半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息：第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日于廈門國際會議中心召開。目前論壇征文活動進入尾聲階段，論文擴展摘要&全文提交將于10月20日截至。請有意愿投稿者務必盡早提交。
本屆論壇將由廈門市人民政府、廈門大學、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，廈門市工業(yè)和信息化局、廈門市科學技術(shù)局、廈門火炬高新區(qū)管委會、惠新(廈門)科技創(chuàng)新研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。
據(jù)了解，目前大會各項籌備工作正有序推進中，大會征文同步火熱進行中，將圍繞“碳化硅功率電子材料與器件”、“氮化物半導體電子材料與器件”、“功率電子應用”、“襯底材料與裝備”、“半導體照明與光電融合技術(shù)”、“超越照明創(chuàng)新應用”、“新型顯示材料及應用”、“固態(tài)紫外材料與器件”等方向展開征文。同時，組委會結(jié)合高校院所實際情況，積極采納專家學者的建議，以及各高校學生投稿時間的需求，已經(jīng)將論文擴展摘要&全文提交截止日期延至10月20日，因會期臨近故不再延期，請有投稿意愿的投稿者務必于截止日前提交論文。
投稿的錄取論文會被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表。同時，論壇期間優(yōu)秀論文將有POSTER海報交流展示，并可參加論壇優(yōu)秀海報獎評選，論壇現(xiàn)場將舉行頒獎典禮，為獲獎者頒發(fā)榮譽證書和獎勵，歡迎行業(yè)專家學者業(yè)界同仁積極投稿。
此外，目前論壇程序委員會主席團&專家團名單公布，擁有國內(nèi)外頂級專家學者組成的超150位專家團隊，超強陣容齊聚，強勢助力論壇，全面聚焦并展現(xiàn)國際第三代半導體前沿技術(shù)新進展及產(chǎn)業(yè)發(fā)展“新風向”。關(guān)于論壇更多信息，詳見下文：
第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）
第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）
9th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors
20th China International Forum on Solid State Lighting
征文通知
Call for Papers
國際第三代半導體論壇是第三代半導體產(chǎn)業(yè)在中國地區(qū)的年度盛會，是前瞻性、全球性、高層次的綜合性論壇。會議以促進第三代半導體與電力電子技術(shù)、移動通信技術(shù)、紫外探測技術(shù)和應用的國際交流與合作，引領(lǐng)第三代半導體新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向為活動宗旨，全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應用的創(chuàng)新發(fā)展，聯(lián)結(jié)產(chǎn)、學、研、用，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺。在過去的八年時間里，IFWS延請寬禁帶半導體領(lǐng)域國際頂級學術(shù)權(quán)威分享最前沿技術(shù)動態(tài)，已發(fā)展成具有業(yè)界影響力的綜合性專業(yè)論壇。
中國國際半導體照明論壇是SSL國際系列論壇在中國地區(qū)的年度盛會，SSLCHINA是半導體照明領(lǐng)域最具規(guī)模、參與度最高、口碑最好的全球性專業(yè)論壇。SSL國際系列論壇以促進半導體照明技術(shù)和應用的國際交流與合作，引領(lǐng)半導體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向為活動宗旨，全面覆蓋行業(yè)工藝裝備、原材料，技術(shù)、產(chǎn)品與應用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺，致力于拓展業(yè)界所關(guān)注的目標市場，以專業(yè)精神恒久締造企業(yè)的商業(yè)價值。
