一年一度行業(yè)盛會(huì)，第八屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2022）&第十九屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2022）將于2023年2月7-10日（7日?qǐng)?bào)到）在蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店召開。其中，氮化物襯底材料生長與外延技術(shù)分會(huì)作為重要分論壇，目前已經(jīng)確認(rèn)最新報(bào)告嘉賓及日程正式出爐！》》》點(diǎn)擊關(guān)于：第八屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第十九屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇
以碳化硅、氮化鎵等重要的第三代半導(dǎo)體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應(yīng)用。材料水平直接決定了器件的性能。對(duì)作為新材料的氮化鎵材料而言，尋找到更加合適的襯底是發(fā)展氮化鎵技術(shù)的重要目標(biāo)。氮化物襯底材料的生長與外延非常重要。
作為IFWS&SSLCHINA2022重要技術(shù)分會(huì)，“氮化物襯底材料生長與外延技術(shù)分會(huì)”得到英諾賽科、中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司、安徽亞格盛電子新材料有限公司、江蘇南大光電材料股份有限公司等單位的協(xié)辦支持，由北京大學(xué)理學(xué)部副主任、寬禁帶半導(dǎo)體研究中心主任沈波教授，江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長徐科研究員，中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所黎大兵研究員，江蘇第三代半導(dǎo)體研究院副院長畢文剛研究員，江蘇南大光電材料股份有限公司首席技術(shù)官楊敏博士等業(yè)內(nèi)知名專家共同召集。
目前分會(huì)邀請(qǐng)到：美國斯坦福大學(xué)電氣工程副教授Srabanti CHOWDHURY，蘇州納維科技有限公司總經(jīng)理王建峰，中國科學(xué)院半導(dǎo)體所研究員趙德剛，南京大學(xué)教授修向前，安徽亞格盛電子新材料有限公司副總經(jīng)理俞冬雷，日本國立物質(zhì)材料研究所獨(dú)立研究員桑立雯，奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司首席執(zhí)行官吳亮博士，江蘇南大光電材料股份有限公司首席科學(xué)家楊敏，北京大學(xué)物理學(xué)院副教授許福軍，武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院研究員袁超，北京正通遠(yuǎn)恒科技有限公司總經(jīng)理劉兵武，江蘇第三代半導(dǎo)體研究院研發(fā)部負(fù)責(zé)人王國斌等科研機(jī)構(gòu)與知名企業(yè)專家代表共同參與，就氮化物襯底材料生長與外延技術(shù)分享主題報(bào)告。目前該分會(huì)日程已經(jīng)出爐，詳情如下：
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技術(shù)分論壇：碳化硅襯底材料生長與加工及外延技術(shù) Technical Sub-Forum: SiC Substrate Material Growth, Processing and Epitaxy Technologies |
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時(shí)間：2023年2月9日08:30-12:00 地點(diǎn)：蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店 • K5-6 Time: Feb 9th，2022，08:30-12:00 Location: Kempinski Hotel Suzhou • K5-6 |
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協(xié)辦支持/Co-organizer: 寧波恒普真空科技股份有限公司/NINGBO HIPER VACUUM TECHNOLOGY CO.,LTD 勵(lì)德愛思唯爾信息技術(shù)（北京）有限公司/Reed Elsevier Information Technology (Beijing) Co., Ltd. 廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司/Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,ltd 中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所/The 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation 德國愛思強(qiáng)股份有限公司/ AIXTRON 湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室/JFS Laboratory |
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屏幕尺寸 / Slides Size：16:9 |
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主持人 Moderator |
徐現(xiàn)剛 / XU Xiangang 山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長、教授 Professor & Dean of Institute of Novel Semiconductors, Shandong University 陳小龍 / CHEN Xiaolong 中國科學(xué)院物理研究所功能晶體研究與應(yīng)用中心主任、研究員 Professor and Director of Research & Development Center for Functional Crystals at the Institute of Physics, CAS |
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08:30-08:50 |
4H碳化硅單晶的制備和加工技術(shù)進(jìn)展 Progress of the growth and processing of monocrystalline 4H silicon carbide 皮孝東——浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院副院長、教授 PI Xiaodong——Deputy Dean & Porfessor of Hangzhou Global Scientific and Technological Innovation Center, Zhejiang Univerisity |
