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IFWS& SSLCHINA 2021：固態紫外材料與器件技術論壇最新日程出爐

發布日期：2021-11-30 來源：中國半導體照明網瀏覽次數：419

2021年12月6-8日，以“創芯生態碳索未來”為主題的第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）聯合主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司與半導體產業網共同承辦。

期間，艾邁斯歐司朗與廣州市鴻利秉一光電科技有限公司協辦的“IFWS& SSLCHINA 2021：固態紫外材料與器件技術專場“將于12月7日舉行，論壇特別邀請香港科技大學教授李世瑋、艾歐史密斯（中國）熱水器有限公司技術總監陳小波，廣西大學物理學院光電材料與器件研究中心教授孫文紅，中山大學（深圳）材料學院副教授鄭偉，中山大學電子信息工程學院教授江灝，西安電子科技大學副教授寧靜，北京大學王柳冰，挪威科學院院士、挪威科學技術大學教授Weman HELGEN，廈門大學物理科學與技術學院副院長、教授黃凱，中國科學院半導體研究所研究員魏同波，北京大學物理學院副教授許福軍，集美大學張議聰，廣東科學院半導體研究所所長陳志濤，桂林電子科技大學教授張法碧，鄭州大學Muhammad Nawaz Sharif，港科技術（佛山）有限公司董國帥等代表性先進研究力量，分享固態紫外器件與應用的最新研究進展與研究成果。會議由廈門大學教授康俊勇和中國科學院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發中心主任王軍喜共同主持了本次會議。

第三代半導體材料在紫外器件中具備其他半導體材料難以比擬的優勢，展現出巨大的應用潛力。本論壇將重點關注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結構設計及外延，以及發光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術，并涵蓋紫外器件的先進封裝材料及技術，包括光提取、熱管理及器件可靠性的提升方法。目前論壇最新日程出爐，也誠摯的邀請業界同仁的深度參與。

作為一年一度的行業盛會，論壇及同期活動將全面呈現第三代半導體產業動向及技術趨勢，為除了開幕大會、本屆論壇設有功率電子器件與應用論壇、射頻電子器件與應用論壇、半導體照明與應用論壇、Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇、超越照明論壇、材料與裝備論壇、固態紫外器件與應用論壇、車用半導體創新合作峰會、第三代半導體產教融合發展論壇、電力電子標準與檢測研討會等超30場次論壇活動。聚焦第三代半導體功率電子技術、光電子技術、射頻電子技術的國內外前沿進展；第三代半導體功率電子技術、光電子技術、射頻電子技術的產業發展戰略與機遇；第三代半導體材料相關技術與新一代信息技術、新能源汽車、新一代通用電源、高端裝備等產業的相互促進與深度融合；產業鏈、供應鏈多元化與核心技術攻關等。也歡迎業界同仁參與其中，對接資源，洽談商機，共商產業發展大計。

部分嘉賓簡介

康俊勇，廈門大學教授、廈門大學“物理學”一級學科博士點、“微電子學與固體電子學”二級學科工科博士點學術帶頭人、“凝聚態物理”國家重點學科主要學術帶頭人。長期從事化合物半導體晶體生長及其特性表征的教學和科研工作。培養研究生60余人，所指導的10多篇博士論文中，獲得全國優秀博士學位論文1篇，提名全國優秀博士論文1篇，福建省優秀博士論文獎一等獎3篇等；帶領學生先后獲得2017年國際第三代半導體創新創業大賽廈門賽區團隊第一名、2019全國移動互聯創新大賽福建賽區一等獎等，榮獲“全國優秀博士學位論文指導教師”、“廈門市優秀教師”、“寶鋼優秀教師獎”、“盧嘉錫優秀導師獎”等稱號?！?/div>

主持過國家“973”、“863”、國家自然科學基金重大研究計劃和重點項目等數十項研究。先后研發了首臺強磁場晶體生長、納米級空間分辨率應變和電荷測試、原位納米結構綜合測試等設備。在高Al組分AlGaN量子結構等設計與生長及其深紫外表面等離子激元光源研發方面，取得了系列開拓性成果，被同行稱為“表面等離子激元深紫外光子學研究第一人”。在新型太陽能電池研發方面，首次將寬帶隙半導體調制到對太陽光中紅外線有效吸收，該成果2012年以“廈大研發新型太陽能光伏電池”名稱被列入最新十二大太陽能光伏電池新技術。在低維晶格及其耦合誘導的半導體新功能及其應用方面，取得多項重要的研究進展，獲得了國內外同行的高度評價。先后在Nature Materials、Nature Communications、Nano Letters、Advanced Materials、Laser Photonics & Reviews等國際著名學術刊物上發表論文300余篇，他引約4500次；授權國家發明專利50余項；部分成果完成了向重要企業的技術轉讓，并實現產品產業化，年產值十多億元，部分產品在國家航空航天領域得到廣泛應用。榮獲國家政府特殊津貼、福建省科技進步一等獎、廈門市科技進步一等獎等。

