開年UVLED領域行業盛會，凝心聚力再啟新征程！——第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS ）&第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA ）將于2023年2月7-10日（7日報到）在蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店召開。匯聚產學研用資等頂級專家名企資源，超二十場高水平論壇活動，一次性盡覽第三代半導體技術與產業前沿發展趨勢！作為重要的分論壇，由山西中科潞安紫外光電技術有限公司，廣州市鴻利秉一光電科技有限公司、蘇州思體爾軟件科技有限公司等單位協辦”UV LED創新應用產業峰會+固態紫外材料與器件技術分論壇“最新日程重磅出爐。
UV LED對各個行業的影響已經逐步展現，UV LED技術的革新帶來更多應用和產業創新，推動整個社會走向更加良性的循環發展。比如基于UVA波段的紫外LED固化已成功應用于膠印、絲印油墨印刷，玻璃塑料粘接、壓敏膠帶生產、噴墨印刷、UV LED甲油膠等領域。在產品應用領域，深紫外LED被廣泛應用于水凈化、空氣凈化、殺菌消毒、醫療器械、工業固化、工業光催化等諸多民用領域。在便攜式消毒電子產品中如母嬰消毒器、照明殺菌燈具、智能消毒機器人等領域深紫外LED也被廣泛采用。
第三代半導體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高等優越性質。其在紫外器件中具備其他半導體材料難以比擬的優勢，展現出巨大的應用潛力。隨著環保及公共安全等領域的需求升級，固態紫外技術擁有廣闊的應用前景。氮化物半導體涉及藍/白光LED、紫外LED，微波射頻器件、功率電子器件等諸多應用，比如深紫外光源已用于日常生活、生產科研、國土安全等領域。
2月9日上午8：30-12：00，UV LED創新應用產業峰會將重點關注紫外LED在凈水、殺菌等諸多領域的創新應用，探討產業發展浪潮催生的市場需求和技術進展等。屆時，國家疾病預防控制中心環境與健康相關產品安全所原副所長、消毒委主任委員白雪濤，山西中科潞安紫外光電技術有限公司總經理閆建昌，鎵敏光電董事長、南京大學陸海教授，北控水務集團技術管理部水務經理杜軍，廣州市鴻利秉一光電科技有限公司董事長、總經理吳乾，GE通用凈水科技有限公司研發總監任君琪，德國MSG Lithoglas GmbH亞太地區總監胡曉東等將圍繞UV LED技術前沿進展及創新應用分享主題報告。
2月9日下午13:30-18:00，固態紫外材料與器件技術分論壇特邀請廈門大學康俊勇教授，中國科學院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發中心主任王軍喜研究員擔任程序委員會分論壇主席，聯合中國科學院長春光學精密機械與物理研究所黎大兵研究員，南京大學陸海教授，華中科技大學陳長清教授，臺灣交通大學郭浩中教授，沙特國王科技大學副教授李曉航，北京大學物理學院副教授許福軍等程序委員會專家召集人，重點關注以氮化鋁鎵（AlGaN）、氮化鎵（GaN）為代表的紫外發光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結構設計及外延，以及發光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術，并涵蓋紫外器件的先進封裝材料及技術等。
邀請康俊勇教授和王軍喜研究員擔任嘉賓主持人，并有：日本三重大學三宅秀人教授，南京大學電子科學與工程學院周玉剛教授，廈門大學物理科學與技術學院副院長黃凱教授，復旦大學信息科學與工程學院光源與照明工程系崔旭高副教授，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所司志偉，美國Bolb Inc.董事長兼首席技術官張劍平博士，中科院長春光機所孫曉娟研究員，鄭州大學電氣與信息工程學院教授、科技部電子材料與系統國家級國際聯合研究中心主任、河南省電子材料與系統國際聯合實驗室主任劉玉懷教授，中科院寧波材料所張文瑞研究員，湖北大學材料科學與工程學院黎明鍇教授，廈門大學高娜副教授，蘇州思體爾軟件科技有限公司技術支持工程師茅艷琳，華中科技大學鄭志華等將圍繞固態紫外材料與器件前沿技術進展及創新應用分享主題研究報告。
目前最新日程如下，歡迎參會交流合作：
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產業峰會：UV LED創新應用 UV LED Innovation and Application |
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時間：2023年2月9日08:30-12:00 地點：蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店 • 會議室K2 Time: Feb 9，2023，08:30-12:00 Location: Kempinski Hotel Suzhou • K2 |
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協辦支持/Co-organizer: 山西中科潞安紫外光電技術有限公司/Advanced Ultraviolet Optoelectronics Co., Ltd. 廣州市鴻利秉一光電科技有限公司/Hongli Bingyi Photoelectric Technology Co., Ltd |
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屏幕尺寸 / Slides Size：16:9 |
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主持人 Moderator |
閆建昌——山西中科潞安紫外光電技術有限公司總經理 白雪濤——國家疾病預防控制中心環境與健康相關產品安全所原副所長、消毒委主任委員 |