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08:50-09:10 |
大尺寸 Diameter Enlargement and Substrate Preparation of Large Size 4H SiC Single Crystals 陳秀芳——南砂晶圓副總經(jīng)理，山東大學(xué)教授 CHEN Xiufang——Deputy General Manager of Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,ltd, Professor of Shandong University |
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09:10-09:30 |
碳化硅外延與晶圓制造技術(shù) Silicon carbide epitaxy and wafer manufacturing technology 宣融——南京百識(shí)電子科技有限公司首席執(zhí)行官 XUAN Rong——CEO of Nanjing Baizhi Electronic Technology Co., Ltd |
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09:30-09:50 |
碳化硅及其他化合物半導(dǎo)體外延大規(guī)模量產(chǎn)方案 High Volume Manufacturing of Sic and Other Compound Semiconductor Epitaxy 方子文——德國愛思強(qiáng)股份有限公司中國區(qū)副總經(jīng)理 FANG Ziwen——Deputy General Manage，China AIXTRON SE |
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09:50-10:10 |
全球科研信息賦能第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)創(chuàng)新與發(fā)展——基礎(chǔ)研究及科研策略分析Global scientific research information empowers innovation and development of third-generation semiconductor materials technology - analysis of basic research and scientific research strategies 賈維煒——勵(lì)德愛思唯爾信息技術(shù)（北京）有限公司研究員 JIA Weiwei——Researcher of Reed Elsevier Information Technology (Beijing) Co., Ltd. |
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10:10-10:25 |
茶歇 / Coffee Break |
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10:25-10:45 |
液相法碳化硅單晶生長研究進(jìn)展 Recent progress on the growth of SiC single crystals from high temperature solutions 李 輝——中國科學(xué)院物理研究所副研究員 LI Hui——Associate Professor of Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences |
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10:45-11:05
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碳化硅單晶技術(shù)進(jìn)展及挑戰(zhàn) Progress and challenge of silicon carbide single crystal technology WANG Yingmin——Chief Expert of CETC 46 |
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11:05-11:25 |
Sic Wafer磨拋加工技術(shù)進(jìn)展 張植芃——臺(tái)灣技創(chuàng)工業(yè)股份副總經(jīng)理 CHANG Zhifan ——Deputy General Manager of PEEDFAM INCORPORATED |
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11:25-11:45 |
200 mm碳化硅晶體生長仿真：基于氣相導(dǎo)流板調(diào)控的傳質(zhì)過程優(yōu)化 Optimized mass transport for 200-mm silicon carbide bulk growth by a designed gas deflector 尹君——廈門大學(xué)薩本棟微米納米科學(xué)技術(shù)研究院副教授 YIN Jun——Associate Professor of Xiamen Univsersity |
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11:45-12:00 |
超快激光輔助加工碳化硅襯底晶圓的研究 The study of ultra-fast laser assisted processing of SiC substrate wafer 陳沛——北京工業(yè)大學(xué)副教授 CHEN Pei——Associate Professor of Beijing University of Technology |
【部分嘉賓簡介】
沈波，北京大學(xué)理學(xué)部副主任、寬禁帶半導(dǎo)體研究中心主任、物理學(xué)院長江特聘教授、國家杰出青年基金獲得者、基金委創(chuàng)新研究群體帶頭人，國家973計(jì)劃項(xiàng)目首席科學(xué)家、國家863計(jì)劃“半導(dǎo)體照明”重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組成員、國家863計(jì)劃“第三代半導(dǎo)體”重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組組長、國家“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組成員，享受國務(wù)院特殊津貼。先后在南京大學(xué)、中國科技大學(xué)和日本東北大學(xué)獲得學(xué)士、碩士和博士學(xué)位。曾任日本東京大學(xué)產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究所研究員，東京大學(xué)先端科技研究中心、千葉大學(xué)電子學(xué)與光子學(xué)研究中心客座教授、日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所訪問教授。
