近年來(lái)隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新建產(chǎn)能及擴(kuò)產(chǎn)速度加快，疊加新冠疫情造成物流運(yùn)輸服務(wù)受阻導(dǎo)致國(guó)外材料供應(yīng)、零部件交期不斷延遲，為我國(guó)一些具有高成長(zhǎng)潛力的國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料零部件企業(yè)帶來(lái)國(guó)產(chǎn)替代的機(jī)會(huì)。然而，我國(guó)半導(dǎo)體材料零部件產(chǎn)業(yè)作為進(jìn)行技術(shù)追趕的后發(fā)產(chǎn)業(yè)，除了要彌補(bǔ)在基礎(chǔ)工藝研究投入和專業(yè)人才培養(yǎng)上的差距外，由于半導(dǎo)體材料零部件行業(yè)本身的特點(diǎn)，與國(guó)外領(lǐng)先企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)時(shí)還面臨諸多挑戰(zhàn)。當(dāng)前，國(guó)際龍頭企業(yè)大力完善產(chǎn)業(yè)布局，強(qiáng)化競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，沿產(chǎn)業(yè)鏈上下游延伸趨勢(shì)日益明顯，全產(chǎn)業(yè)鏈布局進(jìn)一步提升了其競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。在這種形勢(shì)下，國(guó)內(nèi)企業(yè)如何破局是需要國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)界必須思考和面對(duì)的問(wèn)題。

 

 

強(qiáng)芯沙龍活動(dòng)，是由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)策劃主辦，主要邀請(qǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈條“產(chǎn)學(xué)研用資”多方高層代表參與云端對(duì)話，把脈產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀，尋“芯”問(wèn)道，促進(jìn)合作！強(qiáng)芯沙龍的初衷也是為大家行業(yè)提供一個(gè)有益的交流平臺(tái)，希望通過(guò)一期期的有益探討，能為業(yè)界帶來(lái)更多有價(jià)值的信息。

 

強(qiáng)芯沙龍第一期：碳化硅功率器件與工藝專場(chǎng)得到了爍科晶體李斌總經(jīng)理，泰科天潤(rùn)董事長(zhǎng)、總經(jīng)理陳彤博士，國(guó)宏中宇趙然總經(jīng)理，中車科學(xué)家劉國(guó)友博士，中科創(chuàng)星董事總經(jīng)理盧小保先生的大力支持，會(huì)后我們回訪收到了諸多反饋，紛紛點(diǎn)贊直播參與嘉賓資深，討論的問(wèn)題和嘉賓回答都十分到位！經(jīng)過(guò)嘉賓討論分享，更能加速觀眾行業(yè)認(rèn)知，傳遞行業(yè)真實(shí)聲音，反映產(chǎn)業(yè)真實(shí)現(xiàn)狀，產(chǎn)業(yè)鏈上下游間的信息傳播更為實(shí)際、更貼近市場(chǎng)。

 

觀眾涵蓋第三代半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)、知名高校院所、投融資機(jī)構(gòu)、基金公司、學(xué)生、媒體等。有投資人反饋，強(qiáng)芯沙龍嘉賓和主持人討論的問(wèn)題很深入，主持人問(wèn)的和嘉賓回答的都十分精彩，比去有些企業(yè)現(xiàn)場(chǎng)盡調(diào)還要好。有研究機(jī)構(gòu)分析師表示：“強(qiáng)芯沙龍?zhí)澚?，我要再去看回看，嘉賓分享的信息很有價(jià)值，省的跑去企業(yè)調(diào)研了。>>>第一期點(diǎn)擊回看

 

6月22日（周三）15：00-17:00，強(qiáng)芯沙龍第二期聚焦：氮化鎵功率半導(dǎo)體材料與器件！本期特別邀請(qǐng)到：北京大學(xué)理學(xué)部副主任、寬禁帶半導(dǎo)體研究中心主任沈波教授，香港科技大學(xué)講座教授(Chair Professor)陳敬教授，晶湛半導(dǎo)體創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)兼總裁程凱博士，英諾賽科產(chǎn)品應(yīng)用副總經(jīng)理陳鈺林先生，并邀請(qǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長(zhǎng)趙璐冰博士擔(dān)任特邀嘉賓主持人。

