在半導體制造上，國內廠商需要突破的不只是光刻機等核心設備，光刻膠也是重要的一環。
5月31日晚間，南大光電發布公告，控股子公司寧波南大光電自主研發的ArF光刻膠繼2020年12月在一家存儲芯片制造企業的50nm閃存平臺上通過認證后，近日又在邏輯芯片制造企業55nm技術節點的產品上取得了認證突破，表明公司光刻膠產品已具備55nm平臺后段金屬布線層的工藝要求。
受該利好消息影響，今天南大光電股價開盤大漲，截至收盤股價上漲11.17%，收于35.19元/股。
資料顯示，隨著芯片跨入納米級，半導體光刻膠的波長也在不斷縮短，已經由紫外寬譜逐步發展到g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）、ArF Immersion 浸潤式，以及最先進的EUV（<13.5nm）線水平。
從國內的光刻膠市場來看，低端的中g線/i線光刻膠自給率約為20%，KrF光刻膠自給率不足5%，而高端的ArF光刻膠完全依賴進口，是國內半導體的卡脖子技術之一。
雖然南大光電的ArF光刻膠現在通過的是55nm工藝認證，但ArF光刻膠涵蓋的工藝技術很廣，可用于90nm-14nm甚至7nm 技術節點制造工藝，廣泛應用于芯片制造（如邏輯芯片、 存儲芯片、AI 芯片、5G 芯片和云計算芯片等）。