1995年迄今一直從事III族氮化物（又稱GaN基）寬禁帶半導(dǎo)體材料、物理和器件研究，在GaN基量子結(jié)構(gòu)的MOCVD外延生長、強(qiáng)極化/高能帶階躍半導(dǎo)體二維電子氣輸運(yùn)性質(zhì)、 寬禁帶半導(dǎo)體缺陷物理、GaN基微波射頻器件和功率電子器件、AlGaN基深紫外發(fā)光材料和器件等方面取得了在國內(nèi)外同行中有一定影響的研究成果。先后主持和和作為核心成員參加國家973計(jì)劃、863計(jì)劃和自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目等20多項(xiàng)國家級(jí)科研課題，先后與華為、京東方、彩虹集團(tuán)、廣東光大集團(tuán)和中國電科13所、55所等企業(yè)開展了一系列科研合作。迄今發(fā)表學(xué)術(shù)論文300多篇，論文被引用4000多次，獲得/申請(qǐng)國家發(fā)明專利50多件，在國內(nèi)外學(xué)術(shù)會(huì)議做大會(huì)和分會(huì)邀請(qǐng)報(bào)告20多次， 多次擔(dān)任國際學(xué)術(shù)會(huì)議顧問委員會(huì)、程序委員會(huì)、組織委員會(huì)主席和委員，先后獲國家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)、國家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)、江蘇省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)和教育部科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)。部分研究成果實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，并產(chǎn)生了顯著的經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益。
徐科，中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所副所長、研究員，江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長。國家杰出青年基金獲得者。1988～1995年就讀于西安交通大學(xué)，獲碩士學(xué)位，1998年于中科院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所獲博士學(xué)位。1999～2002年在日本千葉大學(xué)光電子研究中心做博士后，2002～2004年在日本科學(xué)技術(shù)振興事業(yè)團(tuán)，參加超高速省電力高性能納米器件/系統(tǒng)研發(fā)項(xiàng)目，2004～2006年任教于北京大學(xué)，2006年起加入中科院蘇州納米所，任測(cè)試分析平臺(tái)主任。曾榮獲2007年“蘇州工業(yè)園區(qū)首屆科技領(lǐng)軍人才”稱號(hào)、2008年“首屆姑蘇創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)人才”、“江蘇省雙創(chuàng)人才”稱號(hào)、2010年榮獲第十三屆中國科協(xié)“求是杰出青年獎(jiǎng)”、2011年蘇州市市長獎(jiǎng)，2012年榮獲全國產(chǎn)學(xué)研合作創(chuàng)新成果獎(jiǎng)、中國科學(xué)院國際合作青年科學(xué)家獎(jiǎng)，2013年獲得國家杰出青年基金資助，2013年蘇州市魅力科技人物。現(xiàn)任“863”計(jì)劃新材料領(lǐng)域主題專家、國家納米標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)委員。
一直圍繞高質(zhì)量氮化物半導(dǎo)體材料生長、相關(guān)材料與器件物理開展研究。開展了多種與GaN晶格匹配的單晶體生長，在LiAlO2(100)襯底上用MOCVD方法首次外延生長出非極性m面GaN；系統(tǒng)研究了GaN的MOCVD和MBE生長機(jī)理，氮化物的極性選擇、極性控制，闡明了極性對(duì)氮化銦(InN)生長的特殊影響，是國際上最早發(fā)現(xiàn)InN窄帶隙的研究者之一；近年來重點(diǎn)開展氮化物的氫化物氣相外延(HVPE)生長研究、極低缺陷密度氮化物材料的物性研究，研發(fā)出可以連續(xù)穩(wěn)定生產(chǎn)GaN單晶襯底的HVPE系統(tǒng)，開發(fā)出高質(zhì)量完整2英寸單晶氮化鎵襯底，并實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)；組織開展納米尺度空間分辨的綜合光電測(cè)試技術(shù)與裝備研制、微納尺度原位加工與測(cè)試技術(shù)的融合，并用于半導(dǎo)體中單個(gè)缺陷和低維結(jié)構(gòu)的新奇物性研究。發(fā)表SCI論文70余篇，申請(qǐng)專利40余項(xiàng)，國際專利一項(xiàng)，國際會(huì)議特邀報(bào)告20余次。承擔(dān)了國家自然科學(xué)基金、973重大研究計(jì)劃、863項(xiàng)目、科技部國際合作項(xiàng)目、中科院裝備研制項(xiàng)目、江蘇省重大科技成果轉(zhuǎn)化專項(xiàng)、發(fā)改委戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)化示范項(xiàng)目等。
Srabanti CHOWDHURY，美國斯坦福大學(xué)電氣工程副教授。Srabanti Chowdhury是電氣工程（EE）副教授和斯坦福大學(xué)預(yù)科學(xué)院高級(jí)研究員。她領(lǐng)導(dǎo)斯坦福大學(xué)寬帶隙實(shí)驗(yàn)室，在那里她的研究重點(diǎn)是寬帶隙（WBG）和超寬帶隙（UWBG）材料和器件工程，以實(shí)現(xiàn)高效緊湊的電子系統(tǒng)架構(gòu)，包括功率RF和計(jì)算應(yīng)用。除了氮化鎵之外，她的團(tuán)隊(duì)還在探索鉆石的各種主動(dòng)和被動(dòng)電子應(yīng)用，特別是熱管理。Srabanti獲得了加州大學(xué)圣巴巴拉分校電氣工程碩士和博士學(xué)位，從事垂直GaN開關(guān)的研究。2015年，她獲得了DARPA青年教師獎(jiǎng)、NSF CAREER和AFOSR青年研究員計(jì)劃（YIP）。2016年，她在化合物半導(dǎo)體國際研討會(huì)（ISCS）上獲得了青年科學(xué)家獎(jiǎng)。她是IEEE的高級(jí)成員，也是NAE工程前沿的校友。她于2020年獲得了阿爾弗雷德·P·斯隆（Alfred P.Sloan）物理學(xué)獎(jiǎng)學(xué)金。迄今為止，她的工作已經(jīng)產(chǎn)生了超過6個(gè)書籍章節(jié)、90篇期刊論文、110篇會(huì)議報(bào)告和26項(xiàng)已頒發(fā)專利。她為多個(gè)IEEE會(huì)議（包括IRPS和VLSI研討會(huì)）的計(jì)劃委員會(huì)以及IEDM的執(zhí)行委員會(huì)服務(wù)。她擔(dān)任Transaction Electron Devices的副主編，以及IEEE Electron Device Society下屬的兩個(gè)委員會(huì)（復(fù)合半導(dǎo)體器件與電路委員會(huì)成員和功率器件與集成電路委員會(huì)）。她是美國能源部資助的能源前沿研究中心（簡稱ULTRA）的科學(xué)合作主任。
