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　　2017年11月1日-3日，第十四屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2017）暨 2017 國際第三代半導體論壇（IFWS 2017）在北京...

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　　2017年11月1日-3日，第十四屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2017）暨 2017 國際第三代半導體論壇（IFWS 2017）在北京...

　　毫米波固態功率放大器是現代化軍事裝備的重要組成部分，其在W波段需要的發射端輸出功率達數瓦或更高。　　2017年11月1日-...

　　第三代半導體材料在紫外器件中具備其他半導體材料難以比擬的優勢，展現出巨大的應用潛力。有數據顯示，紫外線LED應用于光...

　　第三代半導體材料主要包括以氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶Ⅲ族氮化物、以碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶Ⅳ族化合物以及寬禁...

　　為助力中國第三代半導體行業發展提質增效，更好地整合國內外第三代半導體行業的優勢資源，實現中國半導體行業迅速崛起。2...

　　氮化鎵是一種寬能隙材料，它能夠提供與碳化硅（SiC）相似的性能優勢，但降低成本的可能性卻更大。氮化鎵電力電子器件具有...

超寬帶半導體材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及材料穩定性，在新一代深紫外光電器件、高壓大功率電力電子器件等意義重大的...

2017年11月1-3日，在科技部、發改委、工信部及北京政府等相關部門大力支持下，由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟和北京順義...

　　一代材料，一代器件，一代裝備，一代應用。第三代半導體材料主要包括以氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶Ⅲ族氮化物、以碳化硅...

第三代半導體產業技術創新戰略聯盟乘十九大東風于2017年11月1日上午在首都希爾頓酒店召開第一屆三次會員大會。出席本次會議領...

有業內人士分析認為，隨著5G時代到來，以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代寬禁帶半導體材料將迎來發展機遇。三安光電...

　　以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體材料憑借其寬禁帶、高熱導率、高擊穿電場、高抗輻射能力等特點，市場應用潛力巨大...

2017國際第三代半導體論壇（IFWS2017）

市場需求逐漸起量 氮化鎵功率電子器件市場商機無限

扎根第三代半導體，誰能脫穎而出？

近年來，以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料引發全球矚目，成為全球半導體研究開發的前沿和...

　　一、各高新區外參與大賽并落地高新區的企業，可獲得50萬-2000萬元產業基金投資對接。　　二、本屆大賽聯合將近100億元的...

第二屆國際第三代半導體創新創業大賽(廈門賽區)常見問題解答