先后建立了超高真空、極低溫、強磁場、晶體生長及原位綜合測量等實驗條件；建立了福建省半導體材料及應用重點實驗室、半導體微納光電子材料與器件教育部工程研究中心，被譽為“廈門大學實驗物理奠基人”。榮獲“福建省先進工作者”、“廈門市勞動模范”等稱號。同時，推動了國家半導體照明產業化基地（廈門）的建設工作，牽頭與行業龍頭企業等創建了福建省半導體光電材料及其高效轉換器件協同創新中心，為廈門成為國家乃至世界的半導體產業重鎮做出重要貢獻，榮獲“廈門市科技創新杰出人才”。

王軍喜，中科院半導體所研究員，中國科學院半導體照明研發中心主任，中科潞安半導體研究院院長。1998年獲得西北大學物理學學士學位，2003年獲得中國科學院半導體研究所工學博士學位，自2003年至今在中國科學院半導體研究所工作。從事氮化物材料生長和器件研制工作八年，熟悉MOCVD 、MBE和HVPE生長設備和相關材料分析表征方法。使用國產NH3-MBE生長設備，獲得了具有當時國際水平的高遷移率GaN外延片；做為骨干科研人員，所在小組研制成功了壓電極化效應誘導的高質量AlGaN/GaN二維電子氣結構材料，并用所研制的材料與信息產業部第十三研究所合作研制出了我國第一只氮化物高溫HEMT器件；負責自主設計并制備了一臺HVPE厚膜GaN材料生長設備，獲得了厚膜GaN材料生長速率超過了每小時200μm，晶體質量位于國內領先水平；在“十一五”期間，負責氮化物MOCVD材料生長研究，主要方向為GaN基LED材料生長研究和紫外LED材料生長研究。

李世瑋，香港科技大學先進微系統封裝中心主任、香港科技大學深圳研究院常務副院長以及佛山市香港科技大學LED-FPD工程技術研究開發中心主任，研究領域覆蓋晶圓級和三維微系統封裝、硅通孔和高密度互連、LED封裝和半導體照明技術、無鉛焊接工藝及焊點可靠性。其團隊在國際學術期刊及會議論文集上發表了近三百篇技術論文，其中九篇獲得最佳/優秀論文獎，獲頒多項國際技術成就獎。李教授與其他專家學者合作撰寫了三本微電子封裝與組裝方面專書，其中《芯片尺寸封裝：設計、材料、工藝、可靠性及應用》、《應用無鉛、無鹵素和導電粘接劑材料的電子制造》分別被清華大學出版社、化學工業出版社翻譯成中文在國內發行。2012年至2013年間當選為IEEE CPMT的全球總裁，是該國際學術組織成立近50年來的首位華人領導。

許福軍，北京大學物理學院副教授，主要研究領域為寬禁帶半導體材料和器件物理。近年來主要開展AlGaN 基深紫外發光材料和器件研究。在AlN、AlGaN及其低維量子結構外延生長、缺陷控制和AlGaN的電導率調控等方面開展了較系統的研究工作，在高質量AlN、高效率AlGaN量子阱以及高載流子濃度p型AlGaN方面均達到國際先進水平，并在團隊支撐下突破了高性能深紫外發光二極管（LED）器件研制的關鍵技術，正推動科研成果落地付諸產業化實踐。近年來，作為負責人承擔國家自然科學面上基金3項；作為子課題負責人參與國家重點研發計劃項目1項、北京市科委重點項目1項，山東省重點研發計劃項目1項和廣東省重點研發計劃項目1項。迄今以一作/通訊作者在Applied Physics Letters、Optical Express等期刊上共發表SCI 收錄論文30多篇，獲得/申請國家發明專利10多件。

寧靜，美國德克薩斯大學聯合培養博士，西安電子科技大學華山學者菁英教授，隸屬于西安電子科技大學郝躍院士團隊、寬禁帶半導體國家工程研究中心，現任陜西省石墨烯聯合實驗室副主任。已入選陜西省青年科技新星（2020）、陜西省高?？茀f青年人才托舉計劃（2018）。長期從事于研究新型GaN維度調控異質結構與光電集成，針對寬禁帶半導體異質集成與界面調控的關鍵共性問題，從物性、外延生長到功能器件進行了系統深入研究。先后主持和參與了國家自然科學基金、國家重大科技專項、國家重點研發計劃、863項目、973計劃等項目。已在國際高水平學術期刊發表 SCI 一作或通訊作者論文共50余篇，其中多篇獲得Advanced Functional Materials、Small、Journal of Materials Chemistry A 、ACS Applied Nano Materials國際知名期刊的封面論文（Cover）。授權第一發明人國家發明專利 13項及國際專利 4項。在國內外學術會議上作邀請報告 16次，分會報告 9 次。