修向前，南京大學(xué)教授。主要從事基于III族氮化物寬帶隙半導(dǎo)體襯底材料與設(shè)備以及III族氮化物納米結(jié)構(gòu)材料與器件等的研究和應(yīng)用。2017年，主持的國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“第三代半導(dǎo)體核心關(guān)鍵裝備”獲得立項(xiàng)。近5年，主持/參與863計(jì)劃、973、國家自然科學(xué)基金、國家自然科學(xué)基金重大項(xiàng)目、江蘇省自然科學(xué)基金等項(xiàng)目共10余項(xiàng)。共發(fā)表SCI/EI等學(xué)術(shù)論文80余篇，其中SCI論文60余篇。已獲得授權(quán)國家發(fā)明專利31項(xiàng)（第一發(fā)明人20余項(xiàng)），申請(qǐng)國家發(fā)明專利30余項(xiàng)。編寫論著9章。相關(guān)研究成果“III族氮化物半導(dǎo)體極化和缺陷研究”獲得2010年度“高等學(xué)校科學(xué)研究優(yōu)秀成果獎(jiǎng)（科學(xué)技術(shù)）”自然科學(xué)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)，本人排名第二。研究方包括GaN基Ⅲ族氮化物的襯底材料生長、性質(zhì)和器件研究；氫化物氣相外延設(shè)備研制與應(yīng)用；微納米氮化物半導(dǎo)體材料與器件研究。
趙德剛，中國科學(xué)院半導(dǎo)體所研究員、博士生導(dǎo)師、光電子研究發(fā)展中心主任。主要從事GaN基光電子材料生長與器件研究，對(duì)材料生長機(jī)理、材料物理、器件設(shè)計(jì)及器件物理有較深入的理解和認(rèn)識(shí)，解決了GaN材料大失配異質(zhì)外延技術(shù)等關(guān)鍵難題，研制出我國第一支GaN基紫外激光器、長壽命大功率藍(lán)光激光器和紫外雪崩光電探測(cè)器，還在碳雜質(zhì)研究做出了系統(tǒng)性、創(chuàng)新性工作。主持和承擔(dān)了國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、863、國家自然科學(xué)基金等多個(gè)項(xiàng)目，在Applied Physics Letters等著名學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表SCI論文270多篇，獲得國家發(fā)明專利30多項(xiàng)，撰寫中文、英文專著各一章。在GaN器件方面，設(shè)計(jì)出能夠監(jiān)測(cè)紫外波長的新型器件，提出了利用紫外探測(cè)器的響應(yīng)光譜對(duì)p-GaN載流子濃度進(jìn)行測(cè)量的新方法；研究了p-GaN的歐姆接觸工藝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了良好的歐姆接觸特性，揭示了歐姆接觸、空位缺陷和碳雜質(zhì)對(duì)探測(cè)器的影響機(jī)理；研究了InGaN量子阱界面控制方法，分析了量子阱的電熒光光譜隨注入電流變化的機(jī)制，并提出了相應(yīng)的物理模型；提出了降低吸收損耗、抑制電子泄漏的多種激光器新結(jié)構(gòu)，闡述了V型缺陷和碳雜質(zhì)破壞發(fā)光器件性能的物理機(jī)制；研制出我國第一支GaN基紫外激光器、長壽命大功率藍(lán)光激光器以及紫外雪崩光電探測(cè)器。
許福軍，北京大學(xué)物理學(xué)院副教授。主要研究領(lǐng)域?yàn)閷捊麕О雽?dǎo)體材料和器件物理。近年來主要開展AlGaN 基深紫外發(fā)光材料和器件研究。在AlN、AlGaN及其低維量子結(jié)構(gòu)外延生長、缺陷控制和AlGaN的電導(dǎo)率調(diào)控等方面開展了較系統(tǒng)的研究工作，在高質(zhì)量AlN、高效率AlGaN量子阱以及高載流子濃度p型AlGaN方面均達(dá)到國際先進(jìn)水平，并在團(tuán)隊(duì)支撐下突破了高性能深紫外發(fā)光二極管（LED）器件研制的關(guān)鍵技術(shù)，正推動(dòng)科研成果落地付諸產(chǎn)業(yè)化實(shí)踐。近年來，作為負(fù)責(zé)人承擔(dān)國家自然科學(xué)面上基金3項(xiàng)；作為子課題負(fù)責(zé)人參與國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目1項(xiàng)、北京市科委重點(diǎn)項(xiàng)目1項(xiàng)，山東省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目1項(xiàng)和廣東省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目1項(xiàng)。迄今以一作/通訊作者在Applied Physics Letters、Optical Express等期刊上共發(fā)表SCI 收錄論文30多篇，獲得/申請(qǐng)國家發(fā)明專利10多件。
楊敏，江蘇南大光電材料股份有限公司首席科學(xué)家。他本科和碩士畢業(yè)于江蘇南京大學(xué)，博士畢業(yè)于英國哈德斯菲爾德大學(xué)，博士畢業(yè)后先后在牛津大學(xué)和劍橋大學(xué)化學(xué)系任博士后研究員。回國前曾就職于英國UCL大學(xué)，任終身副教授、博導(dǎo)。2018年加入江蘇南大光電材料股份有限公司。
