2024年11月19日，第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州開幕。本屆論壇由蘇州實驗室、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）主辦，國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）(NCTIAS)、江蘇第三代半導體研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。
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論壇現場
出席開幕式的領導嘉賓有中國工程院院士、中國工程院原副院長、國家新材料產業發展專家咨詢委員會主任干勇，中國科學院院士、廈門大學黨委書記、教授張榮，中國科學院院士、浙大寧波理工學院校長、浙江大學硅及先進半導體材料全國重點實驗室主任、教授楊德仁，中國工程院院士、清華大學教授羅毅，中國科學院外籍院士、瑞典皇家科學院及工程院兩院院士、瑞典德隆大學教授、南方科技大學講席教授Lars SAMUELSON，工業和信息化部電子信息司集成電路處處長郭力力，工業和信息化部電子信息司集成電路處副處長朱邵歆，中國中小企業協會、國家發展改革委原氣候司巡視員謝極，科技部戰略規劃司原司長王曉方，國際半導體照明聯盟（ISA）聯合秘書長、科技部國際合作司原司長靳曉明，科技部資源配置與管理司原副司長、一級巡視員曹國英，工業與信息化部電子司原副司長季國平，國家自然科學基金委員會信息科學部原副主任何杰，蘇州實驗室副主任景震強，蘇州市科技局副局長劉俊，蘇州納米科技發展有限公司黨委書記、董事長張淑梅，美國光學學會院士、中美光電學會院士、臺灣清華大學榮譽講座教授劉容生，臺灣光電科技工業協進會前執行長羅懷家，美國 PowerAmerica 執行董事兼CTO、ICSCRM 2024 大會主席、北卡羅萊納州立大學教授、IEEE寬禁帶功率半導體技術路線圖委員會(ITRW)主席 Victor VELIADIS，華為技術日本株式會社大阪研究所高級首席專家Kimimori HAMADA，日本理化研究所平山量子光素子研究室主任Hideki HIRAYAMA，英特爾研究院副總裁、英特爾中國研究院院長宋繼強，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副理事長、北京大學理學部副主任、特聘教授沈波，聯盟副理事長、中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所副所長、研究員、江蘇第三代半導體研究院院長徐科，中國科學院大學教授、中國科學院空天信息創新研究院研究員、“十四五”國家重點研發計劃“新型顯示與戰略性電子材料”專項專家組組長樊仲維，華南師范大學校長楊中民， 中國科學院福建物質結構研究所副所長林文雄，清華大學教授潘峰，西安電子科技大學副校長、教授張進成，香港科技大學首席教授陳敬，福州大學特聘教授、國際信息顯示學會（SID)中國區總裁嚴群，賽迪研究院集成電路研究所所長周峰，華潤微電子有限公司總裁李虹，北京北方華創微電子裝備有限公司總裁董博宇，揚州揚杰電子科技股份有限公司副董事長梁瑤，杭州士蘭微電子股份有限公司副總經理、教授級高工聞永祥，深圳匯川技術有限公司聯合創始人柏子平，廣州南砂晶圓半導體技術有限公司董事長王垚浩，河北同光半導體股份有限公司董事長鄭清超，復旦大學上海碳化硅功率器件工程技術研究中心主任張清純，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長、國家新材料產業發展專家咨詢委員會委員吳玲，中關村半導體照明工程研發及產業聯盟理事長、中國科學院半導體研究所原所長、研究員、半導體照明聯合創新國家重點實驗室主任李晉閩。此外，還有眾多來自海內外相關領域的政府領導、知名專家、企業領袖、行業組織領導、投資機構以及媒體朋友，超千人出席了開幕大會。圍繞第三代半導體技術、應用，深入探討交流最新技術進展與發展趨勢，分享前沿研究成果，共議產業發展新未來。第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副理事長兼秘書長楊富華主持了開幕式環節。