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08:30-08:50 |
UVC LED助力打造后疫情時代健康生活及工作環境 白雪濤——國家疾病預防控制中心環境與健康相關產品安全所原副所長、消毒委主任委員 |
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08:50-09:10 |
氮化鎵及碳化硅紫外探測器技術與產業化應用 陸海——鎵敏光電董事長、南京大學教授 LU Hai——Professor of Nanjing University |
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09:10-09:30 |
污水處理廠深紫外消毒設計及應用進展 Design and application progress of DUV disinfection in sewage treatment plants 杜軍 北控水務集團技術管理部水務經理 Jon DU Beijing enterprise water group Limited |
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09:30-9:50 |
深紫外光源在UV固化的應用 吳乾——廣州市鴻利秉一光電科技有限公司董事長、總經理 WU Qian ——General Manager of Hongli Bingyi Photoelectric Technology Co., Ltd |
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9:50-10:05 |
茶歇 / Coffee Break |
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10:05-10:25 |
UVC LED在末端凈水設備中應用的現狀與問題 Current situation and problems of application of UVC LED in POU water filtration equipments 任君琪——GE通用凈水科技有限公司研發總監 Harry REN——R&D Director of General Water Technology Co., Ltd. |
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10:25-10:45 |
大功率深紫外LED產業化關鍵技術探討 閆建昌——山西中科潞安紫外光電技術有限公司總經理 YAN Jianchang——General Manager of Advanced Ultraviolet Optoelectronics Co., Ltd. |
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10:45-11:05 |
集成反射器的封裝技術用于提升高功率UVC LED芯片的光提取效率 Enhanced Light Extraction Efficiency of high power UVC LEDs by SMD-Packaging with Integrated Reflectors 胡曉東——德國MSG Lithoglas GmbH亞太地區總監 HU Xiaodong——Director of Asia Pacific Region of MSG Lithoglas GmbH, Germany |
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11:05-12:00 |
Panel Discussion: 1) UV LED 消毒殺菌用戶教育方式 2) 出光效率提升路徑及未來突破周期 3) UVC LED如何在與其他消毒因子的方案競爭中脫穎而出 |
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技術分論壇：固態紫外材料與器件 Technical Sub-Forum: Solid-State Ultraviolet Materials and Devices |
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時間：2023年2月9日13:30-18:00 地點：蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店 • 會議室K2 Time: Feb 9，2023，13:30-18:00 Location: Kempinski Hotel Suzhou • K2 |
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協辦支持/Co-organizer: 山西中科潞安紫外光電科技有限公司/Advanced Ultraviolet Optoelectronics Co., Ltd. 蘇州思體爾軟件科技有限公司/ SuZhou STR Software Technology Co., Ltd |
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屏幕尺寸 / Slides Size：16:9 |
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主持人 Moderator |
康俊勇 / KANG Junyong 廈門大學教授 Professor of Xiamen University 王軍喜 / WANG Junxi 中國科學院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發中心主任 Professor of Institute of Semiconductors, CAS; Director of Research and Development Center for Semiconductor Lighting CAS |