俞冬雷，安徽亞格盛電子新材料有限公司副總經(jīng)理兼研發(fā)中心經(jīng)理。他2000年畢業(yè)于南京大學(xué)，晶體生長專業(yè)方向。長期從事化合物半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)工作，主要研究方向包括：MOCVD外延生長技術(shù)，外延片測(cè)試技術(shù)，MO源相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和質(zhì)量管控，電子特氣的生產(chǎn)和質(zhì)量管控，產(chǎn)品分析實(shí)驗(yàn)室建設(shè)，分析檢測(cè)技術(shù)開發(fā)等；長期從事相關(guān)產(chǎn)品（MO源和特氣）的市場分析、開拓和技術(shù)服務(wù)工作。主要負(fù)責(zé)項(xiàng)目包括：年產(chǎn)30噸高純金屬有機(jī)源（MO源）建設(shè)項(xiàng)目、MO源分析實(shí)驗(yàn)室、特氣分析實(shí)驗(yàn)室、高精度元素分析檢測(cè)技術(shù)開發(fā)項(xiàng)目、各種系列規(guī)格產(chǎn)品開發(fā)（包括：紫外級(jí)TMAl、大規(guī)格TMIn、紅黃TMIn、高效CP2Mg、低硅TEGa等）、集中供源系統(tǒng)、氨水回收綜合利用項(xiàng)目、特氣中As、P、B元素超高精度分析檢測(cè)技術(shù)、高效率水分分析技術(shù)等。
吳亮，奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司首席執(zhí)行官。國際知名晶體生長工藝與模擬仿真科學(xué)家，有近20年半導(dǎo)體、光伏及各種單晶生長工藝研究、開發(fā)與研發(fā)領(lǐng)導(dǎo)經(jīng)驗(yàn)。曾供職于英特爾技術(shù)發(fā)展有限公司、比利時(shí)FEMAGSoft SA（高級(jí)研發(fā)工程師、駐北京首席代表等）、蘇州協(xié)鑫工業(yè)應(yīng)用研究院有限公司（副院長，現(xiàn)協(xié)鑫中央研究院）、協(xié)鑫太陽能材料有限公司（總工程師）等，現(xiàn)任奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司CEO。吳亮博士曾承擔(dān)日本、德國、比利時(shí)等多家世界500強(qiáng)企業(yè)或政府組織在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的專業(yè)化合作研究，申請(qǐng)/授權(quán)國內(nèi)國際專利50余項(xiàng)，在德國出版晶體生長專著一部，發(fā)表各種期刊/會(huì)議論文及各種國際/國內(nèi)邀請(qǐng)報(bào)告100多篇/次）。
王建峰，蘇州納維科技有限公司總經(jīng)理。他于2001年、2006年先后獲得武漢大學(xué)學(xué)士和博士學(xué)位（與中科院半導(dǎo)體所聯(lián)合培養(yǎng)），此后一直從事GaN單晶襯底的制備及產(chǎn)業(yè)化開發(fā)。近5年以來，深入研究了GaN的HVPE生長機(jī)理和缺陷演化機(jī)制，采用周期掩膜、GaN納米柱陣列等中間層方法，獲得了無裂紋、高質(zhì)量GaN材料，性能達(dá)到目前同類方法公開報(bào)道的最好值(位錯(cuò)密度<105cm2，室溫電子遷移率1100cm?/V·s)；利用摻雜技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了2英寸非摻、N型摻雜和半絕緣補(bǔ)償摻雜GaN單晶襯底的研制。作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人和核心人員參加科技部863項(xiàng)目、國際合作項(xiàng)目、自然科學(xué)基金項(xiàng)目、中科院 STS 項(xiàng)目等10余項(xiàng)，申報(bào)相關(guān)核心專利20余項(xiàng)，在ICNS、APWS等重要國際會(huì)議上做特邀報(bào)告5次。曾榮獲中國產(chǎn)學(xué)研促進(jìn)性創(chuàng)新成果獎(jiǎng)，中國科學(xué)院盧嘉錫青年人才獎(jiǎng)，蘇州市勞動(dòng)模范獎(jiǎng)勵(lì)。
桑立雯，日本國立物質(zhì)材料研究所獨(dú)立研究員。2010年畢業(yè)于北京大學(xué)，獲理學(xué)博士學(xué)位。2010年4月加入日本國立物質(zhì)材料研究所(National Institute for Materials Science)進(jìn)行博士后研究，2014年拿到該所終身職位，目前是該所國際納米材料研究中心(International Center for Materials Nanoarchitectonics (MANA),NIMS) 獨(dú)立研究者。2012年和2019年兩次獲得日本科學(xué)振興機(jī)構(gòu)(JST)杰出青年先驅(qū)計(jì)劃PRESTO，2017年獲得國際缺陷領(lǐng)域the James W. Corbet Prize，2022年獲得日本國家文部科學(xué)省科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域文部科學(xué)大臣若手科學(xué)者獎(jiǎng), 該獎(jiǎng)項(xiàng)是日本青年研究人員最高獎(jiǎng)。桑立雯研究員課題組主要從事III-V族氮化物界面調(diào)控及光電機(jī)械器件研究，已發(fā)表SCI論文110余篇，總引用次數(shù)2800余次(h指數(shù)26)，參與撰寫英文專著2部。
劉兵武，北京正通遠(yuǎn)恒科技有限公司總經(jīng)理。1991年碩士畢業(yè)后在大學(xué)從事科研工作。1996年開始轉(zhuǎn)入科學(xué)儀器行業(yè)，至今一直扎根于儀器設(shè)備行業(yè)大約26年。先后從事儀器設(shè)備的應(yīng)用支持、市場營銷以及客戶服務(wù)、管理等工作。先后把國外的先進(jìn)儀器及技術(shù)引進(jìn)到國內(nèi)，包括工業(yè)在線傳感器、ALD等。從2015年開始，開始在儀器設(shè)備領(lǐng)域做天使投資，主要是傳感器、食品安全、半導(dǎo)體儀器等。
袁超，武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院研究員，長期從事寬禁帶器件表征和熱管理研究工作，在薄膜尺度熱反射表征方法(thermoreflectance)、聲子熱輸運(yùn)理論、以及(超)寬禁帶半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)等領(lǐng)域具有一定的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和科研特色。承擔(dān)多個(gè)國家/省部級(jí)重大戰(zhàn)略需求的縱向科研項(xiàng)目，迄今共發(fā)表國際SCI論文30余篇。長期和國內(nèi)外知名半導(dǎo)體企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)合作，擁有豐富的產(chǎn)學(xué)研經(jīng)驗(yàn)。
（備注：后續(xù)會(huì)有新增，請(qǐng)以最終日程為準(zhǔn)。）
附件：
論壇信息
會(huì)議時(shí)間：2023年2月7日-10日（7日?qǐng)?bào)到）
會(huì)議地點(diǎn)：中國 - 蘇州 - 蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店
程序委員會(huì)
主席：
張 榮——廈門大學(xué)黨委書記、教授
聯(lián)合主席：