 

值得關(guān)注的是，ISPSD 2022于5月22-25日在加拿大溫哥華舉行。功率半導(dǎo)體器件和集成電路國(guó)際會(huì)議（ISPSD）是功率半導(dǎo)體器件和集成電路領(lǐng)域在國(guó)際上最重要、影響力最強(qiáng)的頂級(jí)學(xué)術(shù)會(huì)議，它被認(rèn)為是功率半導(dǎo)體器件和集成電路領(lǐng)域的奧林匹克會(huì)議，一直以來(lái)都是國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界龍頭企業(yè)和全球知名學(xué)術(shù)科研機(jī)構(gòu)爭(zhēng)相發(fā)表和展示功率半導(dǎo)體前沿技術(shù)重要成果的舞臺(tái)。近幾年來(lái)，隨著政府支持和社會(huì)投入力度的不斷加大，我國(guó)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域取得可喜的進(jìn)步，并得到國(guó)際同行的認(rèn)可。陳敬教授（Kevin J. Chen）擔(dān)任ISPSD 2022大會(huì)副主席。同時(shí)還將擔(dān)任下一屆ISPSD 2023大會(huì)主席。屆時(shí)，陳敬教授將分享《從ISPSD2022 看氮化鎵功率電子的發(fā)展》為題的引言報(bào)告。

 

 

1、GaN HEMT不同技術(shù)路線的分析，各自優(yōu)缺點(diǎn)，適用于不同的可靠性要求、成本控制？

 

2、GaN功率器件不同應(yīng)用市場(chǎng)的發(fā)展情況，GaN的效率與Si比有多少提升，成本方面相差多少？目前在快充、數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用情況如何？

 

3、GaN功率器件在手機(jī)和新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用前景如何？GaN在OBC DCDC上是否有性能和系統(tǒng)成本優(yōu)勢(shì)？

 

4、臺(tái)積電在發(fā)展Si基GaN代工模式并不斷擴(kuò)充產(chǎn)能，國(guó)內(nèi)還是以IDM為主，哪種方式更適合國(guó)內(nèi)未來(lái)發(fā)展？目前6英寸和8英寸的綜合成本和性能如何，12英寸發(fā)展的時(shí)間表？

 

5、GaN-on-SOI、GaN on GaN、GaN IC等技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)和產(chǎn)業(yè)化可能性的判斷？

 

6、GaN 功率器件最新技術(shù)進(jìn)展，相較于Si和SiC目前來(lái)看，競(jìng)爭(zhēng)力對(duì)比；價(jià)格和成本進(jìn)展；目前制約的因素是哪些？Si上GaN在射頻領(lǐng)域的推進(jìn)情況和難點(diǎn)；相較于傳統(tǒng)的平面結(jié)構(gòu)，垂直結(jié)構(gòu)的前景.......等等。（直播間可在線向嘉賓提問(wèn)）

 

 

陳敬教授--香港科技大學(xué)講席教授

 

陳敬教授1988年獲得北京大學(xué)學(xué)士學(xué)位，并通過(guò)CUSPEA項(xiàng)目于1993年獲得美國(guó)馬里蘭大學(xué)帕克分校博士學(xué)位。他的行業(yè)實(shí)踐經(jīng)歷包括在日本NTT LSI實(shí)驗(yàn)室和美國(guó)安捷倫科技從事化合物半導(dǎo)體高速器件技術(shù)研發(fā)工作。

 

