以化合物半導體為代表的半導體新材料快速崛起，未來10年將對國際半導體產業格局的重塑產生至關重要的影響，在新能源汽車、消費類電子等眾多領域有廣闊的應用前景。以砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的化合物半導體市場空間不斷拓展，伴隨化合物半導體下游需求旺盛，受到政策、資金等積極因素持續發力，前景明朗可期。

為進一步聚焦國際半導體光電子、半導體激光器、功率半導體器件等化合物半導體技術及應用的最新進展，促進化合物半導體產業全方位、全鏈條發展。在湖北省和武漢市政府支持下，由武漢東湖新技術開發區管理委員會、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、九峰山實驗室、光谷集成電路創新平臺聯盟共同主辦的“首屆中國光谷九峰山論壇暨化合物半導體產業發展大會”將于4月19-21日在武漢召開。

國際化一站式交流平臺，

洞悉全球化合物半導體發展態勢

當前，以氮化鎵等為代表的化合物半導體發展備受關注，隨著物聯網、人工智能和機器學習等多項新興技術的應用，高速半導體器件的需求不斷增加，也為化合物半導體市場發展帶來利好。

在新的國際形勢背景下，本屆論壇由多方強強聯合攜手主辦。據了解，論壇預計將邀請500+企業代表，行業領袖代表共話產業最新熱點，一站式頭腦風暴共謀產業發展。同時為業界搭建高規格、國際化的產業技術交流平臺，吸引全球技術及產業資源聚集，促進化合物半導體產業鏈、創新鏈，價值鏈，人才鏈、服務鏈等全鏈條發展，推動創新體系和生態完善，助力建設化合物半導體產業技術應用創新發展高地。

三天時間里，論壇將通過開幕大會，5大主題平行論壇，超70+場次主題報告分享，院士專家權威解讀國家產業政策走向、科技計劃布局、重大載體平臺建設。其中，開幕大會將邀請到國內外權威科研院所的院士專家以及代表性企業領袖，全面分享國際半導體光電子技術進展，半導體激光器、功率半導體器件等化合物半導體技術及應用的最新進展，洞悉全球化合物半導體發展態勢。

5大主題平行論壇，

聚焦化合物半導體關鍵前沿進展

化合物半導體材料擁有高電子遷移率、直接能隙與寬能帶等特性，恰好符合半導體產業發展所需，隨著材料制備技術與下游應用市場的成熟，以及物聯網、5G時代的到來，以GaAs、GaN、SiC等為代表的化合物半導體正快速崛起中，市場空間不斷拓展。

其中，因GaN高頻性能突出，是5G基站與數據中心器件的關鍵材料，并有望率先在快充領域大放異彩，Yole預計到2025年，GaN射頻器件將以55%的占有率取代當前硅基LDMOS第一的市場地位。同時，SiC目前主要應用于新能源汽車及其配套充電樁等大功率場景，根據IHS Markit數據，2025年SiC功率器件的市場規模將達到30億美元，年均復合增速達到30.4%。

一代材料、一代工藝、一代裝備，隨著化合物半導體材料、工藝與設備等技術的發展將極大的支撐并推動化合物半導體的發展進程，功率半導體的小型化與低功耗、光通信器件、功率電子器件等諸多應用的發展也推動著產業的快速發展。

本屆5大主題平行論壇將重點聚焦化合物半導體關鍵前沿發展，涉及化合物半導體關鍵材料與制備工藝、半導體核心裝備及零部件、EDA工具與生態鏈、光電子器件及集成技術、功率電子器件及應用等重點方向，超70+場次主題報告分享，深入探討相關重點技術發展進展與前沿趨勢，傳遞最新技術信息，促進產業鏈的協同創新。

此外，據組委會透露，武漢東湖新技術開發區（又稱中國光谷）作為首批國家級高新區、第二個國家自主創新示范區、中國（湖北）自由貿易試驗區武漢片區，為搶抓化合物半導體產業發展機遇期，正在加速打造化合物半導體產業集群，將計劃在本次大會上發布相關規劃和政策。

九峰山實驗室作為論壇主辦方之一，以建設先進的化合物半導體研發和創新中心為愿景，在中國光谷建立起世界級的實驗基礎設施，將來自世界各地的才智聚集在一起，建立由合作伙伴組成的全球生態系統，打造開放、公共、共享的科研中心，構建可持續發展的未來。實驗室也將以開放的心態，歡迎更多合作伙伴的參與攜手同行。

同時，論壇結合主題展覽，線上+線下，覆蓋化合物半導體全產業鏈，同期交流晚宴、商務考察務實求效，精彩紛呈。論壇誠摯邀請行業同仁的參與，共話產業發展，把握產業商機，對接資源，洽談合作，攜手向前。目前論壇籌備工作正有序推進中，更多信息敬請關注微信公眾號“第三代半導體產業”了解最新詳情。

附件：論壇信息