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13:30-13:55 |
Fabrication of 265 nm AlGaN-LEDs on Face-to-face annealed AlN/sapphire template 三宅秀人——日本三重大學教授 Hideto MIYAKE——Professor of Graduate School of Engineering, Mie University |
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13:55-14:15 |
提高AlGaN基DUV-LED效率的薄p-GaN上的銀基鏤空反射電極 Ag-based hollow reflective electrode on thin p-GaN layer for improving the light output efficiency of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes 周玉剛——南京大學電子科學與工程學院教授 ZHOU Yugang——Profesor of School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University |
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14:15-14:35 |
Ga2O3/GaN異質結構紫外光電探測器 Ga2O3/GaN Heterostructure Ultraviolet Photodetectors 黃凱——廈門大學物理科學與技術學院副院長、教授 HUANG Kai——Professor, School of Physical Science and Technology, Xiamen University |
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14:35-14:55 |
高效率深紫外 Micro-LED尺寸依賴特性研究 High-efficiency and size-dependent efficiency characteristics of UVC micro-LEDs 崔旭高——復旦大學信息科學與工程學院光源與照明工程系副教授 CUI Xugao——Associate Professor of Fudan University |
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14:55-15:10
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室溫紫外 Room-Temperature Ultraviolet GaN Microdisk Lasers 司志偉——中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所 SI Zhiwei——Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS |
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15:10-15:25 |
茶歇 / Coffee Break |
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15:25-15:55 |
Light-extraction efficiency and performance of transparent ultraviolet C-band light-emitting diodes 張劍平——美國Bolb Inc.董事長兼首席技術官 ZHANG Jianping——Chair of the Board & CTO of Bolb Inc., USA |
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15:55-16:15 |
氮化物的范德華外延：基底結構、多性能控制和紫外光電器件應用 Van der Waals Epitaxy of Nitrides: Substrate Construction, Multi-Properties Control and Ultraviolet Optoelectronic Device Application 孫曉娟——中科院長春光機所研究員 SUN Xiaojuan——Professor of Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences |
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16:15-16:35 |
AlGaN基深紫外發光器件設計與仿真研究 Design and simulation of AlGaN-based Deep Ultraviolet Emitters 劉玉懷——鄭州大學電氣與信息工程學院教授、科技部電子材料與系統國家級國際聯合研究中心主任、河南省電子材料與系統國際聯合實驗室主任 LIU Yuhuai——Professor and Director of National Center for International Joint Research of Electronic Materials and Systems, International Joint-Laboratory of Electronic Materials and Systems of Henan Province, School of Electrical and Information Engineering, Zhengzhou University. |
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16:35-16:50
