據(jù)報(bào)道,美國(guó)科研人員研發(fā)出了一款名為諧振隧穿二極管的新型氮化鎵基電子器件,其應(yīng)用于5G技術(shù)峰值速率超越了預(yù)期。研究人員...
第一代半導(dǎo)體材料一般是指硅(Si)元素和鍺(Ge)元素,其奠定了20 世紀(jì)電子工業(yè)的基礎(chǔ)。第二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體...
據(jù)了解,碳化硅和氮化硅均屬于第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和...
利用 ALLOS 的 200 mm 和 300 mm 硅基氮化鎵外延片,將 microLED 應(yīng)用于硅產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域
科銳推出新型650V MOSFET,提供業(yè)界領(lǐng)先效率,助力新一代電動(dòng)汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心、太陽(yáng)能應(yīng)用創(chuàng)新
CSA Research半導(dǎo)體檢測(cè)裝備市場(chǎng)分析系列報(bào)告之一: 半導(dǎo)體探針臺(tái)的市場(chǎng)及競(jìng)爭(zhēng)分析報(bào)告 表1 全球及我國(guó)的半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備的市...
萬(wàn)畝千億平臺(tái)添新引擎。3月20日上午,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院簽約落戶(hù)嘉興科技城,為順利推進(jìn)氮化鎵射頻及功率器件產(chǎn)...
當(dāng)前,以數(shù)字化、網(wǎng)絡(luò)化、智能化為主要特征的第四次工業(yè)革命蓬勃興起,5G作為支撐經(jīng)濟(jì)社會(huì)數(shù)字化轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵新型基礎(chǔ)設(shè)施...
當(dāng)前,新型冠狀病毒仍在持續(xù),對(duì)產(chǎn)業(yè)及企業(yè)造成了一定程度的影響,也牽動(dòng)著各行各業(yè)人們的心。在此形勢(shì)下,中國(guó)半導(dǎo)體照明網(wǎng)...
據(jù)外媒報(bào)道,蘋(píng)果公司仍將在今年晚些時(shí)候發(fā)布具有5G功能的iPhone 12,但據(jù)金融分析公司Susquehanna的一份新報(bào)告稱(chēng),發(fā)布將分...
2019年12月18日,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟發(fā)布1項(xiàng)聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)T/CASA 008-2019《地鐵再生制動(dòng)能量回收系統(tǒng)技術(shù)規(guī)范》。...
為摸清以SiC技術(shù)為重點(diǎn)的我國(guó)第三代半導(dǎo)體裝備國(guó)產(chǎn)化現(xiàn)狀,實(shí)施“瞄準(zhǔn)全產(chǎn)業(yè)鏈、分步多點(diǎn)突破”推進(jìn)國(guó)產(chǎn)裝備自主化進(jìn)程戰(zhàn)略,...
群策群力 抱團(tuán)發(fā)展 ——CASA聯(lián)盟第一屆第八次理事會(huì)暨第五次會(huì)員大會(huì)成功召開(kāi)
2019年11月30日下午,由北京市順義區(qū)政府、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟主辦,中關(guān)村順義園管委會(huì)承辦的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)...
CASA發(fā)布SiC、GaN痕量雜質(zhì)SIMS檢測(cè)方法兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)
AIXTRON:“驅(qū)動(dòng)未來(lái)科技”專(zhuān)題會(huì)議成功召開(kāi)
美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)助理教授Christina DIMARINO:高電壓寬禁帶功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)
蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司總裁丁國(guó)華:改進(jìn)碳化硅MOSFET RONSP的器件結(jié)構(gòu)和工藝研究
國(guó)家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院功率半導(dǎo)體研究所副總工、教授楊霏分享了《碳化硅高壓電力電子器件及應(yīng)用進(jìn)展》技術(shù)報(bào)告。
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