6月6日，深圳市發展和改革委員會發布《深圳市培育發展半導體與集成電路產業集群行動計劃(2022-2025年)》，提出擴大半導體專業招生規模，重點培養一批高層次、復合型人才；重點突破CPU、GPU、DSP、FPGA等高端通用芯片的設計，布局人工智能芯片、邊緣計算芯片等專用芯片的開發；加強對設計企業流片支持。到2025年，集成電路產業營收突破2500億元，規劃建設4個以上專業集成電路產業園。
半導體與集成電路產業主要包括芯片設計、制造、封裝測試，以及相關原材料、生產設備和零部件等。深圳是我國半導體與集成電路產品的集散中心、應用中心和設計中心之一，近年來產業保持快速發展態勢，2021年深圳市集成電路產業主營業務收入超過1100億元，擁有國家級集成電路設計產業化基地、國家第三代半導體技術創新中心、國家示范性微電子學院等重大創新平臺。
深圳擁有上下游資源優勢，上游設計能力突出，下游應用場景廣泛；深圳創新要素市場化配置程度高、選人用人機制靈活，便于匯聚高端人才，有利于加速技術創新及成果轉化。但集成電路制造業規模有待提升，不能滿足產業發展需求；工業軟件、生產設備和關鍵材料對外依存度較高；重大功能型平臺布局有待強化，產業共性問題需要加快解決；專業規劃的集成電路產業園區還不夠。
為此《行動計劃》提出，到2025年，產業營收突破2500億元，形成3家以上營收超過100億元和一批營收超過10億元的設計企業，引進和培育3家營收超20億元的制造企業，集成電路產業能級明顯提升，產業結構更加合理。
到2025年，設計行業骨干企業研發投入強度超10%，發明專利密集度和質量明顯提高，國產EDA軟件市場占有率進一步提升，實現一批關鍵技術轉化和批量應用，形成完善的人才引進和培養體系，建成5個以上公共技術服務平臺。
建成較大規模生產線，設備、材料、先進封測等上下游環節配套完善，形成從襯底、外延到芯片制造到器件應用完整的寬禁帶半導體產業鏈條。到2025年，產業鏈國產化水平進一步提升，本地產業鏈配套和協作能力顯著增強，規劃建設4個以上專業集成電路產業園。
在高端芯片突破工程方面，重點突破CPU、GPU、DSP、FPGA等高端通用芯片的設計，布局人工智能芯片、邊緣計算芯片等專用芯片的開發。以5G通信產業為牽引，全面突破射頻前端芯片、基帶芯片、光電子芯片等核心芯片。聚焦智能“終端”等泛物聯網應用，推動超低功耗專用芯片、NB-IoT芯片的快速產業化。圍繞智能汽車等新興業態，積極培育激光雷達等上游芯片供應鏈。加強對設計企業流片支持。
在先進制造補鏈工程方面，加強與集成電路制造企業合作，規劃建設28納米及以上工藝制程晶圓代工廠，規劃建設BCD、半導體激光器等高端特色工藝生產線。支持建設高端片式電容器、電感器、電阻器等電子元器件生產線。支持代表新發展方向的半導體與集成電路制造重大項目落戶，引導國有產業集團、社會資本對項目進行股權投資。鼓勵既有集成電路生產線改造升級。
在先進封測提升工程方面，緊貼市場需求加快封裝測試工藝技術升級和產能提升，形成與設計、制造相匹配的封測能力。加快大功率MOSFET器件和高密度存儲器件封裝技術的研發和產業化。大力發展晶圓級、系統級等先進封裝核心技術，以及脈沖序列測試、IC集成探針卡等先進晶圓級測試技術。支持獨立測試分析服務企業或機構做大做強，與大型封裝測試企業形成互補。
在化合物半導體趕超工程方面，提升氮化鎵和碳化硅等化合物半導體材料與設備研發生產水平，加速器件制造技術開發、轉化和首批次應用。面向5G通信、新能源汽車、智能終端等新興應用市場，大力引進技術領先的化合物半導體企業。引導企業參與關鍵環節技術標準制定，搶占產業制高點，提升產品市場主導權和話語權。加速產品驗證應用，鼓勵企業推廣試用化合物半導體產品，提升系統和整機產品的競爭力。
在人才引育聚力工程方面，加強現有高校的教育研發環境建設，擴大半導體專業招生規模，重點培養一批高層次、復合型人才。
《行動計劃》提出，要形成東部硅基、西部化合物、中部設計的空間布局。以南山、福田、寶安、龍華、龍崗、坪山6個區為重點發展對象，其中龍崗兼具研發設計和生產制造功能，南山、福田為研發設計，寶安、龍華、坪山為生產制造。
南山和福田區定位為設計企業集聚區，重點突破高端芯片設計，鞏固深圳在集成電路設計領域的優勢。寶安和龍華區定位為化合物半導體集聚區，打造從材料到芯片制造到器件應用完整的寬禁帶半導體產業鏈條。龍崗和坪山區定位為硅基半導體集聚區，重點推進一系列硅基集成電路重大項目落地，布局從前端研發到芯片制造的產業鏈條。（中國網）
