近日，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦的第七屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會(huì)展中心舉行。

 
河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院徐庶教授

期間，“SSLCHINA 2021：半導(dǎo)體照明芯片、封裝、模組及可靠性”分論壇由廣東中民工業(yè)技術(shù)創(chuàng)新研究院有限公司、旭宇光電（深圳）股份有限公司、有研稀土新材料股份有限公司、江蘇博睿光電有限公司聯(lián)合協(xié)辦支持。會(huì)上，河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院徐庶教授現(xiàn)場(chǎng)分享了“無(wú)機(jī)量子點(diǎn)復(fù)合熒光粉的制備及LED應(yīng)用”主題報(bào)告。報(bào)告分享了關(guān)于量子點(diǎn)應(yīng)用穩(wěn)定性問(wèn)題，表面修飾和氧化物包覆研究進(jìn)展以及復(fù)合材料制備和LED應(yīng)用等。

 

徐庶教授表示，量子點(diǎn) (QD)以其優(yōu)越的光學(xué)特性和與micro/mini-LED應(yīng)用的兼容性引起了廣泛的研究興趣。 然而，量子點(diǎn)與LED芯片的集成封裝應(yīng)用仍然面臨熒光猝滅和熱誘導(dǎo)退化的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。

 

他介紹，寬禁帶無(wú)機(jī)氧化物包覆是提升量子點(diǎn)穩(wěn)定性最佳方式之一。有機(jī)金屬鹽表面修飾有效提升量子點(diǎn)水氧阻隔和穩(wěn)定性。表面反應(yīng)逐步提升穩(wěn)定性策略，目前的量子點(diǎn)/鈣鈦礦表面修飾和氧化物制備方法不利于表面生長(zhǎng)晶態(tài)氧化物，需要中間媒介層以實(shí)現(xiàn)外延生長(zhǎng)。PbS量子點(diǎn)表面原位反應(yīng)修飾有機(jī)金屬鹽，可提升水氧阻隔性能和穩(wěn)定性。CsPbBr3納米晶表面原位反應(yīng)修飾羧酸鉛和羧酸鋅，可提升水氧阻隔性能和光、熱穩(wěn)定性。

 

該報(bào)告探討了與量子點(diǎn)濃度相關(guān)的熒光猝滅和光散射體在光轉(zhuǎn)換效率中的作用。并研究制備了QDs/SiO2-BN無(wú)機(jī)組裝納米復(fù)合材料 (QDAs)，并通過(guò)光學(xué)和熱仿真結(jié)合實(shí)驗(yàn)研究了其在LED片上封裝中的光學(xué)和熱行為。QDAs結(jié)構(gòu)為QDs在LED封裝中提供了增強(qiáng)的光散射、高導(dǎo)熱性和水氧阻隔保護(hù)。 所制備的量子點(diǎn)轉(zhuǎn)換LED（QCLED）的工作溫度顯著降低，同時(shí)大大提高了光轉(zhuǎn)換效率和長(zhǎng)期穩(wěn)定性。