三安光電股份有限公司副總經理GaN事業部總經理張中英,中國科學院寧波材料技術與工程研究所副研究員郭煒,湖北大學材料科學與工程學院教授黎明鍇,河北半導體研究所高級工程師周幸葉等來自國內外高校、科研院所、企業的精英代表將帶來精彩報告，分享前沿研究成果。中科院半導體所研究員、半導體照明研發中心主任王軍喜，廈門大學教授康俊勇，南京大學教授陸海共同主持了本屆分會。
因疫情原因無法親自到場，康奈爾大學教授Debdeep JENA帶來了視頻報告，分享了深紫外LED和激光器的量子設計的研究成果。
北京大學教授、北京大學東莞光電研究院院長王新強（因院里有要事，康俊杰博士代講）分享了面向消毒應用的超高功率深紫外光源的研究進展。報告分享了高質量AlGaN材料生長和深紫外芯片制備，陶瓷基板和超高功率集成光源及消毒應用等內容，并指出，采用NPSS和退火平片襯底生長AlN模板，其材料質量非常優越。采用中微半導體設備（上海）有限公司高溫MOCVD設備生長的深紫外LED外延片具有良好的均勻性和一致性。開發出可進行超高功率集成封裝用的陶瓷基板。依托目前所掌握的技術，開發出能應用于殺菌消毒的超高功率集成光源，效果明顯。
中國科學院半導體研究所研究員, 山西中科潞安紫外光電科技有限公司副總經理閆建昌帶來了“高效AlGaN-DUV光發射器的新技術：從2D到3D”的主題報告，分享了新技術的研究進展與成果，報告顯示，在2D材料上外延DUV-led為大功率紫外器件提供了一個有趣的解決方案。納米結構和納米加工可以有效地提高AlGaN基DUV-led的效率。AlGaN基DUV發光二極管具有廣闊的市場前景，但仍需進一步研究。
廈門大學教授蔡端俊帶來了“氯離子局域場驅動的快速除氫p型增強技術及深紫外LED效率提升”的主題報告，分享了其研究成果。
廈門三安光電股份有限公司副總經理GaN事業部總經理張中英分享了UVB & UVC AlGaN基深紫外LED器件的最新進展。介紹了量子結構設計與高質量外延，優化芯片結構獲得高性能AlGaN-DUV-LED，DUV LED產品線和模塊解決方案等內容。
中國科學院寧波材料技術與工程研究所副研究員郭煒分享了鋁鎵氮深紫外量子阱及LED：斜切角襯底及橫向極性疇的影響研究成果。報告顯示，基于斜切角調控顯著提高了載流子局域化現象，提高了紫外LED內量子效率和發光功率，且富Ga條帶與穿透位錯無關；橫向極性結構（LPS）充分利用了金屬極性和氮極性各自的優勢，可以在極性疇界面處實現發光強度的極大提升。目前主要挑戰在于高鋁組分N極性的形貌和晶體質量優化，界面陡峭度調控等。
湖北大學材料科學與工程學院教授黎明鍇分享了HfxSn1-xO2薄膜在深紫外探測領域的應用，并介紹了HfxSn1-xO2外延薄膜的制備，HfxSn1-xO2外延薄膜的XRD衍射譜等具體技術。
河北半導體研究所高級工程師周幸葉帶來了“高性能碳化硅雪崩光電二極管及其紫外探測器陣列”的主題報告，涉及制備高性能4H-SiC紫外apd和陣列，并對其進行了紫外檢測研究，分立器件具有高增益，高QE，低暗電流，高SPDE，高穩定性的特點，陣列具有高均勻性，高像素產量，低BV變化的特點等。
（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）
