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LED頻閃效應(yīng)指的是兩個(gè)概念。一是頻閃：即電光源光通量波動(dòng)的深度，波動(dòng)深度越大，頻閃深度越大。二是頻閃效應(yīng)：即電光源頻閃...

本文闡述了LED晶圓的制作工藝，僅供參考。

LED的核心材料是鎵(Ga)與砷(AS)、磷(P)、銦的化合物制成的半導(dǎo)體芯片的發(fā)光材料。目前，基于寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)和銦...

通俗來(lái)講，LED和半導(dǎo)體激光器等的發(fā)光部分的半導(dǎo)體層，是在基板上生長(zhǎng)結(jié)晶而成。采用的基板根據(jù)LED的發(fā)光波長(zhǎng)不同而區(qū)分使用...

連接芯片表面和底板時(shí)，并不是像引線鍵合一樣那樣利用引線連接，而是利用陣列狀排列的，名為焊點(diǎn)的突起狀端子進(jìn)行連接。與引...

LED的核心材料是鎵(Ga)與砷(AS)、磷(P)、銦的化合物制成的半導(dǎo)體芯片的發(fā)光材料。目前，基于寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)和銦...

本文闡述了LED晶圓的制作工藝，僅供參考。

在合適的襯底基片上生長(zhǎng)結(jié)晶軸相互一致的結(jié)晶層的技術(shù)。用于制作沒有雜質(zhì)和缺陷的結(jié)晶層。包括在基片上與氣體發(fā)生反應(yīng)以積累...

由鎵(Ga)和氮(N)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體。帶隙為3.45eV(用光的波長(zhǎng)表示相當(dāng)于約365nm)，比硅(Si)要寬3倍。利用該特性，GaN主要應(yīng)...

詳解LED芯片使用過(guò)程中經(jīng)常遇到的問(wèn)題及解析方案，僅供參考。

MOCVD技術(shù)在半導(dǎo)體材料和器件及薄膜制備方面取得了巨大的成功。盡管如此，MOCVD仍是一種發(fā)展中的半導(dǎo)體超精細(xì)加工技術(shù)，MOCVD...

LED照明燈具對(duì)低壓驅(qū)動(dòng)芯片有什么要求：驅(qū)動(dòng)芯片的標(biāo)稱輸出電流要求大于1.2-1.5A，作為照明用的LED筒燈光源，1W功率的LED光源...

可見光通信指利用肉眼看得見的“可視光”傳遞信息的通信技術(shù)。主要利用照明器具和信號(hào)機(jī)等顯示設(shè)備以及汽車車燈等配備發(fā)光二...

隨著外延生長(zhǎng)技術(shù)和多量子阱結(jié)構(gòu)的發(fā)展，超高亮度發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率己有了非常大的改善，如波長(zhǎng)625 nm AlGaInP基超高亮...

LED照明燈具對(duì)低壓驅(qū)動(dòng)芯片有什么要求：驅(qū)動(dòng)芯片的標(biāo)稱輸出電流要求大于1.2-1.5A，作為照明用的LED筒燈光源，1W功率的LED光源...

詳解LED芯片使用過(guò)程中經(jīng)常遇到的問(wèn)題及解析方案，僅供參考。

自從產(chǎn)生外界照明以來(lái)，我們把照明劃分為三個(gè)時(shí)代：燈絲燈泡時(shí)代(白熾燈)、氣體燈泡時(shí)代(螢光燈)、半導(dǎo)體發(fā)光時(shí)代(LED)。而其...

LED節(jié)能燈焊接過(guò)程中，常遇到如何辨認(rèn)發(fā)光二極管的正負(fù)極，這部尤其重要，燈亮不亮就在他了!

LED軟燈帶電源按照不同的標(biāo)準(zhǔn)有其不同的分類方式，本文主要講解的是按照驅(qū)動(dòng)方式的不同所進(jìn)行的分類，可以發(fā)為穩(wěn)壓式與恒流式...

節(jié)能可持續(xù)發(fā)展已不再是一個(gè)選擇性的問(wèn)題，而是當(dāng)今世界未來(lái)發(fā)展的必行之路。以LED為代表的新光源照明取代傳統(tǒng)光源，正引發(fā)照...