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揚杰科技：契合產業發展規律，鑄就功率半導體龍頭

國家重點研發項目“大功率光纖激光材料與器件關鍵技術研究”將迎中期檢查

從產品到應用 GaN（氮化鎵）將成為功率半導體市場發展新動力

7nm工藝電容問題有望破解，高通NanoRings技術有啥厲害的？

宜普電源轉換公司（EPC）推出比等效MOSFET小型化8倍的40 V氮化鎵功率晶體管

大國重器獲進展 中國芯片高端裝備邁向新征程

日本防務省資助富士通公司研究金剛石和碳化硅襯底散熱技術

國內首次實現第二代連續碳化硅纖維量產

快搶AI、5G市場 臺積電砸1兆啟動 5奈米 3奈米 投資大計

美國研究開發高效光電探測器

中國首條8英寸硅基氮化鎵生產線在珠海投產

國家電網全球能源互聯網研究院楊霏：碳化硅材料和電力器件在電網當中的應用

山東大學徐現剛教授：碳化硅單晶生產技術的現狀和未來的發展

　　2017年11月1日-3日，第十四屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2017）暨 2017 國際第三代半導體論壇（IFWS 2017）在北京...

中科院微電子所研究員黃森：基于超薄壁壘AlGaN / GaN 異質結構的常關型GaN MIS-HEMTs制造

中國科學院半導體研究所固態照明研發中心張連分享“選擇區域生長AlGaN/GaN異質結雙極晶體管的n-AlGaN發射器”研究報告。

英諾賽科副總經理金源俊：200mm CMOS晶圓廠無分散增強型650V GaN-on-Si HEMTs 器件工藝

北京大學微電子學院陶明：高擊穿電壓高和低電流崩塌的常關硅基GaN MOSHEMT

“氮化鎵功率電子器件”技術分會上，來自德國ALLOS Semiconductors GmbH市場總監Alexander LOESING帶來“無碳摻雜GaN-on-Si大...

　　2017年11月1日，由國家半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、北京市順義區人民政府主辦的第...