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上海臨港發布集成電路產業規劃支持第三代半導體

放大字體  縮小字體 發布日期:2021-03-08 來源:化合物半導體市場瀏覽次數:214
3月3日,上海臨港新片區發布《中國(上海)自由貿易試驗區臨港新片區集成電路產業專項規劃(2021-2025)》(下文簡稱為《規劃》)。
 
《規劃》中表示目標是到2025年,形成新片區集成電路綜合性產業創新基地的基礎框架。
 
其中,產業規模方面,集成電路產業規模將會突破1000億元,芯片制造、裝備材料主導地位進一步加強,芯片設計、封裝測試形成規?;?。園區集成電路產業投資強度1500萬元/畝,產出強度1500萬元/畝。
 
技術創新方面,先進工藝、成熟工藝、特色工藝進入國際前列,EDA工具、光刻膠、大硅片等關鍵“卡脖子”技術產業化取得突破,2種以上關鍵裝備進入全球領先制造企業采購體系。
 
企業培育方面,到2025年,引進培育5家以上國內外領先的芯片制造企業;形成5家年收入超過20億元的設備材料企業;培育10家以上的上市企業,圍繞5G、CPU、人工智能、物聯網、無人駕駛等細分領域發展壯大一批獨角獸設計企業。
 
人才集聚方面,匯聚超過2-5萬名碩士以上學歷的集成電路從業人員。
 
目前,新片區已引進華大、新昇、格科、聞泰、中微、寒武紀、地平線等40余家行業標桿企業,初步形成了覆蓋芯片設計、特色工藝制造、新型存儲、第三代半導體、封裝測試以及裝備、材料等環節的集成電路全產業鏈生態體系。
 
《規劃》中提出,將積極對接引進國內最先進工藝線放大項目,推進磁存儲器(MRAM)、3DNAND、半浮柵等新型存儲項目落地。
 
提升新片區芯片制造產業能級,夯實產業基礎。打造國內特色工藝生產高地,堅持市場需求與技術開發相結合,推動BCD、IGBT、CIS、MEMs等特色工藝研發與產業化,支持細分領域IDM項目建設。
 
推動化合物半導體產業實現由國內引領向國際領先跨越。推進6英寸、8英寸GaAs、GaN和SiC工藝線建設,面向5G、新能源汽車等應用場景,加快化合物半導體產品驗證應用。
 
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