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微米級氧化鎵厚膜的載流子定向輸運與深紫外光電探測 張文瑞——中科院寧波材料所研究員 Zhang Wenrui——Professor Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences |
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16:50-17:05
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基于HfZrO2與b-Ga2O3異質結的高性能自驅動日盲紫外光探測器 P-Type SnO2 Fabrication and Construction of SnO2 Homojunction UV Photodetector 黎明鍇——湖北大學材料科學與工程學院教授 LI Mingkai——Professor of Hubei University |
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17:05-17:20 |
基于超短周期超晶格AlN/GaN的深紫外短波光發射調控 Deep-ultraviolet light extraction towards shorter wavelength based on ultrashort-period AlN/GaN suplerlattices 高娜——廈門大學副教授 GAO Na——Associate Professor of Xiamen University |
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17:20-17:35 |
Critical aspects of deep-UV LED design and operation 深紫外LED仿真設計及操作關鍵技術進展 茅艷琳——蘇州思體爾軟件科技有限公司技術支持工程師 Yanlin Mao——Technical support engineer of SuZhou STR Software Technology Co., Led. |
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17:35-17:50 |
Enhanced light extraction efficiency via double nano-pattern arrays for high-efficiency deep UV LEDs 鄭志華——華中科技大學 ZHENG Zhihua——Huazhong University of Science and Technology |
（備注：日程或有微調，最終以現場為準。）
【部分嘉賓簡介】
康俊勇
廈門大學教授
康俊勇博士、教授（博士生指導教師）、廈門大學“物理學”一級學科博士點、“微電子學與固體電子學”二級學科工科博士點學術帶頭人、“凝聚態物理”國家重點學科主要學術帶頭人。長期從事化合物半導體晶體生長及其特性表征的教學和科研工作。培養研究生60余人，所指導的10多篇博士論文中，獲得全國優秀博士學位論文1篇，提名全國優秀博士論文1篇，福建省優秀博士論文獎一等獎3篇等；帶領學生先后獲得2017年國際第三代半導體創新創業大賽廈門賽區團隊第一名、2019全國移動互聯創新大賽福建賽區一等獎等，榮獲“全國優秀博士學位論文指導教師”、“廈門市優秀教師”、“寶鋼優秀教師獎”、“盧嘉錫優秀導師獎”等稱號。
主持過國家“973”、“863”、國家自然科學基金重大研究計劃和重點項目等數十項研究。先后研發了首臺強磁場晶體生長、納米級空間分辨率應變和電荷測試、原位納米結構綜合測試等設備。在高Al組分AlGaN量子結構等設計與生長及其深紫外表面等離子激元光源研發方面，取得了系列開拓性成果，被同行稱為“表面等離子激元深紫外光子學研究第一人”。在新型太陽能電池研發方面，首次將寬帶隙半導體調制到對太陽光中紅外線有效吸收，該成果2012年以“廈大研發新型太陽能光伏電池”名稱被列入最新十二大太陽能光伏電池新技術。在低維晶格及其耦合誘導的半導體新功能及其應用方面，取得多項重要的研究進展，獲得了國內外同行的高度評價。先后在Nature Materials、Nature Communications、Nano Letters、Advanced Materials、Laser Photonics & Reviews等國際著名學術刊物上發表論文300余篇，他引約4500次；授權國家發明專利50余項；部分成果完成了向重要企業的技術轉讓，并實現產品產業化，年產值十多億元，部分產品在國家航空航天領域得到廣泛應用。榮獲國家政府特殊津貼、福建省科技進步一等獎、廈門市科技進步一等獎等。
先后建立了超高真空、極低溫、強磁場、晶體生長及原位綜合測量等實驗條件；建立了福建省半導體材料及應用重點實驗室、半導體微納光電子材料與器件教育部工程研究中心，被譽為“廈門大學實驗物理奠基人”。榮獲“福建省先進工作者”、“廈門市勞動模范”等稱號。同時，推動了國家半導體照明產業化基地（廈門）的建設工作，牽頭與行業龍頭企業等創建了福建省半導體光電材料及其高效轉換器件協同創新中心，為廈門成為國家乃至世界的半導體產業重鎮做出重要貢獻，榮獲“廈門市科技創新杰出人才”。
白雪濤
國家疾病預防控制中心環境與健康相關產品安全所
原副所長、消毒委主任委員
白雪濤，曾任國家衛生標準委員會委員，消毒衛生標準委員會主任委員，國家食品安全風險評估專家委員會委員，國家衛生計生委環境健康專家委員會委員，環保部新化學物質環境管理專家委員會副主任委員，衛生部涉水產品評審組組長。現任中國環境科學學會環境健康分會副主任委員，中國環境科學學會環境健康損害評估專家委員會委員，中科院水環境安全重點實驗室專家委員會委員,環保部健康風險評價重點實驗室專家委員會委員。研究方向為環境污染健康影響研究/環境毒理學（發表100余篇科研論文）。
王軍喜
中科院半導體所研究員