劉 明——中科院院士、復(fù)旦大學(xué)芯片與系統(tǒng)前沿技術(shù)研究院院長、中科院微電子研究所研究員
顧 瑛——中科院院士、解放軍總醫(yī)院教授
江風(fēng)益——中科院院士、南昌大學(xué)副校長、教授
李晉閩——中國科學(xué)院特聘研究員
張國義——北京大學(xué)東莞光電研究院常務(wù)副院長、教授
沈 波——北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授
唐景庭——中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所所長
徐 科——江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長、研究員
邱宇峰——廈門大學(xué)講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原院長
盛 況——浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長、教授
張 波——電子科技大學(xué)教授
陳 敬——香港科技大學(xué)教授
徐現(xiàn)剛——山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長、教授
吳偉東——加拿大多倫多大學(xué)教授
張國旗——荷蘭工程院院士、荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授
Victor Veliadis——PowerAmerica首席執(zhí)行官兼首席技術(shù)官、美國北卡羅萊納州立大學(xué)教授
主題論壇召集人（按姓氏拼音排列）：
F1-碳化硅功率電子材料與器件
主題分論壇主席：
盛 況——浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長、教授
唐景庭——中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所所長
a.碳化硅功率電子材料與器件
召集人：
盛 況——浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長、教授
柏 松——中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所研究員
張清純——復(fù)旦大學(xué)上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任
邱宇峰——廈門大學(xué)講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原院長
張玉明——西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院院長、教授
王德君——大連理工大學(xué)教授
袁 俊——九峰山實(shí)驗(yàn)室功率器件負(fù)責(zé)人
b.芯片制造工藝及裝備
召集人：
唐景庭——中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所所長
王志越——中電科裝備集團(tuán)有限公司首席技術(shù)官
杜志游——中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司高級(jí)副總裁
吳 軍——北方華創(chuàng)科技集團(tuán)股份有限公司副總裁，首席科學(xué)家
F2-氮化物半導(dǎo)體電子材料與器件
主題分論壇主席：
張 波——電子科技大學(xué)教授
吳偉東——加拿大多倫多大學(xué)教授
陳堂勝——中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所首席科學(xué)家
馮志紅——中電科第十三所首席科學(xué)家、專用集成電路國家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任
a.氮化鎵功率電子材料與器件
召集人：
張 波——電子科技大學(xué)教授
吳偉東——加拿大多倫多大學(xué)教授
劉 揚(yáng)——中山大學(xué)教授
孫 錢——中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員
張進(jìn)成——西安電子科技大學(xué)副校長、教授
吳毅鋒——珠海鎵未來科技有限公司總裁
梁輝南——潤新微電子(大連)有限公司總經(jīng)理
王茂俊——北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院副教授
b.射頻電子材料與器件
召集人：
陳堂勝——中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所首席科學(xué)家
蔡樹軍——中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所所長
張乃千——蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長
張 韻——中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副所長、研究員
敖金平——日本德島大學(xué)教授、江南大學(xué)教授
于洪宇——南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院院長、教授
馮志紅——中電科第十三所首席科學(xué)家、專用集成電路國家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任
劉建利——中興通訊股份有限公司無線射頻總工
F3-功率電子應(yīng)用
主題分論壇主席：
劉 勝——武漢大學(xué)動(dòng)力與機(jī)械學(xué)院院長、教授
趙麗霞——天津工業(yè)大學(xué)電氣工程學(xué)院常務(wù)副院長、教授
a.功率模塊封裝及可靠性
召集人：
劉 勝——武漢大學(xué)動(dòng)力與機(jī)械學(xué)院院長、教授
趙麗霞——天津工業(yè)大學(xué)電氣工程學(xué)院常務(wù)副院長、教授
李世瑋——香港科技大學(xué)教授
陸國權(quán)——美國弗吉尼亞大學(xué)教授
羅小兵——華中科技大學(xué)能源與動(dòng)力工程學(xué)院院長、教授
楊道國——桂林電子科技大學(xué)教授
王來利——西安交通大學(xué)教授
樊嘉杰——復(fù)旦大學(xué)青年研究員
姜 克——安世半導(dǎo)體全球研發(fā)副總裁、I&M事業(yè)部總經(jīng)理
F4-襯底材料與裝備
主題分論壇主席：
沈 波——北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授
徐現(xiàn)剛——山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長、教授
陶緒堂——山東大學(xué)講席教授
唐景庭——中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所所長
a.碳化硅襯底材料生長與加工
召集人
