今年5月份，南大光電發表公告，控股子公司寧波南大光電自主研發的ArF光刻膠繼2020年12月在一家存儲芯片制造企業的50nm閃存平臺上通過認證后，近日又在邏輯芯片制造企業55nm技術節點的產品上取得了認證突破，表明公司光刻膠產品已具備55nm平臺后段金屬布線層的工藝要求。

 

在光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經過曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉移到襯底上，形成與掩膜版完全對應的幾何圖形。

 

半導體市場上主要使用的光刻膠包括g線、i線、KrF、ArF四類光刻膠，其中，g線和i線光刻膠是市場上使用量最大的。KrF和ArF光刻膠核心技術基本被日本和美國企業所壟斷。

 

此前南大光電曾在公告中表示，ArF光刻膠涵蓋的工藝技術很廣，可用于90nm-14nm甚至7nm 技術節點制造工藝，廣泛應用于高端芯片制造（如邏輯芯片、 存儲芯片、AI 芯片、5G 芯片和云計算芯片等）。