中國科學院半導體照明研發中心主任
中科潞安半導體研究院院長
王軍喜，中科院半導體所研究員，博士生導師，中國科學院半導體照明研發中心主任，中科潞安半導體研究院院長。1998年獲得西北大學物理學學士學位，2003年獲得中國科學院半導體研究所工學博士學位，自2003年至今在中國科學院半導體研究所工作。從事氮化物材料生長和器件研制工作八年，熟悉MOCVD 、MBE和HVPE生長設備和相關材料分析表征方法。使用國產NH3-MBE生長設備，獲得了具有當時國際水平的高遷移率GaN外延片；做為骨干科研人員，所在小組研制成功了壓電極化效應誘導的高質量AlGaN/GaN二維電子氣結構材料，并用所研制的材料與信息產業部第十三研究所合作研制出了我國第一只氮化物高溫HEMT器件；負責自主設計并制備了一臺HVPE厚膜GaN材料生長設備，獲得了厚膜GaN材料生長速率超過了每小時200μm，晶體質量位于國內領先水平；在“十一五”期間，負責氮化物MOCVD材料生長研究，主要方向為GaN基LED材料生長研究和紫外LED材料生長研究。獲得專利37項，發表sci論文40余篇，發表相關著作3部。
三宅秀人
日本三重大學區域創新研究研究生院教授
三宅秀人，日本三重大學區域創新研究研究生院教授，研究課題包括半導體工程、晶體生長、光電子學。
黃 凱
廈門大學物理科學與技術學院副院長、教授
廈門市未來顯示技術研究院副院長
黃凱，教授，博士生導師，廈門大學物理科學與技術學院副院長，廈門市未來顯示技術研究院副院長，2002年本科畢業于南京大學物理系，獲微電子專業學士學位，2007年畢業于南京大學物理系微電子與固體電子學專業，獲博士學位。近年來在寬禁帶半導體材料與器件，表面等離激元基器件與物理等方面進行了深入的研究工作。期間在德克薩斯大學奧斯汀分校、謝菲爾德大學進行了超過兩年的訪問研究。主持和參與包括國家重點研發計劃、國家重大研究“973”計劃、國家自然科學基金在內的科研項目多項。在國內外知名學術期刊上發表學術論文30余篇，申請/授權多項國家發明專利，獲福建省、廈門市科技進步一等獎各一項。
陸 海
南京大學教授
陸海，南京大學教授，博士生導師，國家杰出青年科學基金獲得者，長江學者特聘教授，萬人計劃專家，國家重點研發計劃項目首席科學家。于1996年和1999年在南京大學物理系獲學士、碩士學位；于2003年在美國康奈爾大學（Cornell University）電子與計算機工程系獲博士學位，師從美國工程院院士Lester Eastman教授；在康奈爾大學獲得博士學位后，于2004年，受聘于美國通用電氣公司（GE）研發中心任高級研究員；于2006年9月歸國任教于南京大學物理系及電子科學與工程學院，現任南京大學特聘教授，兼任南京微結構國家實驗室（籌）主任研究員（PI）。主要從事寬禁帶半導體材料和器件研究，取得了多項有國際影響力的成果：制備了世界上電學特性最好的InN單晶薄膜（保持6年世界紀錄），首先生長出p型、a面及立方相等新型InN材料，為三十余家國際權威研究機構提供了標準InN及富In氮化物樣品；聯合改寫和修正了多項III族氮化物半導體材料體系的基本參數，包括InN 0.7eV窄禁帶寬度的重大發現，藉此將Ⅲ族氮化物半導體的應用領域推廣到近紅外光學波段，大大拓寬了Ⅲ族氮化物半導體的研究與應用范疇；首先發現InN表面強電荷聚集效應，藉此研制出InN表面化學傳感器、InN THz發射源，獲《Nature》雜志專文報道；聯合提出InGaN全光譜多異質結太陽能電池的概念和結構。
近年來重點開展GaN基高功率電子器件、深紫外探測器件、及新型氧化物透明薄膜晶體管研究，致力于將半導體基礎研究成果推廣到器件應用領域：通過發展GaN同質外延生長技術，大幅度提高了GaN半導體的晶體質量，藉此研制出高擊穿電壓GaN肖特基整流器、及高增益GaN紫外雪崩光電探測器，多次獲得國際主流半導體技術媒體跟蹤報道；兩次刷新GaN基霍爾傳感器最高穩定工作溫度的世界紀錄；研制出現有暗電流密度最低和芯片尺寸最大的AlGaN基日盲深紫外探測器，并帶領南京大學團隊在國內首先實現了高靈敏度GaN基紫外探測器的產業化；在國內首先實現SiC紫外單光子探測器；研究和澄清了GaN基功率器件和發光二極管的幾個基礎器件物理問題，發展了多種新型的器件測試表征方法。
迄今已發表學術論文三百余篇，其中包括SCI論文230余篇；所發表文章獲SCI他人引用10000余篇次（截止到2015年12月）；其代表工作被國外同行在綜述文章上稱為“Major breakthrough (重大突破)”；已獲得13項中國發明專利和1項美國發明專利授權；入選科技部創新人才推進計劃、教育部新世紀人才計劃、江蘇省333人才培養計劃；曾獲江蘇省五四青年獎章（2013）、江蘇省十大青年科技之星（2014）、教育部技術發明一等獎（2015）、國家技術發明二等獎（2016）。
閆建昌
山西中科潞安紫外光電科技有限公司總經理
中科院半導體研究所研究員
閆建昌博士，山西中科潞安紫外光電技術有限公司總經理。中國科學院青年創新促進會會員，北京市科技新星計劃入選者。長期從事氮化物半導體材料和器件研究，尤其專注于氮化鎵半導體紫外發光二極管（UVLED）領域十余年，負責國家863計劃、自然科學基金、重點研發計劃等多項國家級科研項目，取得了具有國際影響力的研究成果。與美國、日本、歐洲等多國的領域著名研究機構開展了學術交流合作，并與產業界建立了良好的互動合作關系。
主持承擔國家863課題“深紫外LED外延生長及應用技術研究”，國際上首次在納米圖形藍寶石襯底(NPSS)上MOCVD外延出高質量AlN材料，材料質量為國際最好水平之一，研制出首支基NPSS的深紫外LED。主持自然科學基金項目“AlGaN基紫外激光二極管研究”，成功實現了國內首個UV-B和UV-C深紫外波段氮化物半導體量子結構的室溫受激發射。發表學術論文五十余篇，申請國家發明專利三十多項。獲中科院成果鑒定兩項，2012年度北京市科學技術獎一等獎、2015年度國家科學技術進步獎二等獎，2018年度北京市科技新星計劃入選者。
周玉剛
南京大學電子科學與工程學院教授
