Micro-LED顯示技術具有高亮度、高對比度、高分辨率、低功耗、長壽命等優點，是繼LCD和OLED之后的下一代顯示技術，但其大規模商業化面臨著技術不成熟、成本高等難題。技術瓶頸之一是如何實現Micro-LED的全彩化。雖然已有幾種巨量轉移技術方案如彈性印章轉印、靜電轉印等來解決這些問題并取得了成功，但制造能滿足AR/VR應用的高分辨率全彩Micro-LED顯示器仍是巨大挑戰。
采用藍光Micro-LED結合量子點色轉換陣列的技術路線是可行的全彩化方案。藍光Micro-LED制備工藝成熟、成本相對較低。量子點色轉換技術只需要整體地制造具有極高像素密度的藍光Micro-LED顯示器，通過圖案化的量子點色轉換陣列將其部分藍色像素分別轉換成紅色和綠色，即可實現全彩顯示。此外，量子點色轉換陣列還可以作為OLED的色轉換層和LCD的彩色濾光片以提高效率和色域。
中國科學院長春光學精密機械與物理研究所應光室梁靜秋團隊與北京理工大學鐘海政團隊合作，提出了運用微孔陣列填充及拋光技術對鈣鈦礦量子點進行圖案化，制作了最小尺寸為2μm的量子點色轉化陣列，并利用套刻的工藝實現雙色量子點色轉化陣列的制備。該研究提出的方法具有生產成本低、加工速度快、靈活性和通用性強等優點，為鈣鈦礦量子點的圖案化提供了新思路，并為Micro-LED產業化提出了可行的技術路線。相關研究成果以Micropore Filling Fabrication of high resolution patterned PQDs with a pixel size less than 5 μm為題，發表在Nanoscale上，并入選Nanoscale 2022年度熱門論文集。
a、量子點色轉化陣列制備流程，b、像素尺寸40μm和6μm圓形的綠色圖案化鈣鈦礦量子點陣列
a-b、兩英寸玻璃片上的綠/紅色量子點色轉化陣列在紫外光激發下的光學圖像及其各自的局部放大圖，c、長春光機所所標的熒光圖像及其局部放大圖，d、對準標記的熒光圖像，e-f、綠/紅色量子點“CAS”字樣圖案
a、套刻法制作雙色量子點色轉化陣列流程圖；b、單個像素尺寸為10μm的雙色量子點陣列圖像；c、單個像素尺寸為30×10μm的雙色量子點陣列圖像，比例尺為200μm
原文鏈接：
https://pubs.rsc.org/en/Content/ArticleLanding/2022/NR/D2NR01115H