陳敬教授自2000年起在香港科技大學(xué)任教，現(xiàn)為電子和計(jì)算機(jī)工程系正教授。他曾在國(guó)際期刊和會(huì)議論文集中發(fā)表500余篇論文，其中包括國(guó)際電子器件會(huì)議IEDM發(fā)表28次. 在GaN電子器件技術(shù)方面曾獲得11項(xiàng)美國(guó)專利授權(quán)。他所帶領(lǐng)的團(tuán)隊(duì)目前的研究重點(diǎn)在于開(kāi)發(fā)用于功率電子、射頻/微波及耐惡劣環(huán)境電子等方面的GaN器件及集成電路技術(shù)。

 

他是IEEE Fellow， 2013年陳敬教授曾擔(dān)任《IEEE電子器件匯刊》“GaN電子器件”特刊的特邀編委。此外，他還擔(dān)任《IEEE電子器件匯刊》、《IEEE微波理論與技術(shù)匯刊》及《日本應(yīng)用物理雜志》的編輯。陳敬教授曾于2019年擔(dān)任在上海舉辦的IEEE第31屆國(guó)際功率半導(dǎo)體器件和集成電路研討會(huì)ISPSD2019的技術(shù)委員會(huì)主席，并將于2023年在深圳舉行的第35屆ISPSD2023擔(dān)任大會(huì)主席。

 

沈波 教授--北京大學(xué)理學(xué)部副主任、寬禁帶半導(dǎo)體研究中心主任、教授

 

沈波教授，現(xiàn)任北京大學(xué)理學(xué)部副主任、寬禁帶半導(dǎo)體研究中心主任、物理學(xué)院長(zhǎng)江特聘教授、國(guó)家杰出青年基金獲得者、基金委創(chuàng)新研究群體帶頭人，國(guó)家973計(jì)劃項(xiàng)目首席科學(xué)家、國(guó)家863計(jì)劃“半導(dǎo)體照明”重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組成員、國(guó)家863計(jì)劃“第三代半導(dǎo)體”重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組組長(zhǎng)、國(guó)家“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組成員。

 

1995年迄今一直從事III族氮化物（又稱GaN基）寬禁帶半導(dǎo)體材料、物理和器件研究，在GaN基量子結(jié)構(gòu)的MOCVD外延生長(zhǎng)、強(qiáng)極化/高能帶階躍半導(dǎo)體二維電子氣輸運(yùn)性質(zhì)、 寬禁帶半導(dǎo)體缺陷物理、GaN基微波射頻器件和功率電子器件、AlGaN基深紫外發(fā)光材料和器件等方面取得了在國(guó)內(nèi)外同行中有一定影響的研究成果。先后主持和和作為核心成員參加國(guó)家973計(jì)劃、863計(jì)劃和自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目等20多項(xiàng)國(guó)家級(jí)科研課題。迄今發(fā)表學(xué)術(shù)論文300多篇，論文被引用4000多次，獲得/申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利50多件，先后獲國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)、國(guó)家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)、江蘇省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)和教育部科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)。部分研究成果實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，并產(chǎn)生了顯著的經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益。

 

程凱博士--晶湛半導(dǎo)體創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)兼總裁

 

程凱博士，現(xiàn)任蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司董事長(zhǎng)、總裁,從事科研工作近20年。2002年畢業(yè)于清華大學(xué)電子工程系,獲本科和碩士學(xué)位,2003年留學(xué)比利時(shí),進(jìn)入魯汶大學(xué)和歐洲微電子研究中心(imec)聯(lián)合培養(yǎng)博士項(xiàng)目。2007年獲得中國(guó)國(guó)家優(yōu)秀自費(fèi)留學(xué)生獎(jiǎng)學(xué)金,2008年獲得電子工程博士學(xué)位。隨后在imec獲得永久職位,任資深科學(xué)家,致力于氮化鎵外延材料、器件設(shè)計(jì)等方面的研發(fā)。在國(guó)外期間,共申請(qǐng)國(guó)際發(fā)明專利15項(xiàng),已授權(quán)8項(xiàng),共發(fā)表論文108篇,文章引用過(guò)千次。

 