周玉剛，南京大學電子科學與工程學院教授。主要研究方向為GaN基半導體材料與器件，LED器件工藝與先進封裝，光電器件及系統的可靠性分析與壽命預測。周玉剛博士長期從事半導體GaN材料生長和器件研究。1996年起在AlGaN/GaN異質結生長及高電子遷移率晶體管（HEMT）器件結構設計方面做出了大量開創性工作。2004年到2013年，他參與香港微晶及廣東晶科電子的創建和發展，負責芯片研發，成功開發國際先進水平的倒裝焊大功率LED和晶片級無金線封裝，助公司獲得2011年香港工商業成就獎和中國LED產業獎。2013年2月起，他任南京大學電子科學與工程學院教授，承擔自然科學基金和國家重點研發計劃課題研究，并積極科技成果的轉化與應用。近年來發展了在線測量LED結溫和亮度的方法并應用于智能照明，在紫外LED的器件工藝與應用、高密度封裝等方面取得重要成果，部分成果得到了轉化。
張劍平
美國Bolb Inc.董事長兼首席技術官
張劍平，美國Bolb Inc.董事長兼首席技術官。張劍平博士于2014 年與Ling Zhou博士Ying Gao 和 Eun-hyun Park共同創立了 Bolb Inc.。此后一直擔任 Bolb Inc. 董事長兼首席技術官。張博士在 III 族氮化物半導體產業和學術界積累了20多年的經驗，并在深紫外發光二極管領域做出了開創性的工作。他于2003 年 獲得DARPA SUVOS 杰出表現獎，并為 100 多篇同行評審的出版物和 100 多項美國和國際專利和申請做出了貢獻。
劉玉懷
鄭州大學電氣與信息工程學院教授
科技部電子材料與系統國家級國際聯合研究中心主任
河南省電子材料與系統國際聯合實驗室主任
劉玉懷，鄭州大學電氣與信息工程學院教授、科技部電子材料與系統國家級國際聯合研究中心主任、河南省電子材料與系統國際聯合實驗室主任。主要研究方向為氮化物半導體材料與器件，主持國家重點研發計劃政府間國際科技創新合作重點專項（基于氮化物半導體的深紫外激光器的研究）、國家自然科學基金面上項目、河南省科技攻關項目等13項。發表論文與會議報告215篇，國際會議邀請報告12次。日本專利公開1項、授權中國發明專利1項、實用新型項專利1項、軟件著作權5項。紫外LED技術轉移1項。目前主持第三批“智匯鄭州1125創新創業領軍團隊”三色LED集成芯片項目，參與寧波市2025重大科技專項“深紫外LED產業化”。
黎明鍇
湖北大學材料科學與工程學院教授
黎明鍇，湖北大學材料科學與工程學院教授。研究方向為新型超寬禁帶半導體材料、日盲紫外光探測器、采用第一性原理設計、研究新材料。國家自然科學基金面上項目2項、湖北省自然科學基金面上項目1項、教育部博士點基金等科研項目。授權專利11項。
李曉航
沙特國王科技大學副教授
先進半導體實驗室首席研究員
李曉航，沙特國王科技大學副教授，先進半導體實驗室首席研究員。致力于第三代半導體超寬禁帶材料、器件、物理、設備的研究。擁有20項批準和在申的國際專利。是Nature Photonics等雜志的審稿人和Photonics Research的紫外光電特刊特邀主編(leading guest editor)。曾獲 AACG美國晶體生長協會：Harold M. Manasevit Young Investigator Award、 SPIE國際光學工程協會：DJ Lovell Scholarship、 IEEE Photonics Society光子學協會：Graduate Student Fellowship、Georgia Institute of Technology佐治亞理工學院：Edison Prize。實現在藍寶石上低閾值深紫外激光和260nm以下的深紫外激光、在同一襯底上半導體TE和TM深紫外激光 、實現半導體深紫外表面受激輻射、用低溫低成本實現高質量AlN藍寶石基板外延生長 。2018-今 創建半導體極化場工具箱Polarizationtoolbox。
孫曉娟
中國科學院長春光學精密機械與物理研究所研究員
孫曉娟，中國科學院長春光學精密機械與物理研究所研究員，國家優秀青年基金獲得者。主要從事寬禁帶半導體材料與器件相關研究工作，在氮化物材料生長、缺陷調控及器件研究等方面取得了系列科研成果。主持國家自然科學基金“優青”、科技部重點研發計劃子課題、國家自然科學基金面上項目等項目十余項，核心骨干參與國家自然科學基金“創新群體”、國家“杰青”、國家自然科學基金重大科研儀器研制項目、科技部重點研發計劃項目等。相關成果在Advanced Materials、Light: Science & Applications、Applied PhysicsLetters等期刊發表SCI論文60余篇，申請/授權發明專利80余項。
高 娜
廈門大學副教授
高娜，廈門大學副教授，2015年獲廈門大學微電子學與固體電子學博士學位，同年加入物理科學與技術學院。2018至2019年曾赴科技部高技術研究發展中心協助工作。負責或承擔多門實驗課程教學任務，先后獲得廈門大學第十五屆青年教師教學技能比賽一等獎，2022年全國高等學校物理基礎課程青年教師講課比賽福建省一等獎、華東賽區一等獎及全國一等獎；主持研制的教學儀器獲全國高等學校物理實驗教學儀器評比二等獎；參與校級教改項目及實驗教材編寫，指導多篇本科畢業設計論文評優。
擔任國家級科研項目的課題及子課題負責人，曾主持或參與國家自然科學基金青年項目、福建省科技計劃引導性項目、國家重點研發計劃項目等10余項；研究成果以第一或通訊作者發表在Light: Science & Applications、Nanoscale、Crystal growth & design等國際刊物上，單篇最高他引超100次，部分成果受到國內外相關媒體的宣傳報道；參與撰寫Elsevier出版社英文專著1章；獲授權發明和實用新型專利10余件，轉讓技術成果1件；擔任Journal of Physics D: Applied Physics Special Issue on Wide-bandgap Semiconductors and Applications客座編輯；作為主要骨干獲省部級科技進步獎2項、行業協會一等獎1項。
吳 乾
廣州市鴻利秉一光電科技有限公司總經理