今年，國際第三代半導體論壇與中國國際半導體照明論壇于11月27-30日在廈門國際會議中心舉辦，同臺匯力，相映生輝，放眼LED+和先進電子材料更廣闊的未來。論壇與IEEE合作，投稿的錄取論文會被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表。IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表周期約為會后三個月，IEEE Xplore擁有論文審核周期與是否錄用的最終解釋權(quán)。注：IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫。
會議時間 ：2023年11月27-30日
會議地點 :中國· 福建 ·廈門國際會議中心
主辦單位：
廈門市人民政府
廈門大學
第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
中關(guān)村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）
承辦單位：
廈門市工業(yè)和信息化局
廈門市科學技術(shù)局
廈門火炬高新區(qū)管委會
惠新(廈門)科技創(chuàng)新研究院
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司
程序委員會 ：
程序委員會主席團
主席：
張 榮--廈門大學黨委書記、教授
聯(lián)合主席：
劉 明--中科院院士、中國科學院微電子研究所所研究員
顧 瑛--中科院院士、解放軍總醫(yī)院教授
江風益--中科院院士、南昌大學副校長、教授
李晉閩--中國科學院特聘研究員
張國義--北京大學東莞光電研究院常務副院長、教授
沈 波--北京大學理學部副主任、教授
唐景庭--中國電子科技集團公司第二研究所所長
徐 科--江蘇第三代半導體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長、研究員
邱宇峰--廈門大學講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原副院長
盛 況--浙江大學電氣工程學院院長、教授
張 波--電子科技大學教授
陳 敬--香港科技大學教授
徐現(xiàn)剛--山東大學新一代半導體材料研究院院長、教授
吳偉東--加拿大多倫多大學教授
張國旗--荷蘭代爾夫特理工大學教授
Victor Veliadis--PowerAmerica首席執(zhí)行官兼首席技術(shù)官、美國北卡羅萊納州立大學教授
F1-碳化硅功率電子
• 碳化硅襯底材料生長與裝備
• 碳化硅外延材料生長與裝備
• 碳化硅功率電子器件
• 芯片制造工藝及關(guān)鍵裝備
• 碳化硅功率器件封裝及可靠性
• 碳化硅功率器件應用
主題分論壇主席：
徐現(xiàn)剛——山東大學新一代半導體材料研究院院長、教授
盛 況——浙江大學電氣工程學院院長、教授
劉 勝——武漢大學動力與機械學院院長、教授
唐景庭——中國電子科技集團公司第二研究所所長
召集人：
• 碳化硅襯底材料生長與裝備
徐現(xiàn)剛——山東大學新一代半導體材料研究院院長、教授
陳小龍——中國科學院物理研究所功能晶體研究與應用中心主任、研究員
唐景庭——中國電子科技集團公司第二研究所所長
吳 軍——北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司副總裁，首席科學家
• 碳化硅外延材料生長與裝備
馮 淦——瀚天天成電子科技（廈門）有限公司總經(jīng)理
王志越——中電科裝備集團有限公司首席技術(shù)官
吳 軍——北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司副總裁，首席科學家
• 碳化硅功率電子器件
盛 況——浙江大學電氣工程學院院長、教授
柏 松——中國電子科技集團公司第五十五研究所研究員
張清純——復旦大學上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任
邱宇峰——廈門大學講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原副院長
張玉明——西安電子科技大學微電子學院院長、教授
王德君——大連理工大學教授
袁 俊——九峰山實驗室功率器件負責人
唐景庭——中國電子科技集團公司第二研究所所長
王志越——中電科裝備集團有限公司首席技術(shù)官
杜志游——中微半導體設(shè)備(上海)有限公司高級副總裁
吳 軍——北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司副總裁，首席科學家
• 芯片制造工藝及關(guān)鍵裝備
唐景庭——中國電子科技集團公司第二研究所所長
王志越——中電科裝備集團有限公司首席技術(shù)官
杜志游——中微半導體設(shè)備(上海)有限公司高級副總裁