程凱在業(yè)界第一次制備出6英寸和8英寸硅上氮化鎵電力電子材料，是業(yè)界公認(rèn)的硅上氮化鎵外延技術(shù)的開(kāi)拓者之一。2012年3月，程凱選擇回國(guó)創(chuàng)業(yè)，創(chuàng)立晶湛半導(dǎo)體，致力于關(guān)鍵寬禁帶半導(dǎo)體--氮化鎵（GaN）外延材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。晶湛半導(dǎo)體也是目前國(guó)際上唯一可供應(yīng)300mm硅基氮化鎵外延產(chǎn)品的廠商。擁有國(guó)際先進(jìn)的氮化鎵外延材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地，致力于為高端光電、電力電子、微波射頻等領(lǐng)域提供高品質(zhì)氮化鎵外延材料解決方案。目前已在國(guó)內(nèi)外累計(jì)申請(qǐng)近400項(xiàng)專利，其中已獲得超100項(xiàng)專利授權(quán)。在氮化鎵外延領(lǐng)域已掌握多項(xiàng)核心技術(shù), 擁有完全獨(dú)立的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

 

2014年底，晶湛半導(dǎo)體就率先在全球首次發(fā)布商用8英寸硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品，經(jīng)有關(guān)下游客戶驗(yàn)證，該材料具備全球領(lǐng)先的技術(shù)指標(biāo)和卓越的性能，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)的空白。2021年9月，晶湛半導(dǎo)體又成功全球首發(fā)12英寸硅基電力電子氮化鎵外延片，贏得了業(yè)內(nèi)廣泛關(guān)注。2022年4月8日，蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司發(fā)布了其面向微顯示產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的Full Color GaN ?全彩系列外延片產(chǎn)品，并將LED外延片尺寸成功拓展至300mm。

 

陳鈺林先生--英諾賽科產(chǎn)品應(yīng)用副總經(jīng)理

 

陳鈺林先生，現(xiàn)任英諾賽科產(chǎn)品應(yīng)用副總經(jīng)理，曾供職于美國(guó)EPC公司7年，屬于國(guó)內(nèi)第一批推廣氮化鎵的技術(shù)人才，擁有17年電力電子半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)驗(yàn)和11年氮化鎵器件應(yīng)用及市場(chǎng)推廣經(jīng)驗(yàn)。在氮化鎵技術(shù)與應(yīng)用等方面有著豐富的經(jīng)驗(yàn)和敏銳的市場(chǎng)洞察力，已與國(guó)內(nèi)多家重大客戶建立了深入的合作伙伴關(guān)系。

 

英諾賽科科技有限公司作為國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵領(lǐng)域頭部企業(yè)，成立于2015年12月，是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高新技術(shù)企業(yè)，現(xiàn)擁有珠海、蘇州、深圳三大公司地點(diǎn)。公司成功建成投產(chǎn)全球首條200mm硅基氮化鎵晶圓與功率器件量產(chǎn)生產(chǎn)線，主要產(chǎn)品包括200mm硅基氮化鎵晶圓及30V-650V氮化鎵功率器件。受惠于高、低壓GaN產(chǎn)品出貨量大幅增長(zhǎng)，英諾賽科快充產(chǎn)品首次進(jìn)入一線筆電廠商供應(yīng)鏈。與此同時(shí)，其蘇州8英寸晶圓廠已步入量產(chǎn)階段，IDM模式優(yōu)勢(shì)將在GaN產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展中逐步顯現(xiàn)。

 

目前，英諾賽科擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產(chǎn)能力，主要產(chǎn)品涵蓋從低壓到高壓（30V-650V）的氮化鎵功率器件，并被廣泛應(yīng)用于激光雷達(dá)、數(shù)據(jù)中心、5G通訊、高密度高效快速充電、無(wú)線充電、車載充電器、LED燈照明驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。英諾賽科8英寸硅基氮化鎵的產(chǎn)能已達(dá)到每月10000片，并將逐漸擴(kuò)大至每月70000片以上。迄今為止，英諾賽科器件出貨量已超百萬(wàn)顆，而因器件性能或可靠性問(wèn)題的返廠率為0%。

 

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