近日，第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）聯合主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司與半導體產業網共同承辦。
期間，由廣東中民工業技術創新研究院有限公司、中微半導體設備（上海）股份有限公司、佛山市國星光電股份有限公司、北京康美特科技股份有限公司協辦支持的“Mini/Micro-LED技術“分會如期舉行。會上，臺灣陽明交通大學特聘教授郭浩中做了題為”用于顯示器和可見光通訊的靈活全彩Micro-LED“的視頻主題報告，分享了嵌入量子點的高均勻性和高效率納米多孔氮化鎵用于顏色轉換Micro-LED顯示器、具有VLC應用潛力的高穩定性全彩顯示設備、高速綠色半極性μLED陣列等方面的最新研究進展與成果。
研究顯示，納米多孔GaN Micro-LED陣列需要3μm的厚度才能實現高色彩轉換，展示了發散角小、成本低的優勢；通過微型噴墨打印技術將量子點加載到納米孔中，以實現全彩色顯示應用；綠色和紅色NPQD Micro-LED由于光程長，實現了90.3%和96.1%的高光轉換效率，增加了激發QD的機會；NP-GaN中綠色和紅色QD的高照度均勻度分別為90.7%和91.2%，并實現了97.3% NTSC和89.2% Rec.2020的寬色域。半極性μLED顯示開啟電壓為3.6V，波長偏移為 2.7nm，效率下降69%@7076.4A/cm2，光譜FWHM穩定。
PNC-μLED器件顯示出顯著的色彩穩定性和寬色域特性，由半極性μLED和PNC組裝而成的RGB像素達到了NTSC的127.23% 和Rec.2020 的95.00%。通過引入芯片結構優化和ALD鈍化，該器件顯示了655 MHz的最高3-dB帶寬，峰值波長為451 nm@7076.4A/cm2。
半極性 μLED陣列在寬工作范圍內顯示2.5V 的開啟電壓、10.2nm的波長偏移和 9.48nm的光譜FWHM。0.33比率的良好極化特性有利于VLC應用，通過引入優化的芯片結構和ALD鈍化，器件顯示了1125MHz@2.5kA/cm2的最高3-dB 帶寬。對于NRZ-OOK格式和位加載離散多音 (BL-DMT)QAM-OFDM，22個綠色μ-LED陣列實現了超過1.5Gbit/s和5.5Gbit/s的最大數據速率。
嘉賓簡介
郭浩中教授，師承紅光LED之父Nick Holonyak院士及Gregory Stillman院士，專長化合物半導體、半導體鐳射、III-V族第三代化合物半導體元件開發與應用，在光電領域擁有超過20年的研究資歷，在ACS Nano、ACS Nano Lett.、Advanced Materials、Optics Express, APL, IEEE PTL等國際頂尖學術期刊發表累積發表超過500篇國際期刊及300篇國際研討會論文，論文引用總數達16738次，H-index指數58，獲得國內外專利37件、專書4本。
（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）