徐現(xiàn)剛——山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長、教授
陳小龍——中國科學(xué)院物理研究所功能晶體研究與應(yīng)用中心主任、研究員
孫國勝——中科院半導(dǎo)體研究所研究員
馮 淦——瀚天天成電子科技（廈門）有限公司總經(jīng)理
b.氮化物襯底材料生長與同質(zhì)外延
召集人：
沈 波——北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授
徐 科——江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長、研究員
黎大兵——中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所研究員
畢文剛——江蘇第三代半導(dǎo)體研究院副院長
楊 敏——江蘇南大光電材料股份有限公司首席技術(shù)官
c.超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件
召集人:
陶緒堂——山東大學(xué)講席教授
龍世兵——中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長、教授
張進(jìn)成——西安電子科技大學(xué)副校長、教授
單崇新——鄭州大學(xué)副校長、教授
王新強(qiáng)——北京大學(xué)教授、北大東莞光電研究院院長
王宏興——西安交通大學(xué)教授
葉建東——南京大學(xué)教授
劉玉懷——鄭州大學(xué)教授
韓根全——西安電子科技大學(xué)教授
d.生長、加工裝備與量測(cè)設(shè)備
召集人：
唐景庭——中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所所長
王志越——中電科裝備集團(tuán)有限公司首席技術(shù)官
杜志游——中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司高級(jí)副總裁
吳 軍——北方華創(chuàng)科技集團(tuán)股份有限公司副總裁，首席科學(xué)家
F5-半導(dǎo)體照明與光電融合技術(shù)
主題分論壇主席：
江風(fēng)益——中科院院士、南昌大學(xué)副校長、教授
曾一平——中科院半導(dǎo)體所研究員
a.全光譜LED材料、芯片、封裝及可靠性
召集人：
江風(fēng)益——中科院院士、南昌大學(xué)副校長、教授
劉國旭——北京易美新創(chuàng)科技有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人兼CTO
云 峰——西安交通大學(xué)教授
羅小兵——華中科技大學(xué)能源與動(dòng)力工程學(xué)院院長、教授
伊?xí)匝?mdash;—中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員
郭偉玲——北京工業(yè)大學(xué)教授
汪 萊——清華大學(xué)電子工程系副教授、信息光電子研究所所長
汪煉成——中南大學(xué)教授
張建立——南昌大學(xué)研究員
b.半導(dǎo)體激光器
召集人：
曾一平——中科院半導(dǎo)體所研究員
張保平——廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副院長、教授
莫慶偉——老鷹半導(dǎo)體副總裁、首席科學(xué)家
劉建平——中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員
惠 峰——云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)家、中科院半導(dǎo)體所研究員
F6-超越照明創(chuàng)新應(yīng)用
主題分論壇主席：
羅 明——浙江大學(xué)光電系教授
瞿 佳——溫州醫(yī)科大學(xué)附屬眼光醫(yī)院院長、教授
顧 瑛——中科院院士、解放軍總醫(yī)院教授
遲 楠——復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院院長、教授
楊其長——國際歐亞科學(xué)院院士、中國農(nóng)業(yè)科學(xué)院都市農(nóng)業(yè)研究所副所長、研究員
劉 鷹——浙江大學(xué)生物系統(tǒng)工程與食品科學(xué)學(xué)院院長、教授
a.光品質(zhì)與光健康
召集人
羅 明——浙江大學(xué)光電系教授
瞿 佳——溫州醫(yī)科大學(xué)附屬眼光醫(yī)院院長、教授
郝洛西——同濟(jì)大學(xué)建筑與城市規(guī)劃學(xué)院教授、國際照明學(xué)會(huì)（CIE）副主席
林燕丹——復(fù)旦大學(xué)教授
熊大曦——中國科學(xué)院蘇州生物醫(yī)學(xué)工程技術(shù)研究所研究員
牟同升——浙江大學(xué)教授
魏敏晨——香港理工大學(xué)副教授
蔡建奇——中國標(biāo)準(zhǔn)化研究院視覺健康與安全防護(hù)實(shí)驗(yàn)室主任、研究員
劉 強(qiáng)——武漢大學(xué)顏色科學(xué)與圖像傳播研究所所長、副教授
b.光醫(yī)療
召集人：
顧 瑛——中科院院士、解放軍總醫(yī)院教授
張鳳民——黑龍江省醫(yī)學(xué)科學(xué)院副院長，哈爾濱醫(yī)科大學(xué)伍連德書院院長、國家地方聯(lián)合工程研究中心主任
王彥青——復(fù)旦大學(xué)基礎(chǔ)醫(yī)學(xué)院教授
崔錦江——中科院蘇州醫(yī)工所光與健康研究中心副主任、研究員
蔡本志——哈爾濱醫(yī)科大學(xué)教授
董建飛——中國科學(xué)院蘇州生物醫(yī)學(xué)工程技術(shù)研究所研究員
陳德福——北京理工大學(xué)醫(yī)工融合研究院特聘副研究員
楊 華——中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員
c.光通信與傳感
召集人：
遲 楠——復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院院長、教授
馬驍宇——中科院半導(dǎo)體研究所研究員
陳雄斌——中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員
田朋飛——復(fù)旦大學(xué)副研究員
李國強(qiáng)——華南理工大學(xué)教授
林維明——福州大學(xué)教授
房玉龍——中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所研究員
d.生物與農(nóng)業(yè)光照
召集人：
楊其長——國際歐亞科學(xué)院院士、中國農(nóng)業(yè)科學(xué)院都市農(nóng)業(yè)研究所副所長、研究員
唐國慶——中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟副理事長、木林森執(zhí)行總經(jīng)理
劉 鷹——浙江大學(xué)生物系統(tǒng)工程與食品科學(xué)學(xué)院院長、教授
泮進(jìn)明——浙江大學(xué)教授、杭州朗拓生物科技有限公司董事長