吳乾，先后畢業于中國科技大學、中國科學院大學。廣東省科技專家庫專家、廣州市科技專家庫專家。曾任鴻利智匯集團股份有限公司董事、技術中心常務副主任、國家半導體照明研發及產業聯盟標準化委員會管理委員會委員、廣東省LED光源標準化技術委員會委員。廣州市鴻利光電股份有限公司工作期間申請專利36項，其中作為第一發明人累計申請并授權的各類專利11項。其中一種白光LED分選方法獲得廣州市花都區2008-2009年科技進步二等獎。期間參與國家級或省部級研發項目6項，作為承擔人4項。發表文章。2013年創立中山市秉一電子科技有限公司（現廣州市鴻利秉一光電科技有限公司）一直擔任公司總經理，公司成立至今申請專利11項，其中已授權7項。
杜 軍
北控水務集團技術管理部水務經理
任君琪
GE通用凈水科技有限公司研發總監
任君琪先生，現任通用凈水科技有限公司研發總監，復旦大學光源與照明工程系畢業，早年在GE從事十余年LED等各類光源與照明產品研發工作，后加入聯合利華旗下沁園集團，從事多年商用終端凈水產品研發工作。致力于UVC類產品在各類終端凈水產品上的應用和推廣，以達到解決行業菌落難題，確保公共飲水安全的目的。
張文瑞
中科院寧波材料所研究員
張文瑞，中科院寧波材料所研究員，主要從事寬禁帶氧化物半導體材料與器件的研究，研究致力于不斷完善氧化物薄膜的精準制備與載流子輸運調控能力，研發新一代功率電子器件與深紫外光電器件，以推動氧化物半導體在新能源產業和信息產業的發展應用。張文瑞博士在氧化物薄膜外延、載流子輸運調控與半導體器件設計研發等方面積累了豐富的研究經驗，與國內外高校、國家實驗室和產業界的科研團隊展開了深入密切的合作。代表性研究成果發展了新型功能氧化物和異質結界面的外延生長技術，在此基礎上揭示了包括激子傳導、小極化子傳導與疇壁傳導的載流子輸運機理與調控方法，進一步研究整流結器件與光電轉換器件的設計應用。以上研究成果在相關領域建立了較高的學術影響力，受到美國能源部亮點報道和學術期刊編輯推薦，并應邀在多個國際會議和學術機構作邀請報告。圍繞以上領域發表學術論文70余篇，其中第一及通訊作者論文20余篇，包括ACS Energy Lett., Adv. Funct. Mater., ACS Nano, Nano-Micro Lett.和IEEE EDL等，論文被引超3000次，H指數30。目前主持國家級人才項目、國家自然科學基金、浙江省自然科學基金和寧波市科技創新團隊項目，擔任30多種國際學術期刊(包括Nat.Commun., Sci. Adv.,和Adv. Mater.)的審稿人。
崔旭高
復旦大學信息科學與工程學院光源與照明工程系副教授
崔旭高，復旦大學信息科學與工程學院光源與照明工程系副教授。主要從事III族氮化物材料生長和器件研究，在半導體材料生長、材料測試分析、器件制備、InGaN雙異質結太陽能電池、納米卷曲微管光學材料及LED納米復合陶瓷基板的理論研究和應用方面取得了顯著的成果。先后主持國家高技術發展研究計劃(863)項目1項，國家自然科學基金青年基金1項，教育部新教師基金1項，上海市自然基金1項，國家火炬計劃示范項目2項，江蘇省科技工業支撐計劃項目1項，并參加多項國家自然科學基金和其他項目。迄今發表論文30余篇，申請/授權發明專利10余項，參與編寫書目3本。崔旭高副教授在項目的管理和安排方面也積累了豐富的經驗，多項發明取得成果轉化。
（備注：以上部分嘉賓信息未經其本人確認，僅供參考！）
【關于分論壇協辦單位介紹】
》》》山西中科潞安紫外光電科技有限公司
中科潞安深紫外LED芯片項目，于2018年4月啟動，位于山西省長治市高新區漳澤新型工業園區，毗鄰長治市王村機場、G55高速和太焦高鐵。項目依托國家科技進步一等獎、何梁何利基金科學與技術創新獎獲得者、中科院半導體所李晉閩研究員領銜的頂尖技術團隊，由長治市人民政府、中科院半導體研究所、潞安集團三方聯合打造，一期總投資7.5億元，構建深紫外LED核心裝備、芯片及紫外技術應用開發等全產業鏈研究和生產平臺。旨在推動我國紫外LED快速實現產業化，打造全球首個紫外光電產業集群。2019年5月，中科潞安年產3000萬顆深紫外LED芯片生產線正式投產。2020年8月，國家五部委將本項目評為“2019年度真抓實干成效明顯予以通報表揚的示范項目”，全國僅五家。
山西中科潞安紫外光電科技公司，主要開展紫外LED芯片,以及MOCVD設備、紫外殺菌設備的生產和銷售，同時掌握深紫外領域核心裝備制造和芯片技術的企業，被認定為山西省第三代半導體紫外光電工程研究中心、高新技術企業、國家第三代半導體技術創新中心山西分中心。
》》》關于廣州市鴻利秉一光電科技有限公司
廣州市鴻利秉一光電科技有限公司（以下簡稱“鴻利秉一”）始創于2013年12月，注冊資本1145.8萬元，公司前身為中山市秉一電子科技有限公司。公司自創立以來一直從事紫外發光二極管及半導體激光器的封裝。經過近十年的努力鴻利秉一在行業內建立了一定的行業地位，獲得了同行的廣泛認可，鴻利秉一已經成為：鴻利智匯集團股份有限公司（股票代碼：300219）投資的企業、國家高新技術企業、國家半導體照明工程研發及產業聯盟理事單位、國家工信部半導體照明技術標準小組成員單位、中國印刷技術協會凹版分會理事單位、廣東省光電協會理事單位、廣東省增材制造研究與應用協會。
鴻利秉一先后主導或者參與多個政府財政支持研發項目，參與制定多項行業標準。鴻利秉一國內首家提出全無機封裝并形成量產產品，其全無機封裝紫外發光二極管累計銷售額已經超過1.5億元，并圍繞全無機封裝形成了以12項授權發明專利為主的知識產權保護網。目前鴻利秉一已經形成了紫外發光二極管、半導體激光器、準分子燈三大業務方向。鴻利秉一將以秉誠如一的態度，務實創新，努力為客戶創造價值。
》》》蘇州思體爾軟件科技有限公司
蘇州思體爾軟件科技有限公司成立于2020年10月，是STR Group在中國的全資子公司。公司為中國市場企業、高校、研究院所等客戶，在晶體生長、外延、LED、半導體器件等專業領域提供定制化的模擬仿真軟件授權、項目合作和技術咨詢服務。STR集團在美國、日本、歐洲和中國有40多名科學家和工程師。STR正在開發和推廣五個主要產品線有：（1）從熔體和溶液中產生的晶體生長的定制軟件-CGSim；（2）氣相法大塊晶體生長的定制軟件-Virtua lReactor；（3）模擬沉積和外延的定制軟件-CVDSim3D；（4）模擬光電和電子器件的定制軟件-SimuLED；（5）模擬改良西門子法多晶硅還原爐的定制軟件-PolySim；每一款軟件產品和每一次項目合作的背后都有來自歐洲專家團隊全面的研究，詳細的物理模型驗證和方法應用，STR集團在晶體生長科學和器件工程方面的專業知識理論，在行業內評審的期刊和會議報告中得到廣泛引用和論證。截止目前，全球有200多家公司和學術機構是STR集團軟件產品的最終用戶，客戶包括世界頂級的材料、設備和設備制造商。