吳 軍——北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司副總裁，首席科學家
• 碳化硅功率器件封裝及可靠性
劉 勝——武漢大學動力與機械學院院長、教授
李世瑋——香港科技大學教授
陸國權(quán)——美國弗吉尼亞大學教授
張 峰——廈門大學物理科學與技術(shù)學院教授
王來利——西安交通大學教授
樊嘉杰——復旦大學青年研究員
姜 克——安世半導體全球研發(fā)副總裁、I&M事業(yè)部總經(jīng)理
F2-氮化鎵功率電子
• 氮化鎵襯底材料生長與裝備
• 氮化鎵外延材料生長與裝備
• 氮化鎵功率電子器件
• 氮化鎵射頻電子器件
• 氮化鎵電子器件封裝及可靠性
• 氮化鎵電子器件應用
主題分論壇主席：
沈 波——北京大學理學部副主任、教授
徐 科——中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所副所長、研究員
張 波——電子科技大學教授
陳堂勝——中國電子科技集團公司第五十五研究所首席科學家
召集人：
• 氮化鎵襯底材料生長與裝備
徐 科——中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所副所長、研究員
修向前——南京大學電子科學與工程學院教授
吳 軍——北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司副總裁，首席科學家
• 氮化鎵外延材料生長與裝備
沈 波——北京大學理學部副主任、教授
黎大兵——中國科學院長春光學精密機械與物理研究所研究員
畢文剛——香港中文大學（深圳）教授
張源濤——吉林大學教授
杜志游——中微半導體設(shè)備(上海)有限公司高級副總裁
楊 敏——江蘇南大光電材料股份有限公司首席技術(shù)官
吳 軍——北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司副總裁，首席科學家
• 氮化鎵功率電子器件
張 波——電子科技大學教授
吳偉東——加拿大多倫多大學教授
劉 揚——中山大學教授
孫 錢——中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員
張進成——西安電子科技大學副校長、教授
吳毅鋒——珠海鎵未來科技有限公司總裁
梁輝南——潤新微電子(大連)有限公司總經(jīng)理
王茂俊——北京大學信息科學技術(shù)學院副教授
• 氮化鎵射頻電子器件
陳堂勝——中國電子科技集團公司第五十五研究所首席科學家
蔡樹軍——中國電子科技集團公司第五十八研究所所長
張乃千——蘇州能訊高能半導體有限公司董事長
張 韻——中國科學院半導體研究所副所長、研究員
敖金平——日本德島大學教授、江南大學教授
于洪宇——南方科技大學深港微電子學院院長、教授
馮志紅——中電科第十三所首席科學家、專用集成電路國家級重點實驗室副主任
劉建利——中興通訊股份有限公司無線射頻總工
• 氮化鎵電子器件封裝及可靠性
劉 勝——武漢大學動力與機械學院院長、教授
李世瑋——香港科技大學教授
趙麗霞——天津工業(yè)大學科學技術(shù)研究院院長、教授
羅小兵——華中科技大學能源與動力工程學院院長、教授
楊道國——桂林電子科技大學教授
陸國權(quán)——美國弗吉尼亞大學教授
王來利——西安交通大學教授
樊嘉杰——復旦大學青年研究員
姜 克——安世半導體全球研發(fā)副總裁、I&M事業(yè)部總經(jīng)理
• 氮化鎵電子器件應用
陳敦軍——南京大學電子科學與工程學院副院長、教授
姜 克——安世半導體全球研發(fā)副總裁、I&M事業(yè)部總經(jīng)理
F3-超寬禁帶半導體
• 氧化鎵半導體材料與器件
• 金剛石半導體材料與器件
• 氮化硼和氮化鋁材料
• 其它新型寬禁帶半導體材料
主題分論壇主席：
陶緒堂——山東大學講席教授
單崇新——鄭州大學副校長
召集人：
• 氧化鎵半導體材料與器件
陶緒堂——山東大學講席教授
龍世兵——中國科學技術(shù)大學微電子學院執(zhí)行院長、教授
張進成——西安電子科技大學副校長、教授
王新強——北京大學教授
葉建東——南京大學教授
韓根全——西安電子科技大學教授
• 金剛石半導體材料與器件
單崇新——鄭州大學副校長
王宏興——西安交通大學教授
顧書林——南京大學電子科學與工程學院教授
• 氮化硼和氮化鋁材料
劉玉懷——鄭州大學教授
張興旺——中國科學院半導體研究所研究員
于彤軍——北京大學教授
李 強——西安交通大學副教授
• 其它新型寬禁帶半導體材料
F4-半導體光源
• 全光譜LED材料、芯片、封裝及可靠性
• 面向顯示應用的Mini/Micro-LED材料、芯片與關(guān)鍵裝備
• 化合物半導體激光材料與器件及其應用
• 化合物半導體異質(zhì)集成技術(shù)
• 氮化物半導體固態(tài)紫外（發(fā)光 & 探測）
• 鈣鈦礦及量子點材料與器件
