近日，由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學(xué)微電子學(xué)院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。

期間，由江蘇博睿光電有限公司協(xié)辦的“可靠性與熱管理技術(shù)”分會上,電子科技大學(xué)劉成藝帶來了關(guān)于n型4H-SiC上Ti/TiN/Pt歐姆接觸電極在空氣中高溫退火處理的失效機理研究的主題報告。結(jié)合具體的實驗數(shù)據(jù)，分享了電氣性能、失效機理研究的最新成果。

從應(yīng)用上來看，4H-SiC可以用于航空發(fā)動機壓力監(jiān)測的電容式壓力傳感器。具有高溫、高壓、高輻射的特點，輸出電信號的高可靠性歐姆接觸。從材料性能上看，4H-SiC最高工作溫度1580℃，楊氏模量448gpa。SiC上Ti/TiN/Pt有低電阻，高工作溫度的特點。也面臨著很大的挑戰(zhàn)，比如在空氣中，歐姆接觸在高達600℃的高溫下會發(fā)生極大的退化，對SiC/Ti/TiN/Pt觸頭失效機理缺乏系統(tǒng)研究。研究中采用了不同熱處理制備的接觸試樣和分析了樣品的電學(xué)性能、微觀結(jié)構(gòu)和化學(xué)成分的實驗方法。

其中，報告指出，其失效機理涉及TiO2顆粒物，SiO2和金屬硅化物的峰型結(jié)構(gòu)，錫的消耗，促進了鈦和鉑的擴散。金屬化剝離，SiC氧化生成SiO2
 

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）