蘇州思體爾軟件科技有限公司在中國市場上有龐大客戶群體，根據行業領先客戶問題反饋不斷更新軟件模塊和功能，各個軟件一年有2-4次更新頻率，可以及時跟進市場發展和技術迭代趨勢。主要為中國區客戶提供CGSim、CVDSim3D、VirtualReactor、SimuLED、PolySim等軟件許可證，同時為客戶提供基于軟件授權的專業技術咨詢服務和項目合作服務。擁有專業的售后團隊，在歐洲專家團隊的同步支持下可以為軟件使用客戶提供及時高效的線上/線下技術支持服務，保證客戶軟件使用的效率和效果。
附：
一年一度行業盛會，第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA ）將于2023年2月7-10日（7日報到）在蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店召開。在這場被視為“全球第三代半導體行業風向標”的盛會上，由2014年諾貝爾物理獎獲得者、日本工程院院士、美國工程院院士、中國工程院外籍院士、日本名古屋大學未來材料與系統研究所教授天野浩，美國工程院院士、美國國家發明家院士、中國工程院外籍院士、美國弗吉尼亞理工大學的大學特聘教授Fred LEE領銜200多個報告嘉賓，緊扣論壇“低碳智聯·同芯共贏”大會主題，將在開幕大會、主題分會及同期共計近30余場次活動中，全面展現第三代半導體產業鏈前沿技術進展及產業發展“風向"。
國際第三代半導體論壇（IFWS）是由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）在中國地區舉辦的、具備較強影響力的第三代半導體領域年度盛會，是引領全球第三代半導體新興產業發展，促進相關產業、技術、人才、資金、政策合力發展的全球性、全產業鏈合作的高端平臺和高層次綜合性論壇。論壇以促進第三代半導體與電力電子技術、移動通信技術、紫外探測技術和應用的國際交流與合作，全面覆蓋行業基礎研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應用的創新發展，成為全球范圍內的全產業鏈合作交流的重要平臺，引領第三代半導體產業發展方向。
中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）伴著中國半導體照明產業的發展一路成長起來，已成為半導體照明領域最具規模，參與度最高、口碑最好的全球性高層次論壇。十幾年的時間里，論壇盡最大力量打造國際性舞臺，邀請全球頂級專家，傳遞最前沿的產業、技術發展信息。
至今，SSLCHINA已連續舉辦了十八屆，IFWS也同期連續舉辦了七屆，全球超過1900位專家學者、企業領袖、投資人等蒞臨現場發布了精彩演講，參會觀眾覆蓋了70多個國家和地區，累計2.9萬余人到現場參會，集齊跨地區、跨領域的智慧合力，共同召喚產業發展新生態。無論是行業龍頭企業、初創團隊或是行業服務機構，論壇都是十分精準的品牌展示、產品推廣、技術交流、成果發布及尋求合作的優質平臺和窗口。十幾年來，論壇服務過的客戶遍及全球，涵蓋了大部分國內外知名的半導體材料、裝備、器件及應用端企業，數量近千家，服務次數超過1200次。通過論壇期間的交流與對接，很多企業結識了潛在的合作伙伴，為自身發展把握住了機會。更多詳情見附件：
會議時間：2023年2月7日-10日（7日報到）
會議地點：中國 - 蘇州 - 蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店
日程安排
注冊權益收費表
備注：
＊中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）或第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）成員單位在此基礎上再享受10%優惠。
＊學生參會需提交相關證件。
＊會議現場報到注冊不享受各種優惠政策。
＊IFWS相關會議包括：開幕大會，碳化硅襯底材料生長與加工,碳化硅功率電子材料與器件,氮化物襯底材料生長與外延技術,氮化鎵功率電子材料與器件,固態紫外材料與器件,化合物半導體激光器技術,Mini/Micro LED及其他新型顯示技術,射頻電子材料與器件,超寬禁帶及其他新型半導體材料與器件，閉幕大會。
＊SSLCHINA相關會議包括：開幕大會，氮化物襯底材料生長與外延技術，固態紫外材料與器件，LED芯片、封裝與光通信，Mini/Micro LED及其他新型顯示技術，生物農業光照技術，教育照明與健康光環境，光醫療應用技術，化合物半導體激光器技術,閉幕大會。
*產業峰會包括：生物農業光照技術與產業應用峰會、車用半導體創新合作峰會、功率模塊與電源應用峰會、第三代半導體標準與檢測研討會、UV LED創新應用、Mini/Micro-LED技術產業應用峰會。
＊若由于某些原因，您繳費后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除一定的退款手續費。
＊自助餐包含：2023年2月8日午餐、2月9日午餐+晚餐。
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*備注：請微信掃碼查看并注冊，注冊成功后可在個人中心查看電子票信息、申請發票、為他人報名、分享海報等等。
2023年2月1日之前，完成注冊繳費即可享受折扣票（詳見上圖），中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）或第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）成員單位在此基礎上再享受10%優惠。學生參會需提交相關證件。會議現場報到注冊不享受各種優惠政策。