主題分論壇主席：
江風益——中科院院士、南昌大學副校長、教授
嚴 群——福州大學教授
曾一平——中科院半導體所研究員
孫小衛(wèi)——南方科技大學電子與電氣工程系講席教授
康俊勇——廈門大學教授
王軍喜——中國科學院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發(fā)中心主任
召集人：
• 全光譜LED材料、芯片、封裝及可靠性
江風益——中科院院士、南昌大學副校長、教授
劉國旭——易美芯光（北京）科技有限公司執(zhí)行副總裁兼首席技術(shù)官
云 峰——西安交通大學教授
羅小兵——華中科技大學能源與動力工程學院院長、教授
伊曉燕——中國科學院半導體研究所研究員
郭偉玲——北京工業(yè)大學教授
汪 萊——清華大學電子工程系副教授、信息光電子研究所所長
汪煉成——中南大學教授
張建立——南昌大學研究員
李金釵——廈門大學物理科學與技術(shù)學院教授
• 面向顯示應用的Mini/Micro-LED材料、芯片與關(guān)鍵裝備
嚴 群——福州大學教授
王新強——北京大學教授、北大東莞光電研究院院長
閆春輝——納微朗科技（深圳）有限公司董事長
劉 斌——南京大學電子科學與工程學院副院長、教授
黃 凱——廈門大學物理科學與技術(shù)學院副院長、教授
馬松林——TCL集團工業(yè)研究院副院長
劉國旭——易美芯光（北京）科技有限公司執(zhí)行副總裁兼首席技術(shù)官
邱 云——京東方科技集團股份有限公司技術(shù)企劃部副總監(jiān)
劉召軍——南方科技大學研究員
• 化合物半導體激光材料與器件及其應用
曾一平——中科院半導體所研究員
張保平——廈門大學電子科學與技術(shù)學院副院長、教授
胡曉東——北京大學寬禁帶半導體研究中心教授
莫慶偉——老鷹半導體副總裁、首席科學家
劉建平——中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員
惠 峰——云南鍺業(yè)公司首席科學家、中科院半導體所研究員
• 氮化物半導體固態(tài)紫外（發(fā)光 & 探測）
康俊勇——廈門大學教授
王軍喜——中國科學院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發(fā)中心主任
黎大兵——中國科學院長春光學精密機械與物理研究所研究員
陸 海——南京大學教授
陳長清——華中科技大學教授
郭浩中——臺灣交通大學特聘教授
李曉航——沙特國王科技大學副教授
許福軍——北京大學物理學院副教授
• 鈣鈦礦、量子點、OLED、激光及其他新型顯示材料與器件
孫小衛(wèi)——南方科技大學電子與電氣工程系講席教授
廖良生——蘇州大學教授
徐 征——北京交通大學教授
段 煉——清華大學教授
鐘海政——北京理工大學教授
畢 勇——中國科學院理化技術(shù)研究所研究員、激光應用中心主任
趙德剛——中國科學院半導體研究所研究員
• 化合物半導體異質(zhì)集成技術(shù)
歐 欣——中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員
吳超瑜——泉州三安砷化鎵板塊總經(jīng)理
張 永——全磊光電股份有限公司董事長
F5-半導體照明創(chuàng)新應用
• 光品質(zhì)與光健康
• 光醫(yī)療
• 光通信與傳感
• 生物與農(nóng)業(yè)光照
主題分論壇主席：
羅 明——浙江大學光電系教授
瞿 佳——溫州醫(yī)科大學附屬眼光醫(yī)院院長、教授
顧 瑛——中科院院士、解放軍總醫(yī)院教授
遲 楠——復旦大學信息科學與工程學院院長、教授
楊其長——中國農(nóng)業(yè)科學院都市農(nóng)業(yè)研究所副所長、研究員
召集人：
• 光品質(zhì)與光健康
羅 明——浙江大學光電系教授
瞿 佳——溫州醫(yī)科大學附屬眼光醫(yī)院院長、教授
郝洛西——同濟大學建筑與城市規(guī)劃學院教授、國際照明學會（CIE）副主席
林燕丹——復旦大學教授
熊大曦——中國科學院蘇州生物醫(yī)學工程技術(shù)研究所研究員
牟同升——浙江大學教授
魏敏晨——香港理工大學副教授
蔡建奇——中國標準化研究院視覺健康與安全防護實驗室主任、研究員
劉 強——武漢大學顏色科學與圖像傳播研究所所長、副教授
• 光醫(yī)療
顧 瑛——中科院院士、解放軍總醫(yī)院教授
王彥青——復旦大學基礎(chǔ)醫(yī)學院教授
崔錦江——中國科學院蘇州生物醫(yī)學工程技術(shù)研究所光與健康研究中心副主任、研究員
張鳳民——黑龍江省醫(yī)學科學院副院長，哈爾濱醫(yī)科大學伍連德書院院長、國家地方聯(lián)合工程研究中心主任
蔡本志——哈爾濱醫(yī)科大學教授
董建飛——蘇州大學
陳德福——北京理工大學醫(yī)工融合研究院特聘副研究員
• 光通信與傳感