賀冬仙——中國農(nóng)業(yè)大學(xué)教授
陳 凱——華普永明光電股份有限公司董事長、總裁
華桂潮——四維生態(tài)董事長
徐 虹——廈門通秮科技有限公司總經(jīng)理
劉厚誠——華南農(nóng)業(yè)大學(xué)教授
李紹華——中科三安光生物產(chǎn)業(yè)研究院院長
F7-新型顯示材料及應(yīng)用
主題分論壇主席：
嚴(yán) 群——福州大學(xué)教授
孫小衛(wèi)——南方科技大學(xué)電子與電氣工程系講席教授
畢 勇——中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所研究員、激光應(yīng)用中心主任
a.Mini/Micro-LED顯示材料與裝備
召集人：
嚴(yán) 群——福州大學(xué)教授
王新強(qiáng)——北京大學(xué)東莞光電研究院院長、北京大學(xué)教授
閆春輝——中民研究院常務(wù)副院長、納微朗科技（深圳）有限公司董事長
劉 斌——南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副院長、教授
黃 凱——廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副院長、教授
馬松林——TCL集團(tuán)工業(yè)研究院副院長
劉國旭——北京易美新創(chuàng)科技有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人兼CTO
邱 云——京東方科技集團(tuán)股份有限公司技術(shù)企劃部副總監(jiān)
劉召軍——南方科技大學(xué)研究員
b.激光顯示三基色材料與器件
畢 勇——中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所研究員、激光應(yīng)用中心主任
趙德剛——中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員
c.鈣鈦礦、量子點(diǎn)及柔性照明與顯示等
召集人：
孫小衛(wèi)——南方科技大學(xué)電子與電氣工程系講席教授
廖良生——蘇州大學(xué)教授
徐 征——北京交通大學(xué)教授
段 煉——清華大學(xué)教授
鐘海政——北京理工大學(xué)教授
F8-固態(tài)紫外材料與器件
主題分論壇主席：
康俊勇——廈門大學(xué)教授
王軍喜——中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員、中科院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心主任
a.固態(tài)紫外發(fā)光材料與器件
b.紫外探測(cè)材料與器件
召集人：
康俊勇——廈門大學(xué)教授
王軍喜——中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員、中科院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心主任
黎大兵——中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所研究員
陸 海——南京大學(xué)教授
陳長清——華中科技大學(xué)教授
郭浩中——臺(tái)灣交通大學(xué)特聘教授
李曉航——沙特國王科技大學(xué)副教授
許福軍——北京大學(xué)物理學(xué)院副教授
日程安排
注冊(cè)權(quán)益收費(fèi)表
備注：
＊中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。
＊學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。
＊會(huì)議現(xiàn)場報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策。
＊IFWS相關(guān)會(huì)議包括：開幕大會(huì)，碳化硅襯底材料生長與加工,碳化硅功率電子材料與器件,氮化物襯底材料生長與外延技術(shù),氮化鎵功率電子材料與器件,固態(tài)紫外材料與器件,化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù),Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù),射頻電子材料與器件,超寬禁帶及其他新型半導(dǎo)體材料與器件，閉幕大會(huì)。
＊SSLCHINA相關(guān)會(huì)議包括：開幕大會(huì)，氮化物襯底材料生長與外延技術(shù)，固態(tài)紫外材料與器件，LED芯片、封裝與光通信，Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù)，生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)，教育照明與健康光環(huán)境，光醫(yī)療應(yīng)用技術(shù)，化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù),閉幕大會(huì)。
*產(chǎn)業(yè)峰會(huì)包括：生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會(huì)、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、功率模塊與電源應(yīng)用峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)、UV LED創(chuàng)新應(yīng)用、Mini/Micro-LED技術(shù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會(huì)。
＊若由于某些原因，您繳費(fèi)后無法參會(huì)，可辦理退款事宜，組委會(huì)將扣除一定的退款手續(xù)費(fèi)。
＊自助餐包含：2023年2月8日午餐、2月9日午餐+晚餐。
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*備注：請(qǐng)微信掃碼查看并注冊(cè)，注冊(cè)成功后可在個(gè)人中心查看電子票信息、申請(qǐng)發(fā)票、為他人報(bào)名、分享海報(bào)等等。
*防疫提醒：目前全國各地防疫政策逐漸放寬，目前進(jìn)/出蘇州不再查驗(yàn)健康碼，但不排除個(gè)別城市出行仍查驗(yàn)48小時(shí)核酸陰性證明，組委會(huì)提醒參會(huì)代表臨行前能盡量測(cè)驗(yàn)一下核酸，核酸/體溫?zé)o異常者，持綠色健康碼現(xiàn)場參會(huì)。
即日起至2023年2月1日之前，完成注冊(cè)繳費(fèi)即可享受折扣票（詳見上圖），中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。會(huì)議現(xiàn)場報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策。
