第十七屆全國MOCVD學術會議在山西太原勝利閉幕

發布日期：2022-08-17 來源：半導體照明網瀏覽次數：1008

半導體產業網訊：8月17日，第十七屆全國MOCVD學術會議在山西太原勝利閉幕。

大會主席、半導體照明聯合創新國家重點實驗室主任李晉閩研究員，國家自然科學基金委員會信息學部副主任何杰，中北大學校長熊繼軍教授，北京大學理學部副主任、教授沈波，西安電子科技大學副校長張進成教授，鄭州大學副校長單崇新教授等嘉賓出席了閉幕式。

直面挑戰聚焦第三代半導體關鍵技術新進展

閉幕式的大會主題報告環節，圍繞第三代半導體技術一些關鍵難題分享了最新研究進展和成果。北京大學沈波教授帶來了題為“氮化物寬禁帶半導體大失配異質外延新進展”的主題報告；山東大學徐現剛教授（朱振博士代）做了題為“GaAs半導體激光器的研究進展”的主題報告；中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所徐科研究員（劉宗亮博士代）帶來了“氮化鎵單晶襯底生長與應用進展”的主題報告。山西師范大學校黨委副書記、校長許小紅教授主持了大會報告環節。

以氮化鎵、氮化鋁為代表的Ⅲ族氮化物寬禁帶半導體是研制短波長光電子器件和高頻、高功率電子器件的核心材料體系。由于缺少高質量、低成本的同質GaN和AlN襯底，氮化物半導體主要通過異質外延，特別是大失配異質外延來制備。由此導致的高缺陷密度、殘余應力成為當前深紫外發光器件、功率電子器件等氮化物半導體器件發展的主要瓶頸，影響了材料和器件性能的提升。

沈波教授在報告中，結合氮化物半導體面臨的大失配外延生長問題、詳細分享了藍寶石上AIN AIGaN的外延生長和p型/n型摻雜，Si上GaN、AIN的外延生長的最新研究進展和成果。提出了多種有針對性的的外延生長和p型/n型摻雜方法，發明了多種有針對性的外延生長方法。報告指出，由于異質外延體系大失配，強極性的特征，氮化物的半導體的外延生長和摻雜依然面臨一系列關鍵科學技術問題，需從生長動力學，缺陷物理和應力控制等角度開展系統的研究。

半導體激光器的理論和實踐都取得巨大成果。近年來,GaAs基大功率半導體激光器憑其優勢，在眾多領域得到廣泛應用。但是GaAs基大功率半導體激光器仍面臨著功率不足、發熱量大及光束質量差的問題。光電性能差是限制其應用的關鍵問題，如何進一步提高激光器的光電性能是半導體激光器面臨的挑戰。朱振博士在報告中，詳細分享了GaAs半導體激光器關鍵技術及最新研究進展，報告指出基于GaAs襯底的6x x（635-690），8 x x（780-880），9 x x（905-1060）nm系列的半導體激光器芯片在市場需求牽引下發展迅速，已經突破影響激光器的壽命和可靠性問題，實現了從材料、芯片、模組全鏈條產業化。

常見的氮化鎵器件為在異質襯底上長氮化鎵外延層制作成半導體器件。但由于使用的是異質襯底，材料之間存在著晶格失配與熱失配導致外延材料位錯密度比較高，阻礙了相關器件性能的提升及其穩定性。采用氮化鎵單晶襯底實現同質外延是提高氮化鎵外延層晶體質量進而提高氮化鎵器件的主要途徑。劉宗亮博士在報告中結合GaN材料生長制備的主要方法及挑戰，GaN單晶制備的主要方法與特點以及國際上GaN單晶生長研究進展等，分享了GaN單晶襯底生長的多種方法，難點解決以及研究成果。涉及報告指出，未來向更高功率密度，更小的芯片發展，需要高質量的同質外延技術，氮化鎵單晶襯底的發展，距離全面的市場成熟，仍然需要更大力度的創新研究。

匯智聚力探求技術與產業化難題解決之道

主題對話

隨后的主題對話環節，北京大學沈波教授主持下，中科院半導體所研究員趙德剛，中微半導體公司副總裁兼MOCVD產品事業部總經理郭世平，清華大學長聘副教授汪萊，中科院蘇州納米所研究員孫錢，南京大學教授陳鵬，中科院長春光機所研究員孫曉娟，南京大學教授陸海，江南大學教授敖金平，中國科學技術大學微電子學院執行院長、教授龍世兵，浙江大學研究員、電力電子技術研究所副所長楊樹，中科院微電子研究所研究員黃森等學界、業界中青代骨干力量齊聚，圍繞著“MOCVD外延技術和裝備面臨的挑戰和發展趨勢”與“碳化硅、氮化鎵和氧化鎵功率半導體的應用領域、關鍵科學技術問題及解決之道”兩大主題，臺上臺下展開探討，從不同的角度分享不同見解，觀點碰撞，氣氛熱烈。

大會組委會主任、中國科學院半導體研究所研究員王軍喜代表組委會介紹了本屆會議籌辦情況，本次會議得到了業界、學界廣泛的支持與積極參與，本屆會議為期兩天，包含開閉幕式兩場大會，四個主題分會。邀請報告50個，口頭報告62個，海報展示166張，論文摘要錄用280篇。根據注冊統計數據顯示參會代表超過500人，線上開閉幕式報告直播觀看人次超過5000+。根據注冊統計數據顯示超過200家單位機構參與，實際參會人數近700人。