江灝，中山大學電子與信息工程學院教授，廣東省化合物半導體材料與器件研究與開發工程技術中心主任，主要從事III族氮化物半導體外延中缺陷抑制與電導調控，增益型InGaN基可見光、AlGaN基紫外光電探測技術，以及發光技術研究。

陳志濤，廣東省科學院半導體研究所所長、教授，2008年赴日本名古屋工業大學從事財團特任研究員工作，2012年回國任廣東半導體照明產業技術研究院副院長，2016年3月任廣東省半導體產業技術研究院副院長（主持工作），2018年6月任廣東省半導體產業技術研究院院長。長期從事寬禁帶半導體材料與器件技術開發，在材料生長、器件工藝、測試分析、器件應用等方面取得有一定意義的創新成果，部分成果獲得實際應用。申請發明專利50余件，發表論文60余篇。兼任中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會秘書長，廣東省半導體光源產業協會副會長。

魏同波，中科院半導體研究所研究員、博士生導師。主要從事氮化物材料外延與高效發光器件研究，先后主持了國家重點研發計劃項目、863重大項目子課題和5項國家自然基金。目前已在氮化物領域發表學術論文140余篇，其中以一作或通訊在Adv. Mater.、J. Am. Chem. Soc.、Adv. Sci. Adv. Function. Mater.、Nano Energy等發表SCI論文80余篇，引用3000余次，獲得授權專利30余項。目前擔任半導體學報編委和發光學報青年編委。

最新日程如下：

備注：日程或有微調，皆以現場為準。

附件：論壇資料

第七屆國際第三代半導體論壇
暨第十八屆中國國際半導體照明論壇

The 7th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors
&The 18th China International Forum onSolid State Lighting

IFWS & SSLCHINA 2021

國際第三代半導體論壇（IFWS）是第三代半導體產業在中國地區的年度盛會，是前瞻性、全球性、高層次的綜合性論壇。會議以促進第三代半導體與電力電子技術、移動通信技術、紫外探測技術和應用的國際交流與合作，引領第三代半導體新興產業的發展方向為活動宗旨，全面覆蓋行業基礎研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應用的創新發展，聯結產、學、研、用，提供全球范圍的全產業鏈合作平臺。在過去的六年時間里，IFWS延請寬禁帶半導體領域國際頂級學術權威分享最前沿技術動態，已發展成具有業界影響力的綜合性專業論壇。

中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）是半導體照明領域最具規模、參與度最高、口碑最好的全球性專業論壇。論壇以促進半導體照明技術和應用的國際交流與合作，引領半導體照明產業的發展方向為活動宗旨，全面覆蓋行業工藝裝備、原材料，技術、產品與應用的創新發展，提供全球范圍的全產業鏈合作平臺，致力于拓展業界所關注的目標市場，以專業精神恒久締造企業的商業價值。在過去的十七年里，SSLCHINA邀請了包括諾貝爾獎得主在內的全球最頂級專家陣容，呈現了超過1800個專業報告，累計參會代表覆蓋全球70多個國家逾26500人次。

國際第三代半導體論壇與中國國際半導體照明論壇同時同地舉辦，同臺匯力，相映生輝，放眼LED+和先進電子材料更廣闊的未來。

論壇長期與IEEE合作。投稿的錄取論文會被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發表，IEEE是EI檢索系統的合作數據庫。目前，論壇同期論文已開啟征集，論壇長期與IEEE合作。投稿的錄取論文會被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發表，IEEE是EI檢索系統的合作數據庫。

2021先進半導體技術應用創新展（CASTAS 2021）也同時招展中，歡迎業界人士的參與其中，對接資源，洽談商機，共商產業發展大計。

據了解，目前論壇組織工作正有序開展中，以下為會議最新信息：

論壇信息

會議時間：2021年12月6-8日

會議地點：深圳會展中心（福田區）

會議住宿：深圳·大中華希爾頓酒店

論壇主題：創芯生態碳索未來

主辦單位

國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）

第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）

論文重要期限及提交方式

口頭報告演示文件（PPT或PDF）與POSTER電子版提交截止日：2021年11月28日

備注：目前已經進入專家審稿程序，在全文提交截止前仍可繼續投稿，歡迎大家直接投全文！