近日，由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、中國(guó)半導(dǎo)體照明網(wǎng)主辦的2021 Mini/Micro-LED顯示技術(shù)商業(yè)化應(yīng)用論壇成功召開(kāi)。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導(dǎo)，與2021寧波國(guó)際照明展覽會(huì)&第三代半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展同期舉辦。
論壇期間，華燦光電股份有限公司外延技術(shù)開(kāi)發(fā)經(jīng)理張奕博士分享了用于“顯示的新一代LED芯片技術(shù)研究與展望”主題報(bào)告，詳細(xì)分享了Mini/Micro LED應(yīng)用與市場(chǎng)趨勢(shì)以及芯片技術(shù)的研究與展望。
LED自發(fā)光技術(shù)發(fā)展到現(xiàn)在，焦點(diǎn)多集中于Mini&Micro，LED自發(fā)光顯示微縮化的核心是Mini/Micro LED芯片。
Mini/Micro和其他顯示技術(shù)相比在對(duì)比度、響應(yīng)時(shí)間、分辨率、視角、色域、亮度、功耗效率等方面都有比較明顯的優(yōu)勢(shì)。
Mini LED RGB顯示技術(shù)作為小間距顯示屏的自然延伸，無(wú)論是下游應(yīng)用還是工藝技術(shù)均可無(wú)縫銜接，有望為L(zhǎng)ED顯示屏注入新的源頭活水。P1.1以下的顯示屏應(yīng)用，Mini LED 為主流芯片方案。
隨著LED顯示屏于娛樂(lè)、零售，遠(yuǎn)程會(huì)議，教育、醫(yī)療、安防等市場(chǎng)需求增加，小間距、超小間距顯示屏景氣度持續(xù)向好。有研究顯示，全球LED小間距市場(chǎng)預(yù)估2019~2023年CAGR達(dá)27%，繼續(xù)保 持高速增長(zhǎng)，未來(lái)幾年P(guān)1.1以下的產(chǎn)品將最具成長(zhǎng)動(dòng)能，預(yù)估 2019~2023 年的 CAGR 達(dá)58%，2023年市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估將達(dá)到19.56億美元。
張奕認(rèn)為Micro LED是超高清顯示的終極技術(shù)，Micro LED顯示將應(yīng)用于電視、手機(jī)、AR/VR，車載顯示、可穿戴電子、數(shù)字顯示（商業(yè)廣告與顯示等），預(yù)估2024年在TV以及IT顯示器應(yīng)用上，Micro LED 片量將有快速增長(zhǎng)。2024年在TV應(yīng)用上， Micro LED 芯片產(chǎn)值將達(dá)到21億美元。
背光應(yīng)用是Mini LED產(chǎn)業(yè)化的另一重要推手，Mini LED背光顯示的優(yōu)勢(shì)包括精細(xì)的Local Dimming可以實(shí)現(xiàn)超高對(duì)比度(1000000:1)；RGB三色背光方案可實(shí)現(xiàn)寬色域，色彩的鮮艷度媲美OLED；減少光學(xué)混光距離（OD），降低屏幕厚度實(shí)現(xiàn)超薄化，在輕薄的便攜式消費(fèi)電子中應(yīng)用廣闊；散熱均勻，傳統(tǒng)分立LED器件方案無(wú)法做到的，可以實(shí)現(xiàn)高亮度（＞1000nit），HDR成為可能。
Mini LED背光基本原理
高品質(zhì)顯示要求精細(xì)的Local Dimming分區(qū)，更精細(xì)的分區(qū)要求多而小的發(fā)光源，高密Mini LED陣列是最優(yōu)選擇。
從市場(chǎng)角度來(lái)看，隨著良率的提高M(jìn)ini LED背光顯示的成本將以每年15-20%的幅度下降，將大比例替代現(xiàn)有的 LED 背光，成為大尺寸液晶背光顯示方案的主流選擇；預(yù)估2025年MiniLED背光芯片市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到14.3億美元，其中用于數(shù)字顯示的芯片產(chǎn)值將達(dá)到6.14億美元，其次為IT產(chǎn)品及TV顯示，產(chǎn)值均超過(guò)3億美金。
Mini LED為巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)的集成提供了可能，結(jié)合N合1或COB封裝，提供了更高顯示密度的解決方案，P1.0以下的顯屏應(yīng)用，Mini RGB芯片將逐漸占據(jù)主流。
華燦背光Mini LED技術(shù)
報(bào)告中，張奕介紹了當(dāng)前華燦背光Mini LED關(guān)鍵技術(shù)的出光調(diào)節(jié)設(shè)計(jì)，其關(guān)鍵共性技術(shù)具有高可靠性、高亮度的倒裝芯片結(jié)構(gòu)，高效鈍化層的制作，金屬連接層的平滑覆蓋，高可靠性的電極等特點(diǎn)。
華燦R/G/B Mini LED關(guān)鍵共性技術(shù)的Mura效應(yīng)是COB封裝形式中常見(jiàn)的顯示異常；華燦通過(guò)特有的混編技術(shù)，可以消除COB應(yīng)用情況下的Mura效應(yīng)。
免錫膏封裝芯片方案，可以隨著芯片尺寸的持續(xù)減小，免錫膏方案將成為提高良率降低成本的關(guān)鍵；華燦可以將錫球直接制作在Mini LED 芯片電極上。
華燦Mini LED量產(chǎn)路線圖
Micro LED的外延技術(shù)關(guān)鍵涉及波長(zhǎng)均勻性一致性、缺陷和Particle的控制、外延面積的有效利用。芯片技術(shù)關(guān)鍵涉及Sub微米級(jí)的工藝線寬控制、芯片側(cè)面漏電保護(hù)、襯底剝離技術(shù)
（批量芯片轉(zhuǎn)移）、陣列鍵合技術(shù)（陣列轉(zhuǎn)移鍵合）、Micro LED的光形與取光等。
華燦Micro LED的外延進(jìn)展
報(bào)告中分享了華燦微米級(jí)工藝線寬控制、華燦Micro LED的巨量測(cè)試效果、華燦襯底激光剝離技術(shù)、紅光Micro LED效率提升進(jìn)展、華燦Micro LED缺陷控制水平。
華燦Micro LED技術(shù)節(jié)點(diǎn)路線圖
LED微顯示技術(shù)對(duì)比
Mini LED背光技術(shù)挑戰(zhàn)
