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至芯半導體大功率紫外器件創新紀錄,單顆芯片發射功率達到210mW

放大字體  縮小字體 發布日期:2022-07-05 來源:半導體照明網瀏覽次數:676
半導體照明網獲悉:2022年7月,位于中國杭州的一家半導體企業——至芯半導體有限公司(BeyondSemi)公布了震驚世界的消息,中國企業在日盲深紫外器件方面取得重大突破,單顆45mil*45mil芯片的發射功率達到了210mW,創造了最新的世界紀錄。
 
該大功率紫外器件,經權威第三方檢測機構檢測,在注入電流500mA的條件下,峰值波長271nm,輸出光功率達到209.59mW,使得UVC紫外芯片在殺菌效率方面達到新的高度。(參考附件)
 
至芯半導體有限公司(BeyondSemi)除了雄厚的海外專家團隊還有著強大的股東背景,成立之初即受到上市公司木林森和著名的步步高投資集團等股東的高度青睞,不僅在資金方面給予大力支持,同時在產業協同方面也給予極大賦能,推動紫外外延和芯片在紫外殺菌、紫外醫療、紫外探測以及紫外日盲通信等方面的全方位應用。
 
近年來中國紫外企業正在崛起,至芯半導體是其中之一,至芯半導體正著力打造2.0版本的紫外企業。如同企業的英文名BeyondSemi一樣,公司秉承超越、創新、引領的理念,超越原有1.0版本。至芯半導體是一家致力于建設國際領先的第三代半導體高新技術企業,專注于深紫外材料和芯片的研發、生產及應用開發,產業應用布局緊密。圍繞紫外殺菌、紫外醫療、紫外探測及紫外通信方向。公司有遠大的理想和使命,最新的發射芯片的功率超越200mW,只是公司既定的前期目標之一。中期目標就是實現紫外發射芯片WPE(發光效率)超過10%,同時開發出高靈敏度的日盲探測芯片,遠期目標就是實現日盲光通信的應用,打造中國半導體國際領軍企業。
 
附件:
 
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