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副理事長兼秘書長楊富華主持開幕式環節
培塑融合創新生態新思路 賦能產業升級進程
不同應用的變革升級以及新興領域的拓展，帶來第三代半導體材料應用的持續增長，帶動更多應用領域的更新換代和產業升級。產業鏈融通，以及創新生態構建將有利于整體產業鏈的協同創新和良性循環，推動產業升級和經濟發展。
中國工程院院士、中國工程院原副院長、國家新材料產業發展專家咨詢委員會主任干勇為大會致辭
中國工程院院士、中國工程院原副院長、國家新材料產業發展專家咨詢委員會主任干勇致辭時表示，隨著人工智能高算力需求爆發，新一代速度更快、功耗更低、集成度更高的半導體材料和器件成為滿足信息技術面向超高速、超大容量發展的必然選擇。全球正在經歷新一輪電氣化進程，交通運輸、大算力設施等新興應用的快速布局對更加高效、更加強勁的電能處理能力提出了迫切的需求，也成為下一代電力電子系統研發的新動力。寬禁帶半導體與其他功能材料實現跨材料體系的異質集成和功能融合，開發新型器件是第三代半導體領域的重要發展趨勢。半導體產業的全球化屬性是不可改變的，創新對半導體行業尤為重要，加強技術研究和原始創新，實現關鍵核心技術突破，以創新驅動產業高質量發展，同時要堅持加強全球產業鏈供應鏈的協作，仍然是半導體產業發展的重要路徑。
中國科學院院士、廈門大學黨委書記、教授張榮為大會致辭
半導體技術，作為現代科技的核心驅動力之一，一直以來都在不斷革新和突破，備受全球關注，新的時代發展趨勢下，迎來了非常好的發展機遇。中國科學院院士、廈門大學黨委書記、教授張榮致辭時表示，當前，第三代半導體材料以其獨特的性能優勢，無論是在光電技術，還是在功率電子技術、射頻電子技術方面都有著不可替代的作用，近些年發展也取得了長足的進步。第三代半導體具有產業創新和科技創新融合的特點，可以在闖出融合新路的過程當中做出更大的貢獻。希望來自各地的業界同仁通過論壇深入的交流碰撞，更好的找到未來前進的方向，也為我國的產教融合，產業創新和科技創新的融合創造更好的條件。希望年輕的科技工作者和同學們通過論壇不斷的探討學習思考成長，更快的成長起來，撐起我們第三代半導體新的天空，共同書寫新的輝煌篇章。
工業和信息化部電子信息司集成電路處處長郭力力為大會致辭
蘇州實驗室副主任景震強為大會致辭
新材料產業是戰略性基礎性產業，必將成為未來高新技術產業發展的基石和先導。蘇州實驗室副主任景震強致辭時表示，當前，新一輪科技革命和產業革命深入發展，新材料的研發和應用已經成為推動產業升級經濟增長，培育發展新質生產力的重要力量。第三代半導體材料具有獨特的優勢，對于引領支撐信息產業高質量發展具有關鍵作用，全球科技界產業界都高度關注，競相布局。科技強國材料必須先行，蘇州實驗室前瞻布局戰略性材料，承擔著建設全國材料科技創新高地和人才高地的重任。當前，蘇州實驗室正全力打造尖端人才聚集和科技體制改革兩個平臺，秉持開放合作的理念，將努力發揮材料領域科技攻關總平臺的作用，進一步加強與國內外科研機構、高校、科技領軍企業之間的協同創新，構建科學技術工程融通創新機制，力爭以材料科技突破引發產業變革，也歡迎海內外優秀人才有志之士加入一起共創美好未來。
聯盟（CASA）9項SiC MOSFET功率器件測試與可靠性標準發布
為促進產業鏈協同創新發展，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟在產業各界的關注和支持下，2021年起布局并持續啟動了SiC MOSFET功率器件的系列標準制定工作，希望能夠業界建立起統一的產品可靠性評價及測試方法，樹立應用市場信心，支撐新興市場開拓。開幕式上，舉行了9項SiC MOSFET功率器件測試與可靠性標準的發布儀式。
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長，國家新材料產業發展專家咨詢委員會委員吳玲
發布《2024年度中國第三代半導體技術十大進展》
2024年度中國第三代半導體技術十大進展名單
2024年，第三代半導體技術與產業發展日新月異。在快速變化的浪潮中，為了更好的把握行業前沿、凸顯具有影響力和突破性的進展，為行業發展提供清晰視角，激勵更多創新，大會程序委員會倡議，啟動2024年度中國第三代半導體技術十大進展評選活動。截止11月10日通過自薦、推薦和公開信息整理等途徑，共收到備選技術39項，經程序委員會投票、綜合評議，開幕式上，“6-8英寸藍寶石基氮化鎵中高壓電力電子器件技術實現重大突破”、“垂直注入鋁鎵氮基深紫外發光器件的晶圓級制備”“基于銦鎵氮紅光Micro-LED芯片的全彩顯示技術”等十大技術進展正式揭曉。
