上交所網站信息顯示，南京國博電子股份有限公司（以下簡稱“國博電子”）科創板申請于9月24日獲上交所受理。

 

 

資料顯示，國博電子成立于2000年11月，注冊資本3.6億元，主要從事有源相控陣T/R組件和射頻集成電路相關產品的研發、生產和銷售，主要產品包括有源相控陣T/R組件、砷化鎵基站射頻集成電路等，主要應用于相控陣雷達等軍用領域以及通信基站等民用領域。

 

據悉，自成立以來，國博電子建立了以化合物半導體為核心的技術體系和系列化產品布局，產品覆蓋射頻芯片、模塊、組件。在高密度集成領域，公司基于設計、工藝和測試三大平臺，開發了T/R組件、射頻模塊等產品；在射頻芯片領域，公司基于核心技術開發了射頻放大類芯片、射頻控制類芯片等產品。

 

值得一提的是，招股說明書顯示，國博電子的控股股東為中電國基南方集團有限公司（以下簡稱“國基南方”），持股比例為39.81%，而實際控制人為中國電子科技集團有限公司（以下簡稱“中國電科”），后者由國務院國資委100%持股。
 

△國博電子股權結構圖（Source：招股書截圖）

 

招股書顯示，中國電科通過三家國有股東國基南方（39.81%）、中國電科五十五所（18.49%）和中電科投資（3.32%）間接控制國博電子61.62%的股份。

 

此外，截至本招股說明書簽署之日，持有國博電子5%以上股份的其他股東包括還包括中電科國微（17.15%）、天津豐荷（8.28%）、以及南京芯銳（6.37%）。

 

近10年來，國博電子一直專注于射頻微波毫米波領域相關產品的研發。招股書顯示，報告期內，國博電子的研發費用分別為9200.43萬元、1.63億元、2.08億元和1.03億元，占同期營業收入的比例分別為5.34%、7.31%、9.38%和9.08%。

 

據披露，國博電子此次擬募集資金26.75億元，扣除發行費用后將全部用于公司主營業務相關的項目射頻芯片和組件產業化項目，項目總投資額14.75億元。國博電子將在已有的射頻芯片、微波毫米波T/R組件和射頻模塊產品的基礎上，進一步升級研發射頻芯片、模塊和T/R組件領域相關技術。

 

從市場競爭格局來看，目前射頻集成電路市場主要被國外廠商壟斷，當前，全球射頻集成電路市場前五大廠商分別為Murata、Skyworks、Broadcom、Qorvo和Qualcomm，而國內射頻芯片廠商由于起步較晚，在技術積累、產業環境、人才培養、創新能力等方面還有待加強。

 

國博電子表示，本項目結合芯片設計行業的特點，在前端模組、5G射頻開關、天線調諧器、三代半導體發射器件等新技術、新產品方面加大投入，進一步擴大國產化產品的市場份額，搶占高端市場，逐步縮減與國際領先企業的距離，在我國5G商用化的關鍵階段，助推射頻芯片產品實現國產替代，提升我國在全球射頻集成電路的行業地位。