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韓國三星科研人員:消除晶體結構層錯,獲得高效穩定的藍色QLED

放大字體  縮小字體 發布日期:2021-05-06 來源:材料科學與工程瀏覽次數:278
利用量子點實現精確顏色信息的可視化已經探索了幾十年。然而,無鎘藍光發射器件的光物理性能較差一直是一個挑戰。來自韓國三星的科研人員介紹了量子產率為1的ZnSe基藍光發射量子點的合成。在發光二極體中構造了氯化物含量梯度的雙量子點發射層,以促進空穴傳輸,得到的器件具有理論極限效率高、亮度高、工作壽命長的特點。相關論文以題目為“Efficient and stable blue quantum dot light-emitting diode”發表在Nature期刊上。
 
論文鏈接:
 
https://doi.org/10.1038/s41586-020-2791-x
 
韓國三星《Nature》 1

自從量子點發光二極管(QD-LED)被認為是一種理想的顯示器以來,人們一直致力于提高其性能。最先進的紅色、綠色和藍色量子點LED的外部量子效率(EQEs)分別為20.5%、23.9%和19.8%,這被視為考慮光輸出耦合的理論極限。就工作壽命而言,紅色和綠色QD LED分別顯示出足夠的壽命T95=3800 h和T 95=2500 h,但藍色QD LED的穩定性要差得多。先前的研究表明,壽命短的原因是非輻射復合、量子點-電子傳輸層(ETL)界面上積聚的電荷和偏壓下配體的不穩定性。另一個關鍵問題是鎘的毒性,這是商業化的嚴重障礙。
 
最近,環境友好的InP基紅色QD LED在EQE(21.4%)和壽命(1000 cd m2下T 95=615 h)方面與Cd基QD LED表現出相當的性能。然而,InP的最佳控制發射波長太長,無法成為藍色發射體,并且最高的光致發光量子產率僅為76%。InP/GaP/ZnS量子點在480nm處的光致發光量子產率為81%,EQE約為1%。ZnSe基量子點作為一種潛在的無鎘藍光發射體進行了研究。
 
最近,ZnTeSe QDLED顯示EQE=4.2%,壽命短(在200 cd m2下T 50=5分鐘,并且同一作者通過使用改進的ETLs報告了高達9.5%的改進EQE,但沒有穩定性。本文提出了一種制備高效藍色ZnTeSe/ZnSe/ZnS量子點的方法。Te摻雜使發光波長調諧到457nm,通過消除層錯和用氯化物鈍化表面懸掛缺陷,光致發光量子產率提高了100%。此外,進一步的Cl-處理取代了天然的脂肪族配體,以提高熱穩定性和電荷注入/轉運。
 
此外,發射層(EML)被設計成具有梯度Cl濃度的雙疊層,以實現有效的電荷復合。得到的器件顯示出高達20.2%的EQE,亮度為88900 cd m2,100 cd m2下的T 50=15850 h,這是迄今為止報道的藍色QD LED的最高值。(文:愛新覺羅星)
 
韓國三星《Nature》 2
圖1|ZnTeSe/ZnSe/ZnS量子點的表征。A、ZnTeSe、ZnTeSe/ZnSe和ZnTeSe/ZnSe/ZnS量子點的合成原理圖,以及相應的TEM圖像。B,兩種C/S/S量子點的選區衍射(SAED)圖(上)和相應的單個粒子的高分辨率TEM圖像(下圖),不加任何添加劑(左)和用HF和ZnCl2(右)制備的Hf和ZnCl2(右)制備的C/S/S量子點的選區衍射(SAED)圖和相應的單個粒子的高分辨率TEM圖像(下圖)。
韓國三星《Nature》 3
圖2表面缺陷的氯化物鈍化。a、配體在液相中與ZnCl2交換和通過膜洗滌處理進一步交換的示意圖。b、 量子點的吸收光譜和光致發光光譜。c、 ZnS(100)表面欠鈍化態和完全鈍化態配體的弛豫組態。d、計算態密度(DOS),價帶最大值和導帶最小值。e、 量子點薄膜光致發光穩定性與退火溫度的關系。
 
三星nature 4
圖3 | QD LED的性能。a、量子點發光二極管的能帶圖。b、 具有雙EML的QD-LED的橫截面TEM圖像。使用高分辨率TEM-EDX測量Cl的垂直濃度。c、 雙EML量子點發光二極管的電壓相關電致發光光譜。插圖,操作裝置的照片。d、 電壓相關電流密度(左軸)和亮度(右軸)。e、 EQE的亮度依賴性。f、 在650 cd m2初始亮度下測量的QD LED的工作壽命。
 
三星nature 5
圖4 |器件特性分析。a、 無量子點、C/S/S、C/S/S-Cl(l)和C/S/S-Cl(f)量子點的EOD和HOD的J–V特性。b、 頂部EML含紅色發光量子點和不同底部EML:C/S/S、C/S/S-Cl(l)和C/S/S-Cl(f)的QD-LED的電致發光光譜。c、 在初始亮度為2000 cd m2的情況下,從具有雙EML的QD-LED測量的時間相關電致發光和光致發光光譜。d、 QD LED工作期間的電壓變化。帶雙EML的QD-LED在(初始)和(T 50)操作前后的J–V剖面圖。
 
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