天眼查知識產(chǎn)權(quán)信息顯示，蘇州漢驊半導(dǎo)體有限公司取得一項名為“深紫外 LED 芯片及其制備方法“，授權(quán)公告號 CN115566118B ，申請日期為 2022 年 10 月。

專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種深紫外 LED 芯片及其制備方法，包括：外延結(jié)構(gòu)，所述外延結(jié)構(gòu)包括依次堆疊設(shè)置的襯底、N 型層、有源發(fā)光層、P 型層和 P 型接觸層，所述 P 型層為光反射性的 P 型層，所述外延結(jié)構(gòu)形成有自所述 P 型接觸層延伸至所述 N 型層的通孔，所述外延結(jié)構(gòu)還包括覆蓋所述通孔側(cè)壁的絕緣介質(zhì)層和覆蓋至少部分所述絕緣介質(zhì)層的第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層電連接所述通孔底部的所述 N 型層；所述外延結(jié)構(gòu)還包括 N 型電極和 P 型電極，所述 N 型電極電連接所述第一導(dǎo)電層，所述 P 型電極電連接所述 P 型接觸層；基板，所述外延結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述基板上，且所述襯底背向所述基板。通過采用倒裝芯片設(shè)計，高反射電極可以進一步提高 UVC 光的出光效率。