探新路 助力創新應用新浪潮
新科技時代背景下，創新和技術挑戰持續推動著第三代半導體技術研究和應用的發展進程，展現出巨大的應用潛力，產業化水平不斷提升。技術的變革升級也將深刻影響未來產業的格局塑造。
開幕大會主旨報告環節，共有九大國際重量級報告。中國科學院院士楊德仁，美國 PowerAmerica 執行董事兼CTO、ICSCRM 2024大會主席Victor VELIADIS，瑞典皇家科學院及工程院兩院院士、中國科學院外籍院士Lars SAMUELSON，日本理化研究所平山量子光素子研究室主任平山秀樹，北京大學理學部副主任、特聘教授沈波，華為技術日本株式會社大阪研究所高級首席專家濱田公守，西安電子科技大學副校長、教授張進成，華潤微電子總裁李虹等院士領銜的專家們，從產業、技術等多維度探討產業發展的未來，共議產業發展新篇章。山東大學教授徐現剛、香港科技大學首席教授陳敬、中國科學院半導體研究所副所長、研究員張韻聯袂主持了大會主旨報告環節。
山東大學教授徐現剛
中國科學院半導體研究所副所長、研究員張韻
香港科技大學首席教授陳敬
楊德仁
中國科學院院士、浙大寧波理工學院校長、浙江大學硅及先進半導體材料全國重點實驗室主任、教授
《半導體材料產業的現狀和挑戰》
Victor VELIADIS
美國 PowerAmerica 執行董事兼CTO、ICSCRM 2024 大會主席、北卡羅萊納州立大學教授 、IEEE寬禁帶功率半導體技術路線圖委員會(ITRW)主席
《加快碳化硅芯片和電力電子器件的商業化發展》
平山秀樹
日本理化研究所平山量子光素子研究室主任
《用于病毒滅活的藍寶石生長230nm遠紫外光功率模組的開發研究》
沈波
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副理事長、北京大學理學部副主任、特聘教授
《基于大失配外延的氮化物第三代半導體材料與器件》
濱田公守
華為技術日本株式會社大阪研究所高級首席專家
《最新的高性能SiC MOSFET技術趨勢》
李虹
華潤微電子有限公司總裁
《融通半導體產業鏈 構建應用創新生態圈》
董博宇
北京北方華創微電子裝備有限公司總裁
《同芯共贏，以裝備創新推動第三代半導體產業蓬勃發展》
Lars SAMUELSON
瑞典皇家科學院及工程院兩院院士、中國科學院外籍院士、瑞典德隆大學教授、南方科技大學講席教授
《實現超小型全氮化微型LED的納米級材料科學》
張進成
西安電子科技大學副校長、教授
《高功率寬禁帶半導體射頻器件研究進展》
半導體材料產業具有研發投入大、周期長，技術難度大、門檻高，全球市場充分競爭，頭部企業國際壟斷嚴重等特點。從半導體材料產業來看，也面臨著產品水平處于中低端，先進、高端半導體材料嚴重依賴進口，企業規模較小，半導體材料的生長、加工設備缺乏，半導體材料的測試設備幾乎空白等挑戰。專家表示，盡管技術產業發展進步很快速，距離依然在。包括氮化物寬禁代半導體的材料和器件研究依然面臨一系列關鍵科學技術問題，需繼續開展深入、系統的研究工作。
開幕大會高峰對話環節，北京大學理學部副主任、特聘教授沈波主持下，華潤微電子總裁李虹，揚杰電子副董事長梁瑤，士蘭微電子副總經理聞永祥，匯川技術聯合創始人柏子平，南砂晶圓董事長王垚浩等頭部企業帶頭人、實力派專家，圍繞“碳化硅從6英寸逐漸向8英寸轉化的產業發展趨勢”、“功率器件應用市場需求釋放”、“產業生態優化”等當前產業企業發展的熱點重要前沿話題，前瞻與務實相結合，面對面對話探討，現場碰撞出熱烈火花。
本屆論壇為期三天，除了重量級全天開幕大會，19-21日精彩將持續展開。共設有16場熱點主題技術分論壇、200余個報告、5場熱點產業峰會、4場強芯沙龍會客廳主題對話，還有多場衛星活動，匯聚全球頂級精英，技術與產業并舉，全面覆蓋半導體照明和第三代半導體及相關領域的前沿熱點、技術應用、產業趨勢。
論壇同期，第六屆先進半導體技術應用創新展（CASTAS），全鏈條聚焦第三代半導體產業發展。論壇期間設有POSTER論文交流、現場抽獎等精彩紛呈的活動，現場氛圍非常熱烈。敬請關注！
（論壇內容詳情，敬請關注半導體產業網、第三代半導體公號）