遲 楠——復旦大學信息科學與工程學院院長、教授
馬驍宇——中科院半導體研究所研究員
陳雄斌——中國科學院半導體研究所研究員
田朋飛——復旦大學副研究員
李國強——華南理工大學教授
林維明——福州大學教授
房玉龍——中國電子科技集團公司第十三研究所研究員
• 生物與農(nóng)業(yè)光照
楊其長——中國農(nóng)業(yè)科學院都市農(nóng)業(yè)研究所副所長、研究員
唐國慶——木林森股份有限公司執(zhí)行總經(jīng)理、中關(guān)村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟副理事長
劉 鷹——浙江大學生物系統(tǒng)工程與食品科學學院院長、教授
泮進明——浙江大學教授、杭州朗拓生物科技有限公司董事長
賀冬仙——中國農(nóng)業(yè)大學教授
陳 凱——華普永明光電股份有限公司董事長、總裁
華桂潮——四維生態(tài)董事長
徐 虹——廈門通秮科技有限公司總經(jīng)理
劉厚誠——華南農(nóng)業(yè)大學教授
李紹華——中科三安光生物產(chǎn)業(yè)研究院院長
備注：以上程序委員會專家名單持續(xù)更新增加中，僅供參考！
征文方向：
F1-碳化硅功率電子
a)碳化硅襯底材料生長與裝備
b)碳化硅外延材料生長與裝備
c)碳化硅功率電子器件
d)芯片制造工藝及關(guān)鍵裝備
e)碳化硅功率器件封裝及可靠性
f)碳化硅功率器件應用
F2-氮化鎵功率電子
a)氮化鎵襯底材料生長與裝備
b)氮化鎵外延材料生長與裝備
c)氮化鎵功率電子器件
d)氮化鎵射頻電子器件
e)氮化鎵電子器件封裝及可靠性
f)氮化鎵電子器件應用
F3-超寬禁帶半導體
a)氧化鎵半導體材料與器件
b)金剛石半導體材料與器件
c)氮化硼和氮化鋁材料
d)其它新型寬禁帶半導體材料
F4-半導體光源
a)全光譜LED材料、芯片、封裝及可靠性
b)面向顯示應用的Mini/Micro-LED材料、芯片與關(guān)鍵裝備
c)化合物半導體激光材料與器件及其應用
d)化合物半導體異質(zhì)集成技術(shù)
e)氮化物半導體固態(tài)紫外（發(fā)光 & 探測）
f)鈣鈦礦、量子點、OLED、激光及其他新型顯示材料與器件
F5-半導體照明創(chuàng)新應用
a)光品質(zhì)與光健康
b)光醫(yī)療
c)光通信與傳感
d)生物與農(nóng)業(yè)光照
征文流程：
1.作者提交論文全文或擴展摘要,提交至郵箱：papersubmission@china-led.net。
2.通知作者投稿錄用方式：口頭報告、POSTER與入刊會議論文集等。
3.作者需準備材料如下：
1)口頭報告：作者需準備論文與演示文件（PPT/PDF）；
2)POSTER：作者需準備論文與POSTER文件（POSTER需要顯示給予的投稿論文編號。作者攜帶制作好的POSTER至會議舉辦地點并在POSTER展示區(qū)域自行張貼）
3)入刊會議論文集：作者需準備論文。作者需要根據(jù)論文模板準備論文全文。
注：
1)官方網(wǎng)站（www.ifws.org.cn/ www.sslchina.org）提供模板下載，請作者務必按照相應模板和時間要求準備材料，以便順利通過論文審核。
2)投稿的錄取論文會被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表，IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫。
征文要求：
1.基本要求：
1) 尚未在國內(nèi)外公開刊物或其他學術(shù)會議上發(fā)表過的論文;
2) 主題突出，內(nèi)容層次分明，數(shù)據(jù)準確，論述嚴謹，結(jié)論明確，采用法定計量單位;
3) 按照組委會提供的模板排版全文，論文全文格式要求為WORD，內(nèi)容不超過4頁;
4) 論文全文需符合APA撰寫規(guī)范并符合模板排版格式
2.語言要求：
1) 作者須提交文體規(guī)范的英文論文；
2) 演講語言可以使用中文或英文，但必須用英文演示（PPT或PDF文檔）。
注：含有商業(yè)性宣傳內(nèi)容的論文，不予安排在論壇演講。
重要期限及提交方式：
1.擴展摘要 & 全文提交截止日期：2023年10月20日
2.論文摘要 & 全文錄用通知：2023 年 11月 6 日
3.口頭報告演示文件（PPT或PDF）與POSTER電子版提交截止日：2023年11月22日
組委會聯(lián)系方式：
1.投稿咨詢
白老師
010-82387600-602
papersubmission@china-led.net
2.參會/參展/商務合作
賈先生
18310277858
jiaxl@casmita.com
張女士
13681329411
zhangww@casmita.com
在線報名系統(tǒng)
